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電子發燒友網>今日頭條>隨著GaN技術的成熟,GaN市場發展將迎來黃金期

隨著GaN技術的成熟,GaN市場發展將迎來黃金期

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2025-03-31 14:35:19

Nexperia擴展E-mode GaN FET產品組合

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個
2025-03-19 17:16:291165

突破雷達性能極限:GaN 功率放大器解決方案助力遠程探測

您是否在為遠程雷達系統的信號衰減、熱管理和功率穩定性難題而困擾?Analog Devices 最新推出的 S 波段 GaN 功率放大器技術白皮書 ,為您提供系統性解決方案,助您實現更遠探測距離與更高
2025-03-18 15:36:531178

GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案

GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案
2025-03-13 18:06:0046941

氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054784

GaN E-HEMTs的PCB布局經驗總結

GaN E-HEMTs的PCB布局經驗總結
2025-03-13 15:52:351146

基于LTSpice的GaN開關損耗的仿真

基于LTSpice的GaN開關損耗的仿真
2025-03-13 15:44:492318

GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發。本文檔首先介紹該模型,然后提供
2025-03-11 17:43:112141

CGD 官宣突破100kW以上技術,推動GaN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場

技術滿足100kW 以上的電動汽車動力系統應用,該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組合在同一個模塊或集成功率管
2025-03-11 09:47:45733

SiC與GaN技術專利競爭:新興電力電子領域的創新機遇

在過去十年中,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業。這些寬禁帶材料提供了諸多優勢,如降低功率損耗、更高的開關速度以及能夠在高溫下工作,使其特別適用于電動汽車(EV
2025-03-07 11:10:29953

高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費下載

高速GaN E-HEMT的測量技巧總結 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關速度,因此準確的測量技術對評估其性能至關重要。 ? 內容概覽
2025-02-27 18:06:411061

GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

硅基半導體經過多年發展,其性能逐漸接近極限,在進一步降本增效的背景下,第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48903

氮化鎵(GaN)充電頭安規問題及解決方案

器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現突破,成為快充技術的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:334530

產品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級

LMG5200器件是一個 80V、10A 驅動器和 GaN 半橋功率級,使用增強型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80V GaN FET 組成,由一個采用半橋配置
2025-02-26 14:11:121051

使用集成GaN技術實現小尺寸ACDC適配器應用資料

隨著快速充電系統的趨勢和不斷增長的電力需求,迫切需要創建占地面積小、方便、便攜的設計。小型化、高功率密度的電源設計在消費類AC/DC市場中占據了迫在眉睫的份額,重點是高效可靠的能量轉換。本應用說明討論了如何考慮兩個關鍵點(管理熱量和使用集成GaN技術提高開關頻率),以創建可靠、功率密集的設計。
2025-02-25 10:06:31726

技術文檔:LMG3616 具有集成驅動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET

LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 10:43:28987

技術資料#LMG3612 具有集成驅動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET

LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 10:21:011089

技術文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和電流感應

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 09:18:47923

LMG3614 具有集成驅動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-21 14:37:23727

CERNEX窄帶高功率放大器(GaN

CERNEX窄帶高功率放大器(GaN) CERNEX推出的CNP GaN系列窄帶高功率放大器專為多種通用應用場景而設計,涵蓋實驗室測試設備、儀器儀表及高功率輸出需求的其他領域。CNP GaN系列窄帶
2025-02-21 10:39:06

TIDA-010933 基于GaN的 1.6kW 雙向微型逆變器參考設計

此參考設計展示了一款具有儲能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器。
2025-02-21 10:11:571227

聞泰科技榮獲GaN年度優秀產品獎

產品獎」。這一殊榮不僅彰顯了聞泰科技在半導體技術領域的深厚實力,更是對其在第三代半導體領域持續深耕細作、不斷追求技術創新的肯定。 CCPAK封裝GaN FET是聞泰科技針對工業和可再生能源應用精心研發的一款領先產品。該產品憑借其出色的性能、穩定
2025-02-17 13:32:50736

目前GaN正逐漸廣泛應用的四個主要中電壓領域

作用。 *附件:中電壓氮化鎵(GaN)在四種應用領域的優勢.pdf 背景 :隨著技術發展,電力需求攀升,設計人員面臨提升設計效率、在相同體積下提供更多電力的挑戰。GaN 因具有增加功率密度和提升效率兩大優勢,在高電壓電源設計中得到應用,新的中電壓(80V - 200V)GaN 解決方案也逐漸受到歡迎
2025-02-14 14:12:441222

GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規格書

電子發燒友網站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 16:10:220

GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規格書

電子發燒友網站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:24:192

GaN技術:顛覆傳統硅基,引領科技新紀元

在開關模式電源中使用 GaN 開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況,提到了所面臨的挑戰,并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關模式電源
2025-02-11 13:44:551177

聞泰科技深耕氮化鎵推動產業升級

隨著人工智能、數據中心、汽車電子等應用領域的快速發展,第三代半導體——氮化鎵(GaN)正迎來前所未有的發展機遇。聞泰科技已布局GaN領域多年,憑借卓越的創新能力不斷推動產業鏈發展,創造新的價值增量。
2025-02-10 17:15:041127

電動汽車的SiC演變和GaN革命

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2025-01-24 14:03:073

變速電機驅動器受益于集成GaN

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2025-01-24 13:51:210

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導體

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2025-01-24 13:50:270

利用GaN HEMTs降低電機驅動應用的系統成本

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2025-01-23 08:30:370

解析GaN器件金剛石近結散熱技術:鍵合、生長、鈍化生長

在追求更高功率密度和更優性能的電子器件領域,GaN(氮化鎵)器件因其卓越的性能而備受矚目。然而,隨著功率密度的不斷提升,器件內部的熱積累問題日益嚴重,成為制約其發展的主要瓶頸。 為了應對這一挑戰
2025-01-16 11:41:411729

垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術

垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中,我們總結一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228

氮化鎵充電器和普通充電器有啥區別?

直接導致了消費級GaN充電器價格偏高,目前市面上的氮化鎵充電器基本上是一百多塊。不過隨著越來越多廠商參與進來,相信技術會越來越成熟,成本下降只是時間問題。 在充電協議上,GaN 充電頭目前以PD協議
2025-01-15 16:41:14

遠山半導體1700V GaN器件的特性測試方案

遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題,他們采用特有的極化超級結
2025-01-14 09:42:281899

CERNEX寬帶高功率放大器(GaN

CERNEX寬帶高功率放大器(GaN)CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各種類型通用性技術應用,如實驗測試設備、儀表設備和其他需要高功率輸出的應用。使用穩固的帶狀線邏輯電路和指定的GaN
2025-01-08 09:31:22

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