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　　離子源用以獲得離子束的裝置。在各類離子源中，用得最多的是等離子體離子源，即用電場將離子從一團等離子體中引出來。這類離子源的主要參數由等離子體的密度、溫度和引出系統的質量決定。屬于這類離子源的有：潘寧放電型離子源射頻離子源、微波離子源、雙等離子體源、富立曼離子源等。另一類使用較多的離子源是電子碰撞型離子源，主要用于各種質譜儀器中。此外，離子源還有表面電離源、光致電離離子源、液態金屬離子源等類型。 離子束照射和摻雜的過程是非熱平衡過程，因此用這種方法可以獲得用一般冶金和化工方法無法得到的新材料。能量較低(50～400keV)的專門用于離子注入的小型加速器“離子注入機”，已成為一種專門設備，體積相當于一臺電子顯微鏡或高壓示波器，使用維護都很方便(見彩圖[通用的200keV離子注入機])。在類金剛石材料、高溫超導材料、磁性材料、感光材料等的研究中，已廣泛應用離子束，一門新興的冶金學──“離子注入冶金學”正在形成。

　　測量方法

　　如果離子源偏離地電位，那么離子收集電極多半處在地電位。在這種情況下，可以使用簡單的真空同軸接頭來進行從收集電極到皮安計的連接。圖4-16示出6485型皮安計從離子收集電極測量電流的情況，這時儀器工作在地電位。

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　　然而，如果離子源處在地電位，離子收集電極必須偏離地電位。6485型皮安計只能偏離地電位大約42V，所以必須使用能夠浮地電位達500V的6487型皮安計。圖4-17是6487型皮安計浮地測量離子束的一個例子。

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　　皮安計的高端通過三同軸的真空接頭連到離子收集電極。皮安計的低端由電壓源偏離地電位。出于安全的考慮，當偏置電壓大于42V時，應當使用三同軸的真空接頭。6487型皮安計能夠浮地高達500V。

　　如果無法找到三同軸的真空接頭，可以在絕緣的BNC連接處構建金屬安全屏蔽(圖4-18)。將該金屬安全屏蔽接地。

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　　如果對地的浮地電壓小于42V，絕緣的BNC接頭就不需要安全屏蔽。

　　完成電路連接之后，接通偏置電壓，在沒有離子束電流的情況下進行電流測量，以驗證系統能夠正常工作。如果這時的電流比要測量的電流大得多，系統中一定存在著寄生泄漏通路，必須將其糾正。

　　我們常常需要把離子束電流與時間的函數關系畫成曲線。此項工作可以使用皮安計的模擬輸出功能來完成或者使用IEEE-488總線或 RS-232接口來采集讀數，再用繪圖編程軟件包(例如ExceLINX)或圖表軟件將其畫成曲線。