2021年因受到車用、工業(yè)與通訊需求助力，第三代半導(dǎo)體成長動能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長力道最為明顯，預(yù)估其今年市場規(guī)模將達(dá)6，100萬美元，年增率高達(dá)90.6%。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，2018至2020年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦、疫情等影響，整體市場成長動力不足致使成長持續(xù)受到壓抑。然受到車用、工業(yè)與通訊需求助力，2021年第三代半導(dǎo)體成長動能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長力道最為明顯，預(yù)估其今年市場規(guī)模將達(dá)6，100萬美元，年增率高達(dá)90.6%。

TrendForce集邦咨詢進(jìn)一步表示，首先，預(yù)期疫苗問世后疫情有所趨緩，進(jìn)而帶動工業(yè)能源轉(zhuǎn)換所需零組件如逆變器、變頻器等，以及通訊基站需求回穩(wěn)；其次，隨著特斯拉（Tesla）Model 3電動車逆變器逐漸改采SiC器件制程后，第三代半導(dǎo)體于車用市場逐漸備受重視；最后，中國政府為提升半導(dǎo)體自主化，今年提出十四五計劃投入巨額人民幣擴(kuò)大產(chǎn)能，上述都將成為推升2021年GaN及SiC等第三代半導(dǎo)體高速成長的動能。

電動車、工業(yè)及通訊需求回溫，帶動第三代半導(dǎo)體器件營收上揚

觀察各類第三代半導(dǎo)體器件，GaN器件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺積電（TSMC）、世界先進(jìn)（VIS）等嘗試導(dǎo)入8英寸晶圓生產(chǎn)，然現(xiàn)行主力仍以6英寸為主。因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘A(yù)期2021年通訊及功率器件營收分別為6.8億和6，100萬美元，年增30.8%及90.6%。

其中，GaN功率器件年增最高的主因是手機(jī)品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭，憑借高散熱效能與體積小的產(chǎn)品優(yōu)勢獲得消費者青睞，截至目前筆電廠商也有意跟進(jìn)。TrendForce集邦咨詢預(yù)期，GaN器件會持續(xù)滲透至手機(jī)與筆電配件，且年增率將在2022年達(dá)到最高峰，后續(xù)隨著廠商采用逐漸普及，成長動能將略為趨緩。

SiC器件部分，由于通訊及功率領(lǐng)域皆需使用該襯底，因而6英寸晶圓的供應(yīng)量顯得吃緊，預(yù)估2021年SiC器件于功率領(lǐng)域營收可達(dá)6.8億美元，年增32%。目前各大襯底商如科銳（CREE）、貳陸（II-VI）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）等已陸續(xù)開展8英寸襯底研制計劃，但仍有待2022年后才有望逐漸紓緩供給困境。

編輯：jq