Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱“Toshiba”)推出了“SSM14N956L”,這是一款額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET,用于鋰離子(Li-ion)電池組(例如移動設備電池組)的電池保護電路中。今天開始發貨。
鋰離子電池組依靠高度穩健的保護電路來減少充電和放電時產生的熱量并提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,需要能夠提供低導通電阻的小巧輕薄型MOSFET。
SSM14N956L采用Toshiba的微工藝,已經發布的SSM10N954L也是如此。這就確保了低功率損耗(由于行業領先的[1]低導通電阻特性)和低待機功率(通過行業領先的[1]低柵源漏電流特性實現)。這些品質有助于延長電池的工作時間。新產品還采用了全新的小型薄型封裝TCSPED-302701(2.74mm x 3.0mm,t = 0.085mm (typ.))。
Toshiba將繼續開發MOSFET產品,用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路。
應用
·使用鋰離子電池組的消費類電子產品和辦公及個人設備,包括智能手機、平板電腦、移動電源、可穿戴設備、游戲機、電動牙刷、小型數碼相機、數碼單反相機等。
特性
·行業領先的[1]低導通電阻:RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V
·行業領先的[1]低柵源漏電流:IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
·小巧輕薄型TCSPED-302701封裝:2.74mm x 3.0mm,t=0.085mm (typ.)
·共漏極結構,可輕松用于電池保護電路中
注意:
[1]:在具有相同評級的產品中。截至2023年5月的數據,基于Toshiba的調查結果。
主要規格
| (除非另有說明,Ta=25°C) | |||
| 部件編號 | SSM14N956L | SSM10N954L[2] | |
| 配置 | N溝道共漏極 | ||
|
絕對 最大 額定值 |
源極電壓VSSS(V) | 12 | |
| 柵極電壓VGSS(V) | ±8 | ||
| 拉電流(直流)IS(A) | 20.0 | 13.5 | |
|
電氣 特性 |
柵極漏電流IGSS max (μA) |
@VGS= ±8V | ±1 |
|
源極 導通電阻RSS(ON) typ. (mΩ) |
@VGS=4.5V | 1.00 | 2.1 |
| @VGS=3.8V | 1.10 | 2.2 | |
| @VGS=3.1V | 1.25 | 2.4 | |
| @VGS=2.5V | 1.60 | 3.1 | |
| 封裝 | 名稱 | TCSPED-302701 | TCSPAC-153001 |
| 典型尺寸(mm) |
2.74x3, t=0.085 |
1.49x2.98, t=0.11 |
|
| 抽樣檢查和供貨情況 | 在線購買 | 在線購買 |
注意:
[2]已發布產品。
*公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文檔中的信息(包括產品價格和規格、服務內容和聯系信息)在發布之日是最新的。但如有更改,恕不另行通知。
審核編輯:湯梓紅
-
電阻
+關注
關注
88文章
5781瀏覽量
179536 -
MOSFET
+關注
關注
151文章
9674瀏覽量
233557 -
電池
+關注
關注
85文章
11525瀏覽量
143440
發布評論請先 登錄
解析CSD87501L 30-V雙共漏N溝道NexFET?功率MOSFET
MOSFET導通電阻Rds
關于0.42mΩ超低導通電阻MOSFET的市場應用與挑戰
選型手冊:VS3618AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:MOT3650J N+P 增強型 MOSFET 晶體管
MDD MOS導通電阻對BMS系統效率與精度的影響
Toshiba推出小巧輕薄型共漏極MOSFET,具有極低導通電阻,適合快速充電設備
評論