在需要高速數據讀寫與高可靠性的現代電子系統中，傳統存儲技術往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨特的磁阻存儲技術，為工業控制、汽車電子和物聯網設備提供了理想的存儲解決方案。這款256Kb容量、SPI接口的非易失性存儲器，正在重新定義嵌入式存儲的性能標準。

1、Everspin 256Kb串行SPI接口MRAM芯片MR25H256概述
MR25H256/MR25H256A是一款基于串行外設接口(SPI)總線的磁阻隨機存儲器。芯片采用標準的四線制通信接口，包含片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)引腳，確保與現有SPI生態系統的完全兼容。這種設計使得MR25H256能夠直接替代系統中傳統的SPI EEPROM和Flash存儲器，無需改動硬件設計即可實現性能的顯著提升。

串行SPI接口MRAM芯片支持多設備并聯架構，系統中的多個MRAM器件可以共享SCK、SO和SI信號線，僅需通過獨立的CS和HOLD引腳進行設備選擇與控制。這種靈活的拓撲結構為復雜系統設計提供了便利，同時保持了布線的簡潔性。

2、Everspin串行SPI接口MRAM芯片MR25H256性能
MR25H256 MRAM芯片在關鍵性能參數上展現出卓越特性。其40MHz的讀寫速度遠超傳統EEPROM，實現了無延遲的即時寫入操作，徹底消除了傳統非易失性存儲器所需的寫等待時間。這一特性在需要快速數據記錄的實時系統中具有重要價值。

在耐久性方面，串行SPI接口MRAM芯片MR25H256提供了無限的讀寫周期，完全消除了傳統Flash存儲器因寫入次數限制而導致的產品壽命問題。數據保持能力同樣出色，在斷電情況下可確保數據安全保存超過20年，為關鍵數據提供了可靠保障。

能效表現是MR25H256的另一大亮點。芯片工作電壓范圍為2.7V至3.6V，在低功耗睡眠模式下電流消耗極低，特別適合電池供電的便攜式設備和對功耗敏感的嵌入式應用。

串行SPI接口MRAM芯片內置的塊寫保護機制為存儲數據提供了額外的安全屏障，防止意外寫入導致的數據損壞。同時，電源監控電路能夠在檢測到供電異常時自動啟用數據保護，確保關鍵信息在突發斷電情況下的完整性。

在封裝方面，串行SPI接口MRAM芯片MR25H256提供8-DFN和8-DFN小型標志兩種符合RoHS標準的封裝形式，濕度敏感等級為MSL-3，便于集成到各種空間受限的電路設計中。

3、Everspin串行SPI接口MRAM芯片MR25H256特征
①無寫入延遲
②無限制的寫入耐久性
③數據保留時間超過20年
④斷電時自動數據保護
⑤塊寫保護
⑥快速、簡單的SPI接口，時鐘速率高達40 MHz
⑦2.7至3.6伏電源范圍
⑧低電流睡眠模式
⑨工業和汽車1級和3級溫度
⑩提供8-DFN或8-DFN小型標志封裝，符合RoHS標準
?直接替代串行EEPROM、Flash、FeRAM
?工業級和AEC-Q100 1級和3級選項
?濕度敏感性MSL-3

作為Everspin的一級代理商，英尚微電子不僅提供豐富的串行MRAM芯片系列產品，更具備專業的技術支持團隊，能夠為客戶提供從選型到設計的全方位服務。我們深刻理解設計工程師在性能、功耗與安全性方面的多元需求，致力于為客戶提供最具性價比的ST微控制器解決方案。如果您有產品方面的需求，歡迎您隨時致電。

審核編輯 黃宇