瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 基于最近的趨勢(shì)，提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo)，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級(jí)結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級(jí)結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。
2014-04-17 11:24:121699 基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-25 14:36:2038560 
ROHM獨(dú)有的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS，運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間（trr），非常有助于降低空調(diào)和逆變器等應(yīng)用穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)的功耗，因而
2021-01-07 16:27:504016 
IGBT是要耐受高電壓的，在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中，我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓，主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
2023-12-01 15:23:094751 
下面對(duì)電場(chǎng)積分，我們看看隨著增長(zhǎng)，即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng)，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
2023-12-01 15:26:271669 
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖，在三維結(jié)構(gòu)中，PN結(jié)的擴(kuò)散窗口會(huì)同時(shí)向x方向和z方向擴(kuò)散，那么在角落位置就會(huì)形成如圖所示的1/8球面結(jié)。
2023-12-01 16:22:452469 
下面我們?cè)俜治鲆幌虑蛎?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)的雪崩電壓。首先對(duì)（7-17）從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分，結(jié)果如下，
2023-12-01 16:25:281605 
繼上一篇超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
2024-12-27 14:52:095179 
“超結(jié)”技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo)，長(zhǎng)期主導(dǎo)著耐壓超過600V的功率MOSFET市場(chǎng)。本文闡述了工程師在應(yīng)用超結(jié)功率器件時(shí)需關(guān)注的關(guān)鍵問題，并提出了一種優(yōu)化解決方案，可顯著提升電源應(yīng)用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:5144474 
為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)等應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 在超級(jí)結(jié)MOSFET細(xì)分領(lǐng)域，2022年其超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入突破5億元，根據(jù)芯謀
2023-06-07 00:10:004320 
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡(jiǎn)稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實(shí)現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的特性，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:461618 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
（1）產(chǎn)品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數(shù)，在實(shí)際的應(yīng)用中要結(jié)合這些因素綜合考慮。
（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個(gè)尖峰
2025-12-23 08:37:26
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢(shì)。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號(hào)的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
mosfet里的jte結(jié)終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實(shí)際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點(diǎn)，是在平面型結(jié)構(gòu)中開一個(gè)低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結(jié)構(gòu)的高耐壓和溝槽型結(jié)構(gòu)低電阻的特性。內(nèi)建橫向
2018-10-17 16:43:26
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
MOSFET－開關(guān)特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級(jí)結(jié)MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ?同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的Hybrid MOS發(fā)揮其特征
2018-11-27 16:38:39
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
分類和特性肖特基勢(shì)壘二極管快速恢復(fù)二極管Si晶體管分類和特性高耐壓MOSFET晶體管的選擇方法選擇流程SOA、額定、溫度發(fā)揮其特征的應(yīng)用事例Si二極管和MOSFET的種類非常多，耐壓和電流變動(dòng)幅度也很大
2018-11-28 14:34:33
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
x 6.0 x 1.0mm）－我曾認(rèn)為既然稱作高耐壓產(chǎn)品是不是因?yàn)橛惺裁刺貏e之處，但其實(shí)它的構(gòu)成非常簡(jiǎn)單啊。一般高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器多采用外置高耐壓MOSFET的電路結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高耐壓，但
2018-12-05 10:00:48
/DC轉(zhuǎn)換器用IC等，500V以上的高耐壓品有很多。例如，ROHM內(nèi)置MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的內(nèi)置MOSFET的耐壓是650V。此外，通過將功率MOSFET外置的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制器
2019-04-08 08:48:17
轉(zhuǎn)換器用IC的制造商有限，而且種類也并不是很多。 BD9G341AEFJ是作為功率開關(guān)內(nèi)置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC，僅需增加很少外置元器件，即可構(gòu)建高性能的高耐壓
2018-10-19 16:47:06
用IC的制造商有限，而且種類也并不是很多。BD9G341AEFJ是作為功率開關(guān)內(nèi)置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC，僅需增加很少外置元器件，即可構(gòu)建高性能的高耐壓DC
2018-12-04 10:10:43
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進(jìn)行高速工作，還同時(shí)具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。工作上與MOSFET相同，通過給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
的復(fù)合結(jié)構(gòu)。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)而開發(fā)的晶體管。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進(jìn)行高速工作，還同時(shí)具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。 工作上與MOSFET相同，通過
2020-06-09 07:34:33
、化學(xué)、機(jī)械方面穩(wěn)定熱穩(wěn)定性 ：常壓狀態(tài)下無液層，2000℃升華機(jī)械穩(wěn)定性：莫氏硬度（9.3），可以媲美鉆石（10）化學(xué)穩(wěn)定性 ：對(duì)大部分酸和堿具有惰性SiC功率元器件的特征SiC比Si的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)高約
2018-11-29 14:43:52
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
芯源MOSFET采用超級(jí)結(jié)技術(shù)，主要有以下幾種應(yīng)用：
1）電腦、服務(wù)器的電源--更低的功率損耗；
2）適配器（筆記本電腦、打印機(jī)等）--更輕、更便捷。
3）照明（HID燈、工業(yè)照明、道路照明等）--更高的功率轉(zhuǎn)換效率；
4）消費(fèi)類電子產(chǎn)品（液晶電視、等離子電視等）--更輕、更薄、更高能效。
2025-12-12 06:29:10
采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是內(nèi)置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界頂級(jí)水平，在ROHM的目前產(chǎn)品陣容中，也是耐壓最高
2018-12-03 14:44:01
超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對(duì)高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響:對(duì)超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:27
31 功率MOSFET的種類
按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道 耗盡型——當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道 增強(qiáng)型—
2009-04-14 22:08:474404 
新型高耐壓功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
摘要：分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導(dǎo)通電阻間的矛盾，介紹了內(nèi)建橫向電場(chǎng)的高壓MOSFE
2009-07-16 09:01:321896 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004 眾所周知，超級(jí)結(jié)MOSFET的高開關(guān)速度自然有利于減少開關(guān)損耗，但它也帶來了負(fù)面影響，例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，一個(gè)關(guān)鍵的控制參數(shù)就是外部串聯(lián)柵電阻（Rg）。這會(huì)抑制峰值漏-源電壓，并防止由功率MOSFET的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴。
2013-02-25 09:01:443841 
，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開關(guān)會(huì)產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級(jí)結(jié)MOSFET過渡的設(shè)計(jì)工程師常常為了照顧電磁干擾（EMI）、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺(tái)的特征，以便充分
2017-11-10 15:40:039 利用仿真技術(shù)驗(yàn)證了由于源極LSource生成反電動(dòng)勢(shì)VLS，通過MOSFET的電壓并不等于全部的驅(qū)動(dòng)電壓VDRV。MOSFET導(dǎo)通時(shí)3引腳封裝的反電動(dòng)勢(shì)VLS、柵極-源極VGS波形如下圖所示。圖中用圓圈突出顯示的部分是LSource的實(shí)際電壓。
2018-03-30 16:21:3412487 
）燈而言也非常重要。功率MOSFET是針對(duì)所有這些設(shè)計(jì)的典型首選開關(guān)技術(shù)，因?yàn)樗商峁┖?jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)選項(xiàng)，可在高電壓和高頻率條件下進(jìn)行高效切換。在大多數(shù)此類應(yīng)用中，額定值600V通常是作為保證安全處理高電壓瞬變的充分上限范圍。
2018-04-08 09:18:455512 為驅(qū)動(dòng)快速開關(guān)超級(jí)結(jié)MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對(duì)開關(guān)性能的影響，以及為使用超級(jí)結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級(jí)結(jié)MOSFET。在這些電壓額定值中
2019-05-13 15:20:231792 
AEC車規(guī)認(rèn)證的超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）器件、電壓檢測(cè)、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能，加快開發(fā)周期。本文將主要介紹用于電動(dòng)汽車直流充電樁的超級(jí)結(jié)MOSFET和具成本優(yōu)勢(shì)的IGBT方案。
2020-01-01 17:02:009515 
電容的參數(shù)包括電容的容值、耐壓、工作溫度、公差、尺寸等等。我們選擇電容不單止考慮電容的種類，還需要關(guān)注電容的各種參數(shù)，如果僅僅是耐壓不一樣，高耐壓替代低耐壓是沒有問題的。
2020-02-12 19:26:5913639 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
交流耐壓是在比運(yùn)行條件更加嚴(yán)格的試驗(yàn)。是一種破壞性試驗(yàn)，是鑒定電力絕緣強(qiáng)度最有效和最直接的方法。因此，在進(jìn)行耐壓之前，必須先 進(jìn)行絕緣電阻、泄漏電流、介損試驗(yàn)、絕緣油等非破壞性試驗(yàn)。合格后才可進(jìn)
2021-09-26 10:05:313947 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:513305 超級(jí)結(jié)又稱超結(jié)，是制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種技術(shù)，其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定，又因p型體區(qū)摻雜濃度較高，耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199 NGTB20N60L2TF1G 應(yīng)用筆記 [與超級(jí)結(jié) MOSFET 的比較]
2022-11-15 19:25:270 維安高壓超結(jié)MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221505 
放眼國內(nèi)外，現(xiàn)階段1000V及以上超高耐壓大電流MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，且存在價(jià)格高，交付周期長(zhǎng)等弊端。對(duì)此維安(WAYON)面向全球市場(chǎng)，對(duì)800V及以上超高壓MOS產(chǎn)品進(jìn)行了大量
2023-01-06 12:43:451962 
近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:001280 
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲等特征，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:061660 
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:051192 
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機(jī)型。
2023-02-13 09:30:051265 
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是內(nèi)置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界頂級(jí)水平，在ROHM的目前產(chǎn)品陣容中，也是耐壓最高的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-17 12:06:401955 
－ 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對(duì)高效率、低功耗、低待機(jī)功耗、小型這4個(gè)課題的貢獻(xiàn)，多次提到“因?yàn)閮?nèi)置超級(jí)結(jié)MOSFET，......”。接下來請(qǐng)您介紹一下超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:152191 
使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級(jí)結(jié)（Super
2023-02-23 11:26:581326 
安森德歷經(jīng)多年的技術(shù)積累，攻克了多層外延超結(jié)（SJ）MOSFET技術(shù)，成功研發(fā)出具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超結(jié)（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-02 10:23:101909 
MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強(qiáng)型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:362503 功率器件業(yè)務(wù)為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)等應(yīng)用領(lǐng)域。 在超級(jí)結(jié)MOSFET細(xì)分領(lǐng)域，2022年其超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入突破5億元，根據(jù)芯
2023-06-08 07:45:023111 
MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對(duì)于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用中。封裝特性美浦森S
2023-08-18 08:32:562019 
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:161895 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:551297 
根據(jù)Global Market Insights的調(diào)查，超級(jí)結(jié)MOSFET在去年在能源和電力領(lǐng)域中的市場(chǎng)份額超過30%，覆蓋了電動(dòng)車充電樁、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源、LED驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、家電控制等多個(gè)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)到2032年，全球超級(jí)結(jié)MOSFET市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過11.5%。
2024-07-29 14:38:451237 
在電子電路設(shè)計(jì)中，MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常用的功率器件，具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)功耗等優(yōu)點(diǎn)。然而，如果MOSFET超過其耐壓值，可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞或性能下降
2024-08-01 09:26:062592 作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 2024-06-12 長(zhǎng)期以來，超結(jié)功率 MOSFET 在高電壓開關(guān)應(yīng)用中一直占據(jù)主導(dǎo)地位，以至于人們很容易認(rèn)為一定有更好的替代
2024-10-02 17:51:001664 
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 14:47:482578 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441054 
AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)現(xiàn)雙向電路保護(hù)，還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級(jí)結(jié)”單元，通過電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件，其核心設(shè)計(jì)通過優(yōu)化電場(chǎng)分布實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499 
瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴(yán)謹(jǐn)執(zhí)行三批次可靠性測(cè)試，確保產(chǎn)品品質(zhì)。? ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET
2025-05-22 13:59:30491 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-29 10:31:10192 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:31:08179 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級(jí)、適配器、電機(jī)控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14203 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25205 ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級(jí)超級(jí)結(jié)功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40377 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論