BMF240R12E2G3憑借低損耗、高耐壓、強散熱、高集成度及完整生態支持，成為工商業儲能PCS的理想選擇。其通過優化動態特性與熱管理，顯著提升系統效率、功率密度與可靠性，契合新能源領域對高性能、高穩定性功率模塊的核心需求。BMF240R12E2G3成為新一代工商業儲能變流器（PCS）首選的SiC MOSFET功率模塊，主要基于以下產品力：

1. 基本股份SiC功率模塊BMF240R12E2G3卓越的電氣性能

高耐壓與低導通損耗

電壓等級1200V，適用于高壓直流母線（如900V）場景，覆蓋工商業儲能PCS需求。

RDS(on)@25°C僅為5.5mΩ ，模塊整體導通損耗極低，顯著降低系統運行能耗。

高溫特性優異：RDS(on)在175°C時僅增至8.5mΩ，高溫下導通損耗增幅可控，保障重載效率。

優化的開關特性

開關損耗（Eon/Eoff）隨溫度升高而下降，尤其是Eon呈現負溫度特性（高溫下降低約5%-10%）。

在800V/240A條件下，總開關能量（Etotal）僅25.24mJ（常溫）和20.82mJ（125°C），遠優于競品（如W***的26.42mJ）。

內置SiC SBD二極管

零反向恢復（Qrr≈0.59μC@25°C），反向恢復能量（Err）低至0.08mJ，降低續流損耗和EMI風險。

相比傳統SiC MOSFET體二極管，VSD@240A僅1.35V（常溫），浪涌電流耐受能力更強。

2. 基本股份SiC功率模塊高熱可靠性與封裝設計

先進散熱技術

Si3N4陶瓷基板：導熱率90W/mK，抗彎強度700N/mm2，支持高頻功率循環（1000次以上無分層）。

熱阻低至0.09K/W（結到殼），結合Press-FIT壓接技術，確保高效散熱與長期可靠性。

高溫運行能力

結溫支持175°C，允許更高環境溫度下滿功率運行。

仿真數據顯示，80°C散熱器溫度下，150kW負載時結溫僅142.1°C（逆變工況），滿足嚴苛工況需求。

3. 基本股份SiC功率模塊系統效率與功率密度提升

高頻應用適配性

開關頻率支持40kHz以上，結合低開關損耗，PCS平均效率提升1%（對比IGBT方案）。

模塊體積緊湊（E2B封裝），功率密度提升25%，助力工商業儲能變流器PCS尺寸縮減。

動態性能優勢

電容特性優異：Coss@800V僅0.9nF，降低關斷損耗。

柵極電荷Qg=492nC，驅動功耗低，簡化驅動設計。

4. 基本股份SiC功率模塊可靠性與安全性設計

高閾值電壓（VGS(th)=4.0V）

降低門極噪聲干擾導致的誤開通風險，適應復雜電磁環境。

集成NTC溫度傳感器

實時監控模塊溫度，支持過溫保護策略，提升系統安全性。

米勒鉗位功能兼容性

配套驅動芯片（如BTD5350MCWR）支持低阻抗鉗位路徑，抑制米勒效應導致的誤觸發。

5. 基本股份SiC功率模塊完整的生態系統支持

配套驅動與電源方案

基本半導體提供隔離驅動芯片（BTD5350MCWR）、正激電源芯片（BTP1521F）及隔離變壓器（TR-P15D523-EE13），形成“即插即用”驅動板解決方案，縮短開發周期。

驅動設計支持多管并聯均流，優化動態一致性。

BASiC基本股份針對SiC碳化硅MOSFET多種應用場景研發推出門極驅動芯片，可適應不同的功率器件和終端應用。BASiC基本股份的門極驅動芯片包括隔離驅動芯片和低邊驅動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內功率器件的門極驅動需求。

BASiC基本股份低邊驅動芯片可以廣泛應用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領域的低邊功率器件的驅動或在變壓器隔離驅動中用于驅動變壓器，適配系統功率從百瓦級到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關電源芯片BTP1521P,BTP1521F，該芯片集成上電軟啟動功能、過溫保護功能，輸出功率可達6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設定，最高工作頻率可達1.5MHz，非常適合給隔離驅動芯片副邊電源供電。

對SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅動電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅動IC BTL27524或者隔離驅動BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

基本股份SiC功率模塊仿真與實測驗證

仿真數據表明，125kW 工商業儲能變流器 PCS中BMF240R12E2G3在1.2倍過載（150kW）時結溫仍低于175°C，滿足超負荷運行需求。

雙脈沖測試顯示，其開關波形（如di/dt、dv/dt）和抗干擾能力優于國際競品。

6. 對比優勢

基本股份SiC功率模塊與國際品牌對比

靜態參數：BVdss高達1650V（150°C），VSD@200A僅1.91V（常溫），顯著優于W（5.45V）和I（4.86V）。

動態參數：Eon@400A/125°C僅14.66mJ，比W低8%，Err@125°C僅0.13mJ（W為0.66mJ）。

長期可靠性：內嵌SBD技術使Ron波動<3%（1000小時老化），遠優于傳統體二極管（波動42%）。

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業自主可控和產業升級！

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審核編輯 黃宇