近期不少客戶朋友咨詢博仕檢測工程師，關于芯片橫截面采用FIB切片分析的制樣品的問題，這篇文章分享給大家，希望能幫到大家。

聚焦離子束技術（FIB）原理：

聚焦離子束(FIB)系統利用鎵離子源和雙透鏡聚焦柱，用強烈的聚焦離子束轟擊標本表面，以進行精密材料去除、沉積和高分辨率成像。簡單來說是聚合了FIB處理樣品和SEM觀察成相的功能。其中FIB是將Ga元素離子化成Ga+，然后利用電場加速，再利用靜電透鏡聚焦將高能量的Ga+打到指定點從而達到處理樣品的功能。

（PS大多數商用FIB都用Ga源，也有部分具有He和Ne等離子源）

聚焦離子束FIB切片截面分析過程：

FIB技術可以精確地在器件的特定微區進行截面觀測，形成高分辨的清晰圖像，并且對所加工的材料沒有限制，同時可以邊刻蝕邊利用SEM實時觀察樣品，截面分析是FIB最常見的應用。這種刻蝕斷面定位精度極高，在整個制樣過程中樣品所受應力很小，制作的斷面因此也具有很好的完整性。這種應用在微電子領域具體運用場合主要有：定點觀測芯片的內部結構；失效樣品分析燒毀的具體位置并定位至外延層；分析光發射定位熱點的截面結構缺陷。

聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統 FIB-SEM應用

聚焦離子束-掃描電鏡雙束系統主要用于表面二次電子形貌觀察、能譜面掃描、樣品截面觀察、微小樣品標記以及TEM超薄片樣品的制備。

FIB-SEM測試：

線路板PCB電路斷裂位置，利用SEM觀察銅箔金相。

FIB切割PCB電路截面分析

FIB切割PCB電路截面分析

微米級芯片樣品缺陷FIB-SEM截面測試

半導體芯片橫截面分析 -FIB-SEM EDS 測試

審核編輯 黃宇