英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲(chǔ)器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng)，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
49 Renesas的9FGL02x1/04x1/06x1/08x1D系列3.3V PCIe Gen1 - 5時(shí)鐘發(fā)生器。 文件下載： Renesas Electronics 9FGL0x時(shí)鐘發(fā)生器.pdf 一、產(chǎn)品概述 9FGL02x1/04x1/06x1/08x1D是
2025-12-29 15:55:28117 TDK HVC45高壓接觸器：高性能與可靠性的完美結(jié)合 在高壓直流切換領(lǐng)域，接觸器的性能和可靠性至關(guān)重要。TDK的HVC45系列高壓接觸器憑借其卓越的設(shè)計(jì)和出色的特性，成為眾多應(yīng)用的理想選擇。今天
2025-12-25 15:40:02129 eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲(chǔ)，它彌補(bǔ)了 FPGA 芯片自身存儲(chǔ)能力的不足，為 FPGA 提供一個(gè)高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283981 
DF4-19MR20W3M1HF_B11 EasyPACK?模塊：高效能與可靠性的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域，不斷追求高性能、高可靠性的電子元件是永恒的目標(biāo)。今天要介紹
2025-12-20 15:40:20726 在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04243 的100雙測(cè)頭。其中70單測(cè)頭的測(cè)量范圍為0～70mm，用于測(cè)量直徑φ1～φ50mm的軋材；100雙測(cè)頭的測(cè)量范圍為35～100mm，用于測(cè)量直徑φ50～φ85mm的軋材
JG08/04Z-D
2025-12-12 15:22:42
? 在電子工程師的日常工作中，A/D轉(zhuǎn)換器是不可或缺的關(guān)鍵組件。今天，我們要深入探討一款性能卓越的8位A/D轉(zhuǎn)換器——ADC08L060，它來(lái)自德州儀器（TI），具有低功耗、高轉(zhuǎn)換速率等諸多優(yōu)點(diǎn)
2025-12-05 15:17:27532 
在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）因其非易失性和可重復(fù)編程的特性，成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天，我們就來(lái)深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42446 
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性對(duì)電路設(shè)計(jì)起著至關(guān)重要的作用。今天我們來(lái)深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X，這是一款80V、0.79mΩ、457A的單N溝道功率MOSFET，它在多個(gè)方面展現(xiàn)出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19455 
? 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，A/D轉(zhuǎn)換器是連接模擬世界和數(shù)字世界的關(guān)鍵橋梁。今天，我們來(lái)深入探討一款高性能、低功耗的雙8位、1GSPS A/D轉(zhuǎn)換器——ADC08D1000。 文件下載
2025-12-02 13:55:30408 
在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里，選擇合適的MOSFET至關(guān)重要，它直接影響著電路的性能和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入了解一下onsemi推出的NVBLS0D8N08X這款80V、0.79mΩ、457A的單N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-01 14:35:11232 
? 引言 在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高速、高性能且低功耗的A/D轉(zhuǎn)換器需求日益增長(zhǎng)。ADC08D500作為一款備受矚目的產(chǎn)品，以其獨(dú)特的特性和出色的性能，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著重要作用。本文將深入剖析
2025-12-01 14:00:24443 
? 在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高速、低功耗的模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）需求日益增長(zhǎng)。TI的ADC08D1500就是這樣一款性能卓越的產(chǎn)品，它能在高速采樣的同時(shí)保持低功耗，為眾多應(yīng)用場(chǎng)景提供了理想的解決方案
2025-11-30 10:37:24496 
D06Z-50R0J99-00G36-X型號(hào)介紹： 今天我要向大家介紹的是 Barry Industries 的衰減器
2025-11-28 11:30:47
? 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，模擬 - 數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）是連接模擬世界和數(shù)字世界的關(guān)鍵橋梁。今天，我們將深入探討德州儀器（TI）的ADC08D1520，一款低功耗、高性能的8位ADC，它在高速數(shù)據(jù)采集
2025-11-28 10:47:16370 
? 在電子工程領(lǐng)域，A/D轉(zhuǎn)換器是連接模擬世界和數(shù)字世界的橋梁，其性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的精度和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入了解一款高性能的8位、200 MSPS A/D轉(zhuǎn)換器——ADC08
2025-11-28 09:57:29351 
在電子工程領(lǐng)域，功率 MOSFET 作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響著各類電子設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的 NTMFS3D0N08X 這款 N 溝道功率 MOSFET，剖析其特性、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-11-28 09:35:55330 ? 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高速、高效的模擬 - 數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）至關(guān)重要。TI的ADC08B200就是這樣一款高性能的8位、200 MSPS A/D轉(zhuǎn)換器，它集成了捕獲緩沖器，適用于多種高速數(shù)據(jù)采集
2025-11-27 11:07:23447 
? 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，A/D轉(zhuǎn)換器是連接模擬世界和數(shù)字世界的關(guān)鍵橋梁。今天，我們要深入探討一款來(lái)自德州儀器（TI）的高性能A/D轉(zhuǎn)換器——ADC08D1020，它在高速數(shù)據(jù)采集、通信系統(tǒng)等領(lǐng)域有著廣泛
2025-11-27 09:27:15423 
該ADC08D1520是一種8位、雙通道、低功耗、高性能的CMOS模擬轉(zhuǎn)數(shù)字轉(zhuǎn)換器，基于ADC08D1000平臺(tái)構(gòu)建。該ADC08D1520能夠數(shù)字化信號(hào)，分辨率為8位，采樣率最高可達(dá)1.7
2025-11-26 09:20:08462 
MR-16LED燈專用LED降壓型恒流驅(qū)動(dòng)器H5441B方案調(diào)光高輝度65536級(jí)
H5441B 為一款平均電流型 LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片，適配非隔離式 LED 驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，輸入電壓適用范圍為
2025-11-25 09:11:03
(onsemi) NVMFWS0D45N04XM MOSFET具有低電容和低R ~DS(on)~ ，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器和導(dǎo)通損耗。NVMFWS0D45N04XM采用5mmx6mm的小尺寸，非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)和同步整流。
2025-11-24 10:04:20313 
安森美 (onsemi) NVMFWS4D0N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容，采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFET具有40V漏極-源極電壓、80A連續(xù)漏極電流
2025-11-24 09:49:40335 
安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有~低QRR~ 、~RDS(on)~ 和 ~QG~ ，可最大限度降低驅(qū)動(dòng)器損耗和導(dǎo)通損耗。MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車48V系統(tǒng)
2025-11-24 09:29:21319 
在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的新型非易失存儲(chǔ)器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫(xiě)能力與非易失特性，更通過(guò)“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫(xiě)入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35248 在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 ，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來(lái)分，存儲(chǔ)芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲(chǔ)芯片就像電腦的內(nèi)存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402723 
。? BMA6002/BMI6002支持通過(guò)菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)隔離BMS設(shè)備間的通信。憑借雙TPL端口設(shè)計(jì)，該器件支持電容式和電感式隔離，可實(shí)現(xiàn)多個(gè)BMS設(shè)備的鏈接。 由于具備標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議兼容性，該網(wǎng)關(guān)驅(qū)動(dòng)器可通過(guò)SPI
2025-11-14 09:36:4873557 
在需要高速數(shù)據(jù)讀寫(xiě)與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)往往面臨寫(xiě)入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨(dú)特的磁阻存儲(chǔ)技術(shù)，為工業(yè)控制、汽車
2025-11-13 11:23:46210 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 TX08D 是德州儀器（TI）推出的 **8 通道超聲發(fā)射器** ，專為超聲成像系統(tǒng)設(shè)計(jì)，集成脈沖發(fā)生器（Pulser）、收發(fā)（T/R）開(kāi)關(guān)與片內(nèi)波束成形器，可驅(qū)動(dòng)壓電換能器實(shí)現(xiàn)高精度超聲信號(hào)發(fā)射
2025-10-27 14:55:49529 在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫(xiě)特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無(wú)限次擦寫(xiě)、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44414 作為磁阻存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要分支，SOT-MRAM因其獨(dú)特的寫(xiě)入機(jī)制與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點(diǎn)方向。該技術(shù)利用具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層，通過(guò)自旋軌道力矩驅(qū)動(dòng)磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫(xiě)入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 Zivid Two+ R系列包含MR60、LR110與MR130三款型號(hào)，該系列具備優(yōu)秀的環(huán)境光抗干擾能力，即使在光照條件變化的環(huán)境中，仍能輸出穩(wěn)定、一致的2D與3D數(shù)據(jù)，為工業(yè)自動(dòng)化行業(yè)提供了值得信賴的視覺(jué)解決方案。
2025-10-16 10:00:04561 ### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**UT4810D-S08-R-VB** 是一款 **單N通道MOSFET**，采用 **SOP8封裝**，具有 **30V** 的最大漏源電壓（VDS），非常適合低電壓開(kāi)關(guān)電路。該
2025-09-09 14:11:38
的最大漏極電流（I_D），并采用Trench技術(shù)，能夠提供低導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能。UT4810DG-S08-R-VB的導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）在V_GS =
2025-09-09 14:05:34
）和13A的最大漏極電流（I_D），能夠處理中等電流和低電壓的高效切換。UT4404L-S08-R-VB采用Trench技術(shù)，具有超低的導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）以及較
2025-09-09 13:48:01
氧化鋁等化工行業(yè)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定生產(chǎn)。本期案例使用的MR30系列分布式I/O產(chǎn)品：MR30-FBC-PN、MR30-16DI、MR30-16DO、MR30-08AI-I4W、MR30-08AO-I。 項(xiàng)目介紹 某化工行業(yè)龍頭主要產(chǎn)品包括特種氧化鋁、氧化鋁陶瓷納濾膜、LTCC 材料及元器件等，在新能源汽車領(lǐng)域、節(jié)能環(huán)保
2025-09-05 11:30:00499 將 R0、R145、R146、R147、R149、R151 上的 151 Ω更改為 R41、R42、R43、R44、R45。
FAQ_MA35D1_There嘗試通過(guò) JTAG2 連接到物聯(lián)網(wǎng)板時(shí)沒(méi)有響應(yīng)。
FAQ_MA35D1_There嘗試通過(guò)JTAG連接到物聯(lián)網(wǎng)板時(shí)沒(méi)有響應(yīng)。
2025-09-03 08:28:31
### IPP45N06S4L-08-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IPP45N06S4L-08-VB 是一款高性能N通道MOSFET，采用先進(jìn)的Trench技術(shù)，封裝為TO220。這款MOSFET
2025-09-01 11:25:16
某裝備制造企業(yè)主要從事自動(dòng)化焊割、涂裝生產(chǎn)線的設(shè)計(jì)與制造，其中涂裝生產(chǎn)線涉及噴砂、噴漆、熱處理、廢氣處理等工藝。明達(dá)技術(shù)的MR30系列分布式I/O，性能穩(wěn)定，易上手，方便接線，助力企業(yè)提升產(chǎn)品
2025-08-27 15:38:19481 
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過(guò)可靠性驗(yàn)證！這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)實(shí)力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592248 NAND閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)分析： 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：以電信號(hào)形式長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)不丟失。 快速讀寫(xiě)：支持
2025-08-11 10:43:441645 SiC功率模塊BMF240R12E2G3和BMF008MR12E2G3在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中對(duì)抗電網(wǎng)浪涌的核心優(yōu)勢(shì)
2025-07-23 18:07:57798 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LC87F0K08A 8位微控制器8K字節(jié)閃存ROM/384字節(jié)RAM規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-07-17 15:33:20
0 功能狀態(tài)機(jī)中實(shí)現(xiàn)，因此無(wú)需編碼。算法配置存儲(chǔ)在非易失性電子擦除可編程只讀存儲(chǔ)器中，當(dāng)配置驅(qū)動(dòng)器后，驅(qū)動(dòng)器即可在獨(dú)立模式下工作。該驅(qū)動(dòng)器集成了三個(gè)半橋，具有40V絕對(duì)最大能力和240mΩ/250mΩ/265mΩ的低R ~DS(ON)~ （高側(cè)+低側(cè)FET）。
2025-07-11 10:34:32674 
探索eSUN易生3D打印材料如何助力教育創(chuàng)新，支持智能頭盔設(shè)計(jì)、建筑模型驗(yàn)證及學(xué)生實(shí)踐項(xiàng)目，推動(dòng)跨學(xué)科學(xué)習(xí)與快速原型開(kāi)發(fā)。
2025-07-08 11:38:32786 
Holtek 針對(duì)USB應(yīng)用推出HT82B45R低速USB OTP MCU，符合USB 2.0低速規(guī)范，支持鍵盤用的高阻抗碳膜技術(shù)(Carbon Membrane)。HT82B45R結(jié)合低功耗
2025-07-01 10:21:011186 。 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲(chǔ)和非易失性(Non-Volatile)存儲(chǔ)。利基型DRAM屬于易失性存儲(chǔ)，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
/FeRAM (阻變/鐵電) 等，目標(biāo)是結(jié)合DRAM的速度和Flash的非易失性（存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存），部分已在特定領(lǐng)域應(yīng)用（如MRAM做緩存），是未來(lái)重要方向。
CXL：一種新的高速互連協(xié)議，旨在更高效地連接
2025-06-24 09:09:39
國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲(chǔ)NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域取得的一項(xiàng)重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)，為客戶定制開(kāi)發(fā)的EEPROM IP，已順利通過(guò)客戶全流程的PVT測(cè)試
2025-06-12 17:42:071063 DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有通過(guò)I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來(lái)控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開(kāi)關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41749 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2025-05-26 09:50:50683 
深圳市易飛揚(yáng)通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新非相干與相干DWDM解決方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展會(huì)（5月27-29日，展位號(hào)3E2-5），展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長(zhǎng)距離光傳輸領(lǐng)域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04630 
：高端配置：采用高性能嵌入式單片機(jī)( 集成DSP 指令) ，總線不出芯片的設(shè)計(jì)方案；大容量高速非易失存儲(chǔ)芯片除具備備自投功能外，兼顧分段保護(hù)、進(jìn)線線路保護(hù)，配置齊
2025-05-14 15:27:40
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
PTH08T240/241W 是一款高性能 10A 額定電流的非隔離式電源模塊。這些模塊是廣受歡迎的 PTH 系列電源模塊的第 2 代，包括更小的占用空間和額外的功能。PTH08T241W 經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可與所有陶瓷電容器配合使用。
2025-04-22 16:57:18659 
PTD08D210W 是一款高性能雙通道 10A 輸出、非隔離數(shù)字 PowerTrain? 模塊。該模塊是數(shù)字 采用 TI UCD7242 MOSFET/驅(qū)動(dòng)器 IC 的電源系統(tǒng)
2025-04-22 13:41:59700 
設(shè)計(jì)，使其成為軍事電子戰(zhàn)/電子對(duì)抗系統(tǒng)及高精度測(cè)試設(shè)備的理想解決方案。HMC547ALC3采用-5V/0V互補(bǔ)負(fù)邏輯控制電壓方案，無(wú)需外部偏置電源即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定工作，有效簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度。特征高隔離度
2025-04-11 10:09:59
芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號(hào)。在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735 
，又可再對(duì)它寫(xiě)入，為可讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器， 或隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。? 易失性
p 若存儲(chǔ)器在斷電之后，仍能保存其中的內(nèi)容，則稱為非易失性存儲(chǔ)器；否則，為易失性存儲(chǔ)器；
p 只讀存儲(chǔ)器（ROM）是非易失性的，隨機(jī)
2025-03-26 11:12:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)KW3-24D24E3R3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有KW3-24D24E3R3的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，KW3-24D24E3R3真值表，KW3-24D24E3R3管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-20 18:33:20
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)KW1-24D15E3R3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有KW1-24D15E3R3的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，KW1-24D15E3R3真值表，KW1-24D15E3R3管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-20 18:31:55
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)NN2-24D15H6R3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有NN2-24D15H6R3的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，NN2-24D15H6R3真值表，NN2-24D15H6R3管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-19 18:49:22
SuperViewW光學(xué)3D表面形貌特征輪廓儀基于白光干涉原理，以3D非接觸方式，測(cè)量分析樣品表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸。它是以白光干涉技術(shù)為原理、結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等對(duì)器件表面進(jìn)行
2025-03-19 17:39:55
非易失存儲(chǔ)：斷電后數(shù)據(jù)不丟失 可重復(fù)編程：支持擦寫(xiě)操作（需先擦除后寫(xiě)入） 二進(jìn)制操作：擦除后全為 1，寫(xiě)操作將 1 變?yōu)?0 核心差異 一、物理結(jié)構(gòu)對(duì)比 NOR 特性 獨(dú)立存儲(chǔ)單元并聯(lián)架構(gòu) 支持隨機(jī)
2025-03-18 12:06:501167 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SZ453G-SZ45D0表面貼裝硅齊納二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-13 15:36:380 LP2801A/B/C/D/E 非隔離電源芯片方案--深圳市三佛科技有限公司
LP2801輸出電壓可調(diào)3.3V～24V,輸出電流100mA～400mA。產(chǎn)品普遍運(yùn)用在小家電，白色家電等開(kāi)放式電源
2025-03-13 09:46:34
NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中，具有高速讀寫(xiě)和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145322 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，萊迪思宣布在FPGA設(shè)計(jì)上前瞻性的布局，使其能夠結(jié)合MRAM技術(shù)，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用
2025-03-08 00:10:001803 特性低成本、低功耗的復(fù)雜可編程邏輯器件（CPLD）即時(shí)啟動(dòng)，非易失性架構(gòu)待機(jī)電流低至 2 毫安提供快速的傳播延遲和時(shí)鐘到輸出時(shí)間提供四個(gè)全局時(shí)鐘，每個(gè)邏輯陣列塊（LAB）有兩個(gè)時(shí)鐘可用高達(dá) 8 千
2025-03-07 15:19:03
國(guó)芯思辰| 替代ADC08D1000，模數(shù)轉(zhuǎn)換器SC1281在通信系統(tǒng)中的應(yīng)用
2025-03-07 10:00:17810 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫(xiě)保護(hù)。當(dāng)電源開(kāi)始出現(xiàn)故障時(shí)，RAM受到寫(xiě)保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能輸出會(huì)被
2025-02-28 10:00:43986 
帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17807 
帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45745 
DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問(wèn)都通過(guò)字節(jié)寬接口實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54821 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09951 
Cool MOS LC65R1K0D以其zhuoyue的性能和可靠性，成為電源設(shè)計(jì)和工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。無(wú)論是開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)還是LED照明，這款MOSFET都能為您提供高效的解決方案。立即選購(gòu)，體驗(yàn)廣東佳訊電子帶來(lái)的高品質(zhì)產(chǎn)品！
2025-02-21 16:21:58954 可達(dá)90 MB/s?STR和DTR支持的協(xié)議——擴(kuò)展I/O協(xié)議——雙I/O協(xié)議——四I/O協(xié)議?就地執(zhí)行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設(shè)置?軟
2025-02-19 16:15:14
標(biāo)準(zhǔn)，充分展現(xiàn)了其在汽車領(lǐng)域的卓越性能和可靠性。 ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)是針對(duì)道路車輛功能安全的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，而ASIL-D則是該標(biāo)準(zhǔn)中的最高安全完整性等級(jí)。Andes D45-SE處理器能夠獲得
2025-02-14 14:52:441063 我們很高興宣布，Andes 晶心的 D45-SE 處理器 已經(jīng)獲得 ISO 26262 ASIL-D 認(rèn)證，由 SGS TüV 頒發(fā)，這意味著我們的處理器達(dá)到了汽車業(yè)界對(duì)于關(guān)鍵安全系統(tǒng)的最高標(biāo)準(zhǔn)!
2025-02-14 13:44:36910 滾柱直線導(dǎo)軌：如 MONORAIL MR 系列，適用于重載和高速運(yùn)動(dòng)場(chǎng)合，承載能力和穩(wěn)定性較高，規(guī)格有 MR25、MR35、MR45、MR55、MR65、MR100 等。導(dǎo)軌和滑塊的尺寸精度和幾何
2025-02-11 16:53:25
非鐵電材料作為介電質(zhì)，介電常數(shù)較低，但溫度穩(wěn)定性極佳。 2. 溫度特性: X7R:?溫度系數(shù)為±15%，即在-55℃到+125℃的工作溫度范圍內(nèi)，其電容值變化不超過(guò)±15%。 C0G (NP0
2025-02-10 14:50:022333 
ADS131E08EVM是否可以不連接MMB0來(lái)單獨(dú)使用?
我現(xiàn)在測(cè)試單獨(dú)使用ADS131E08EVM由外部MSP430的SPI去讀取ID皆沒(méi)有讀取到任何數(shù)值。
Board Power
2025-02-10 07:30:05
SI8932D-IS4R 產(chǎn)品概述SI8932D-IS4R是一款高性能的隔離型數(shù)字信號(hào)調(diào)理器，專為工業(yè)自動(dòng)化、智能電網(wǎng)和其他要求高可靠性的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品提供出色的信號(hào)隔離能力和高精度的信號(hào)處理
2025-02-08 23:14:19
如題，ADC08D1520QML的采樣率為最高3GSPS。那如果我要采集的信號(hào)的頻率是1GHZ的，采集效果會(huì)如何呢？
2025-02-06 06:51:31
電平也基本上是這個(gè)范圍，這樣一來(lái)，豈不是難有器件能夠滿足這款A(yù)DC的控制引腳電平要求了？另外上圖中的(9)中說(shuō)這個(gè)參數(shù)并未在產(chǎn)品中經(jīng)過(guò)測(cè)試，我們不明白這意味著什么？
(2)ADC08D500中提到兩個(gè)地(應(yīng)該是數(shù)字地和模擬地)之間的壓差最好為0V，不知這是否意味著需要把兩個(gè)地直接相連？
2025-01-24 08:08:55
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬(wàn)用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論