近日，寧波創投界一年一度的“尋找寧波最具投資價值企業”頒獎活動舉行。本屆活動緊扣“科創”主題，錨定“新質生產力”，聚焦高端裝備、芯片制造、數字經濟、新材料等寧波戰略性新興產業賽道，通過多維度評審機制，最終評選出四大領域榮譽。憑借深厚的技術積累、巨大的市場潛力以及卓越的創新實力，派恩杰半導體在本次評選中榮幸獲得“2025尋找寧波最具投資價值企業”最具潛力獎。

于2024年落戶寧波·前灣新區的派恩杰半導體，企業成長7年，始終聚焦于以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體功率器件的研發、應用與產業化。面對新能源汽車、光伏儲能、數據中心、工業電源等領域的爆發式增長對高性能、高效率功率器件的迫切需求，派恩杰持續攻堅克難：

掌握核心技術：在芯片設計、制造工藝、封裝測試等關鍵環節擁有自主知識產權，專利數量行業領先；

產品矩陣完善：高性能SiC MOSFET、SiCSBD、SiC模塊等系列產品，以其高效率、高功率密度、高可靠性等優勢，成功導入并廣泛應用于國內外海、陸、空多領域主流客戶供應鏈；

前瞻布局深遠：積極布局下一代技術研發、多項未來科技應用，不斷鞏固和擴大技術領先優勢、打造護城河，為未來發展注入強勁動力。

展望未來

寧波擁有優越的營商環境，為我們提供了寶貴的成長養分。在寧波這片創新創業的熱土上獲得“最具投資價值企業·最具潛力獎”，這不僅是對派恩杰團隊過去努力的肯定，更是對我們未來發展的鞭策和期許。我們會將這一份認可轉化為持續夯實技術根基的動力，為社會帶來輕量化、高性能的產品，加速產業化進程，深化與寧波及長三角產業鏈伙伴的合作，致力于成為全球領先的功率半導體解決方案提供商，正如派恩杰踐行的使命——用“中國芯”加速可持續能源，讓每一度電能都發揮最大價值！

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數據中心、超級計算與區塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業特種電源、UPS、電機驅動等領域。