英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統SRAM、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲器件，專為應對工業物聯網、嵌入式系統及高性能存儲應用的嚴苛需求而設計。旨在通過其高性能、高可靠性及廣泛的適用性，為下一代存儲架構提供支撐。

高速接口與卓越性能
①該系列MRAM存儲芯片支持多路I/O及全SPI兼容性，時鐘頻率最高達200 MHz。
②MRAM存儲芯片通過8個I/O信號實現高達400MB/s的讀寫速度，具備真正的字節尋址能力與極低延遲。
③采用1.8V單電源供電，在保持低引腳數的基礎上實現高帶寬數據傳輸。

工業級耐用性與系統可靠性
①MRAM存儲芯片在不依賴超級電容或電池的情況下，提供瞬時斷電數據保護，大幅提升系統在數據持久性要求極高場景中的可靠性。
②MRAM存儲芯片具備極高耐用性，可應對頻繁寫入與高負載存儲任務，簡化系統設計復雜度，延長設備使用壽命。

廣泛適用性與替代優勢
①工業自動化與過程控制
②汽車與交通電子系統
③模擬仿真與交互游戲
④各類工業物聯網（IIoT）設備及嵌入式系統

Everspin xSPI MRAM存儲芯片不僅延續了MRAM技術的非易失、低延遲和高耐用特性，更借助標準化串行接口，打開了向工業物聯網和嵌入式系統的應用。如需了解更多，請搜索英尚微。

審核編輯 黃宇