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具有集成3相SiC MOSFET的液冷模塊

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2025-05-18 14:52:081323

國產SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應用

傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片,SiC功率模塊驅動板,驅動IC
2025-05-10 13:38:19860

2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅動板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能

2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅動板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅動板不僅是SiC MOSFET的“智慧大腦”,更是電力電子系統邁向高效與可靠的核心
2025-05-06 10:54:02730

國產SiC模塊企業如何向英飛凌功率模塊產品線借鑒和學習

Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片,SiC功率模塊驅動板,驅動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向,致力于服務中國工業電源,電力電子裝備及新能源汽車產業鏈。
2025-05-05 12:01:57538

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應用在電力電子系統的推薦方案

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應用在電力電子系統推薦方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-05-04 13:23:07838

基本半導體碳化硅(SiCMOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優勢

MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片,SiC功率模塊驅動板,驅動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向,致力于服務中國工業電源,電力電子
2025-05-04 09:42:31740

電力電子新未來:珠聯璧合,基本半導體SiC模塊SiC驅動雙龍出擊

傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片,SiC功率模塊驅動板,驅動IC)分銷商
2025-05-03 15:29:13628

基于國產碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統解決方案

基于BASIC Semiconductor基本半導體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊
2025-05-03 10:45:12561

SiC(碳化硅)模塊設計方案在工商業儲能變流器(PCS)行業迅速普及

模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級!傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭:傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代
2025-04-30 14:30:531035

SiC MOSFET驅動電路設計注意事項

柵極驅動器是保證SiC MOSFET安全運行的關鍵,設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節帶你了解SiC MOSFET驅動電路設計、驅動電阻選擇、死區時間等注意事項。
2025-04-24 17:00:432034

SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數優化設計

0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關速度更快
2025-04-23 11:25:54

傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案

SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-04-21 09:21:56870

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統

在高電壓和高效率應用領域,SemiQ作為一家領先的設計和開發企業,近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統設計,以滿足
2025-04-17 11:23:54723

BMF240R12E2G3成為新一代工商業儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊

對高性能、高穩定性功率模塊的核心需求。BMF240R12E2G3成為新一代工商業儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊,主要基于以下產品力: 1. 基本股份SiC功率模塊BMF240R12E2G3卓越的電氣性能 高耐壓與低導通損耗 電壓等級1200V,適用于高壓直流母線(如900V)場景,覆蓋
2025-04-14 18:31:53770

SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業

SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業,主要原因在于: SiC MOSFET模塊通過高效率、高頻化、高溫
2025-04-12 13:23:05799

麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiCMOSFET動態測試中的應用

碳化硅(SiCMOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管,相較于傳統硅(Si)MOSFET具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關速度以及更優
2025-04-08 16:00:57

SiC MOSFET的動態特性

本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外,還應注意測試波形的準確性。
2025-03-26 16:52:161889

CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE

CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工業級全碳化硅(SiC)半橋功率模塊,專為高功率密度、極端高溫環境
2025-03-17 09:59:21

SiC MOSFET的靜態特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強,在結構上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。
2025-03-12 15:53:221531

SiC模塊解決儲能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點

碳化硅(SiCMOSFET的雙極性退化(Bipolar Degradation)是其在實際應用中面臨的重要可靠性問題,尤其在儲能變流器(PCS)等高功率、高頻應用場景中矛盾尤為突出。在儲能變
2025-03-09 06:44:311465

瞻芯電子推出2000V SiC 4升壓功率模塊

日前,瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4升壓功率模塊產品(IV3B20023BA2),為光伏等領域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產品已通過工業級可靠性測試,并在光伏客戶導入驗證。
2025-03-01 09:27:101307

基于國產SiC模塊的50kW數據中心HVDC電源系統設計

傾佳電子楊茜提出基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3模塊的50kW數據中心HVDC電源系統設計 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊
2025-02-23 16:56:521100

安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經發布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低,提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側重于
2025-02-21 11:24:201803

Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南

電子發燒友網站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費下載
2025-02-13 17:21:182

BASiC基本股份國產SiC碳化硅MOSFET產品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件
2025-02-12 06:41:45947

橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結MOSFET技術注意事項

在橋式電路中,國產碳化硅(SiCMOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(SJ)MOSFET具有顯著優勢,但也需注意技術細節。傾佳電子楊茜從性能優勢和技術注意事項兩方面進行深度分析: 傾佳電子
2025-02-11 22:27:58829

高頻感應電源國產SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾佳
2025-02-10 09:41:151009

5G電源應用碳化硅B3M040065Z替代超結MOSFET

傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應用為例分析BASiC基本股份國產碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結MOSFET的優勢,并做損耗仿真計算: 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC
2025-02-10 09:37:55745

高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾
2025-02-09 20:17:291126

溝槽型SiC MOSFET的結構和應用

MOSFET(U-MOSFET)作為新一代功率器件,近年來備受關注。本文將詳細解析溝槽型SiC MOSFET的結構、特性、制造工藝、應用及其技術挑戰。
2025-02-02 13:49:001995

SiC MOSFET的參數特性

碳化硅(SiCMOSFET作為寬禁帶半導體材料(WBG)的一種,具有許多優異的參數特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應用中表現出色。本文將詳細探討SiC MOSFET的主要參數特性,并通過對比硅基MOSFET和IGBT,闡述其技術優勢和應用領域。
2025-02-02 13:48:002733

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

驅動Microchip SiC MOSFET

電子發燒友網站提供《驅動Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費下載
2025-01-21 13:59:122

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯形成的混合器件實現了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572638

SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用

*附件:國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40

SiC MOSFET分立器件及工業模塊介紹

BASiC國產SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042

國產SiC MOSFET,正在崛起

來源:電子工程世界 SiC(碳化硅),已經成為車企的一大賣點。而在此前,有車企因是否全域采用SiC MOSFET,發生激烈輿論戰。可見,SiC這一市場在汽車領域頗有潛力。 不過,近幾年國內SiC
2025-01-09 09:14:05976

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