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什么是 IBE ?

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內加速, 利用離子的物理動能, 削去基板表面材料的現象. 是一種物理納米干法刻蝕, 當離子束與基板表面碰撞時, 破壞表面存在的原子間結合力(數 eV左右), 將表面的原子拋出.

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機包括用于產生和加速離子的考夫曼離子源, 用于使帶正電荷的離子束電中性化的中和器, 用于保持基片的樣品臺, 真空系統(德國 Pfeiffer 真空泵)等.

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機特性

1. 客制化設計, 超高自由度

2. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度

3. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀

4. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環境下蝕刻.

5. 配置公轉自轉傳輸機構 ”DryChuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%

6. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料

7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 非常友好的使用生產過程

IBE 離子束刻蝕機型號


10IBE 小型離子蝕刻機適用于科研院所 10cm 考夫曼型離子源樣品: 4”φ X 1	20IBE-C 中等規模量產 20cm 考夫曼型離子源樣品: 4”φ X 6或 3”φ X 8	20IBE-J 大規模量產 20cm 考夫曼型離子源樣品: 4”φ X 12或 6”φX 8

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機主要應用


自旋電子學在自旋電子學研究領域擁有大量的案例. 結合端點檢測器, 可實現超薄磁性層蝕刻控制.	各類傳感器多層膜結構的金屬膜（Ti, Pt, Au 等）可通過單一工藝進行加工.反應蝕刻難蝕刻材料如燙金等磁性材料也可輕松加工.	化合物半導體氬氣工藝使金的配線刻蝕以及電鍍種子層的去除成為可能. 特別是在長時間刻蝕的情況下, 批處理方式在吞吐量方面非常有優勢.

Hakuto日本原裝設計制造離子束刻蝕機IBE (離子蝕刻機) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 廣泛應用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發和量產需要. IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.

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