上海伯東客戶某高校使用國產品牌離子束濺射鍍膜機用于金屬薄膜制備, 工藝過程中, 國產離子源鎢絲僅使用 18個小時就會燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無法滿足長時間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導致薄膜質量低的情況. 客戶需要離子源的穩(wěn)定工作時間不低于 48個小時, 經過伯東推薦最終改用美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100 替換原有的國產離子源, 單次工藝時間可以達到數(shù)百小時, 完全符合客戶長時間鍍膜的工藝要求, 維持高穩(wěn)定離子束濺射工藝獲得高品質薄膜.

上海伯東真空濺射鍍膜機離子源改造方案:
根據客戶 4寸基材和工藝條件, 推薦選用射頻離子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自動控制器, 替換國產離子源后可以長時間工作( 時長＞100h)！
1. 設備: 國產離子束濺射鍍膜機 IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 鍍鉭 Ta 單層非晶薄膜
3. 美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100, 氣體：Ar gas
4. 離子源條件: Vb max:1200V ( 離子束電壓 ), Ib max:＞400mA ( 離子束電流 )

上海伯東射頻離子源 RFICP 100 主要技術規(guī)格:
小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.

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