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電子發燒友網>今日頭條>什么是功率半導體器件,功率半導體器件的功能是什么

什么是功率半導體器件,功率半導體器件的功能是什么

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2025-04-21 11:57:13787

瑞能半導體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展

日前,瑞能半導體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了在碳化硅、IGBT、MOSFET等領域的最新突破成果。本次展會
2025-04-17 19:38:50938

會展動態|TMC2025車規級功率半導體論壇「初步日程+展覽」首發

將聚焦車規級功率半導體前沿技術,匯聚全球頂尖企業與行業領袖。兩天議程覆蓋四大核心板塊: >第三、四代車規級功率半導體全球發展趨勢 >主驅功率半導體應用需求 >SiC/GaN模塊封裝技術革命 >SiC器件創新設計與制造創新 比亞迪、吉利、匯川、舍弗勒、采埃孚、
2025-04-17 13:50:46826

功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件,具有結構簡單、容量大、損耗低等優點,被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將MOSFET的高效和快速開關能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298

最全最詳盡的半導體制造技術資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

。 第1章 半導體產業介紹 第2章 半導體材料特性 第3章 器件技術 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導體制造中的化學品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學和缺陷檢查 第8章 工藝腔內的氣體控制
2025-04-15 13:52:11

碳化硅功率器件的種類和優勢

在現代電子技術飛速發展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應用領域以及未來發展趨勢。
2025-04-09 18:02:041275

功率半導體國產化先鋒:長晶科技的創新與崛起

場浪潮中,長晶科技憑借其在功率半導體領域的技術突破與全產業鏈布局,成為國產化進程中的標桿企業。 技術創新:突破高端功率器件壁壘 長晶科技聚焦功率半導體核心器件,在MOSFET和IGBT兩大領域取得顯著成果。在消費電子領域
2025-04-09 17:25:321180

功率半導體與集成技術:開啟能源與智能新紀元

本文深入探討了功率半導體器件功率集成技術的發展現狀,分析了其面臨的挑戰與機遇,并對未來發展趨勢進行了展望。功率半導體器件作為電能轉換與電路控制的核心,在新能源、工業控制、消費電子等領域發揮
2025-04-09 13:35:401445

先進碳化硅功率半導體封裝:技術突破與行業變革

本文聚焦于先進碳化硅(SiC)功率半導體封裝技術,闡述其基本概念、關鍵技術、面臨挑戰及未來發展趨勢。碳化硅功率半導體憑借低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性,在移動應用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:331493

碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導體之王?

半導體技術的不斷演進中,功率半導體器件作為電力電子系統的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當前市場上
2025-04-02 10:59:415532

東芝功率半導體后道生產新廠房竣工

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導體工廠的車載功率半導體后道生產新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產能將比2022財年的水平增加一倍以上,并將于2025財年上半年開始全面生產。
2025-03-13 18:08:161279

GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案

GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案
2025-03-13 18:06:0046942

全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經歷從傳統的硅基功率器件持續躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動國產
2025-03-13 00:27:37767

AEC-Q102:汽車電子分立光電半導體器件的測試標準

AEC-Q102是汽車電子領域針對分立光電半導體器件的應力測試標準,由汽車電子委員會(AEC)制定。該標準于2017年3月首次發布,隨后在2020年4月更新為AEC-Q102REVA版本,成為目前
2025-03-07 15:35:151610

2025年功率半導體的五大發展趨勢

2025 功率半導體的五大發展趨勢:功率半導體在AI數據中心應用的增長,SiC在非汽車領域應用的增長,GaN導入到快速充電器之外的應用領域, 中國功率半導體生態系統的壯大以及晶圓尺寸的顯著升級。
2025-03-04 09:33:412258

華大半導體與湖南大學成功舉辦SiC功率半導體技術研討會

近日,華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術研討會,共同探討SiC功率半導體在設計、制造、材料等領域的最新進展及挑戰。
2025-02-28 17:33:531172

納微半導體將于下月發布全新功率轉換技術

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發布全新的功率轉換技術,將觸發多個行業領域的顛覆性變革。該創新涵蓋半導體與系統級解決方案,預計將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術對傳統硅基器件的替代進程。
2025-02-21 16:41:10867

走進半導體塑封世界:探索工藝奧秘

半導體塑封工藝是半導體產業中不可或缺的一環,它通過將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中,實現對半導體器件的保護、固定、連接和散熱等功能。隨著半導體技術的不斷發展,塑封工藝也在不斷演進,以適應更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412565

第三代半導體器件封裝:挑戰與機遇并存

一、引言隨著科技的不斷發展,功率半導體器件在電力電子系統、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:301611

功率半導體展 聚焦 APSME 2025,共探功率半導體發展新征程

2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館舉辦;展會將匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場,打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺,集中展示半導體器件功率模塊、第三代半導體、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品
2025-02-13 11:49:01742

中國成功在太空驗證第三代半導體材料功率器件

近日,中國在太空成功驗證了首款國產碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進展標志著第三代半導體材料有望牽引中國航天電源系統升級換代,為中國航天事業以及相關制造業的轉型升級注入強大動力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061341

半導體常用器件

半導體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:210

濕度大揭秘!如何影響功率半導體器件芯片焊料熱阻?

近年來,隨著電力電子技術的快速發展,功率半導體器件在風力發電、光伏發電、電動汽車等戶外工況中的應用日益廣泛。然而,這些戶外環境往往伴隨著較高的濕度,這對功率半導體器件的運行可靠性構成了嚴峻挑戰
2025-02-07 11:32:251527

意法半導體新能源功率器件解決方案

在《意法半導體新能源功率解決方案:從產品到應用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關領域的應用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640

功率半導體的成長之路

在日常生活中,我們對手機、電腦、電視等電子設備習以為常,享受著它們帶來的便利與娛樂。但你是否想過,這些設備正常運行的背后,是什么在默默發揮關鍵作用?答案就是功率半導體器件。雖然它不像處理器、顯示屏那樣被大眾熟知,卻如同電子設備的 “心臟”,掌控著電能的轉換與電路的控制 ,是電子設備穩定運行的核心。
2025-02-06 15:28:241369

功率器件熱設計基礎知識

功率器件熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎。掌握功率半導體的熱設計基礎知識,不僅有助于提高功率器件的利用率和系統可靠性,還能有效降低系統成本。本文將從熱設計的基本概念、散熱形式、熱阻與導熱系數、功率模塊的結構和熱阻分析等方面,對功率器件熱設計基礎知識進行詳細講解。
2025-02-03 14:17:001354

使用 SiC 功率半導體提升高性能開關轉換器的效率

作者: Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產品成本并提高效率。然而,有些設計人員可能仍然認為 SiC 半導體相當昂貴且難以控制
2025-01-26 22:10:001253

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導體

電子發燒友網站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導體.pdf》資料免費下載
2025-01-24 13:50:270

碳化硅在半導體中的作用

電導率、高熱導率、高抗輻射能力、高擊穿電場和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環境,同時保持較高的電學性能。 二、碳化硅在半導體器件中的應用 功率器件 : 碳化硅功率器件
2025-01-23 17:09:352664

TOLL封裝功率器件的優勢

隨著半導體功率器件的使用環境和性能要求越來越高,器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問題導致的失效占了總失效的一半以上,而通過封裝技術升級,是提高器件散熱能力的有效途徑之一。
2025-01-23 11:13:441955

功率半導體器件的雙脈沖測試方案

我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內的器件,這相當于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務的高電壓、高電流和快速開關系統的性質帶來了許多在普通5V或12V系統中不會出現的挑戰。
2025-01-22 17:30:263078

功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息

/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件
2025-01-20 17:33:501975

瑤華半導體:引領大功率射頻封測技術,助力5G與能源應用

無線通信的有效傳輸。作為大功率射頻功放器件封測的領先企業, 瑤華半導體 憑借強大的技術實力與創新能力,已在行業中獲得廣泛認可,成為通信與能源應用領域的重要合作伙伴。 01 關于瑤華半導體 瑤華半導體專注于LDMOS、GaN等大功率射頻空腔器件以及IGBT、
2025-01-14 09:22:181813

功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件
2025-01-13 17:36:111819

炬光科技發布LCS系列高功率半導體激光器

近日,全球領先的高功率半導體激光元器件及原材料、激光光學元器件、光子技術應用解決方案供應商炬光科技,正式發布了LCS系列980/1470nm高功率低熱阻低Smile傳導冷卻半導體激光器。 這款LCS
2025-01-09 17:07:531225

銀燒結技術助力功率半導體器件邁向高效率時代

隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領域的蓬勃發展,功率半導體器件作為其核心組件,正面臨著前所未有的挑戰與機遇。在這些領域中,功率半導體器件不僅需要有更高的效率和可靠性,還要滿足壽命長、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件功率端子

/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件
2025-01-06 17:05:481328

半導體在熱測試中遇到的問題

半導體器件的實際部署中,它們會因功率耗散及周圍環境溫度而發熱,過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因此,熱測試對于驗證半導體組件的性能及評估其可靠性至關重要。然而,半導體熱測試過程中常面臨諸多挑戰
2025-01-06 11:44:391580

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