LMG3410R070RWHR 高性能 GaN 功率器件

產品型號：LMG3410R070RWHR

產品品牌：TI/德州儀器

產品封裝：VQFN32

產品功能： 高性能 GaN 功率器件

LMG3410R070RWHR特征

●高性能 GaN 技術：具有超低輸入和輸出電容，零反向恢復特性，可將開關損耗降低約 80%，同時低開關節點振鈴可降低 EMI。

●可調節驅動強度：通過 RDRV 引腳連接電阻可調節驅動強度，從而控制壓擺率，確保開關性能和 EMI 控制，壓擺率可在 25 到 100V/ns 之間調節。

●高可靠性：工藝經過調整的柵極偏置電壓確保了器件的可靠性，且無需外部保護組件，簡化了設計。

LMG3410R070RWHR說明

LMG3410R070RWHR 是一款 600V 的 GaN 功率級器件，集成了驅動器和保護功能，其固有優勢超越硅 MOSFET，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率，為傳統的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供了智能替代方案。

LMG3410R070RWHR應用場景

●高密度電源：適用于工業級和消費級電源，如服務器電源、電信整流器等，可實現高效率和高功率密度。

●多電平轉換器：有助于實現諸如圖騰柱 PFC 之類的高效拓撲結構。

●太陽能逆變器：能滿足太陽能發電系統中對功率轉換效率和可靠性的要求。

●工業電機驅動：可用于驅動工業電機，提高系統的性能和效率。

●不間斷電源：在不間斷電源系統中，能確保電源的穩定轉換和可靠運行。

●高電壓電池充電器：適用于高電壓電池的充電場景，可提高充電效率和安全性。