MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解
今天我們來講一款FST SIC DIODE模塊MPRA1C65-S61，這款SiC Module可以適用更高的開關頻率，可忽略的反向恢復與開關損耗，大大的提高整機效率，可適當的減少散熱器件體積。
模塊采用帶有散熱片的S6小型封裝，具有體積小、結構緊湊、功能強大、用戶使用簡單靈活的特點，是焊接切割設備，開關電源 充電設備等領域的理想功率模塊。
快速參考數據:
650V/100A 碳化硅DIODE模塊
反向重復峰值電壓：600V
連續正向電流:100A
熱阻：0.68℃/W
安裝扭矩-端子：3±15%Nm
安裝扭矩-散熱器：5±15%Nm
模塊大約重量：170g
特征：
絕緣耐壓
端子與外殼之間外加交流電 1 分鐘
封裝形式:S6，
多種保護功能，包括欠壓保護、過流保護、過溫保護
故障狀態報告輸出線性溫度感測輸出
S6封裝形式(Package Outline)：
應用：
焊接切割設備
開關電源
充電設備
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