如何盡可能高效地利用太陽能，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。

GaN 正在快速取代硅(Si) 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系統，它不僅能提高光伏系統的性能，也能提升整個系統的效率，此外，在保證縮小系統尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。隨著功率需求的不斷增加，采用 GaN 器件可以提高電源轉換系統的性能、節約成本和縮小尺寸。

采用 TOLL 封裝的 GaN 器件非常適合應用于光伏系統中。

作為無引線封裝，TOLL 封裝的寄生電感非常低，因而開關速度更快(減少開關損耗)、壓擺率更高并且電磁干擾更低。

將 GaN FET 與驅動器集成在一起，可進一步提高效率和降低成本，有助于減少柵極電感環路數量，并在功率級中嵌入過流和過熱保護功能。

通過集成可以更好地利用 TOLL 封裝的優勢，從而進一步降低寄生效應和系統成本。

這樣的特性適用于對效率、尺寸和成本有不同層面需求的太陽能微型逆變器、串式逆變器和儲能系統設計。

GaN 技術的快速發展正在不斷改變電源系統，利用其優勢開發出更高效且可靠的解決方案。