恩智浦發布業界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC

中國上海，2010年12月6日訊--恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq: NXPI）今天發布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業界最低R_DSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關應用優化，采用LFPAK封裝技術，是目前業界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已專門針對高性能DC-DC轉換應用進行了優化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器、同步整流器。

技術要點：

• 特性和優勢：
  針對4.5V柵極驅動的低R_DSon而專門優化的先進NextPower技術
  Power-SO8封裝確保高可靠性，溫度最高可達175?C
  超低Q_G、Q_GD和Q_OSS確保了高系統效率
• PSMN1R0-30YLC現已開始供貨。
• PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款產品，全系列產品將在未來幾個月中陸續推出。

積極評論：

• 恩智浦半導體Power MOSFET營銷經理Charles Limonard表示："恩智浦NextPower系列MOSFET將幫助設計者實現高性能（高效率）、小尺寸和低成本。恩智浦致力于開發和創新，并不斷改善導通電阻R_DSon、開關速度和熱效率等關鍵參數，從而推出具有業界領先水平的MOSFET器件。"
• Limonard還表示，"PSMN1R0-30YLC具有領先于同類器件的超低R_DSon，可顯著降低功耗；這反過來能提高新一代電子產品的能效，使能效等級更高，尺寸更小"。