GaN功率器件因為其高工作頻率和高轉化效率的優勢，逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強型GaN功率器件的驅動電壓一般在5~7V，驅動窗口相較于傳統Si MOSFET較小。若采用傳統MOSFET驅動器來驅動GaN器件，需要增加額外的外圍R/C元件（如下圖所示），造成一定的驅動復雜度以及可靠度問題。另一種解決方案——限制驅動器的供電電壓在6V附近，又要額外引入穩壓電路，給電源設計工作者造成諸多不便。

針對以上問題，云鎵半導體推出GaN專用驅動解決方案，產品系列包含：單通道柵極驅動器、“Driver+ LS”單邊合封、“Driver + Half-bridge”半橋合封產品。

極簡驅動方案，靈活你的設計

以CGC02201為例說明，其是一款針對GaN HEMT的單通道Low-Side柵極驅動器，拉電流能力強，峰值拉電流可達4 A，最大工作頻率可達到2 MHz，能支持-40℃~125℃工業工作環境。適合Flyback，Boost-PFC，Totem-pole PFC和LLC等電路拓撲，應用場景可以覆蓋適配器、TV電源、LED驅動、數據中心等應用。如下為典型應用電路：

產品主要特點：

寬供電電壓范圍VCC

為使驅動器的輸出驅動電平不受供電電壓影響，CGC02201內部集成線性穩壓器，其供電電壓VCC最高可達18V，內置的穩壓電路可提供穩定的6V末級供電，確保GaN器件的柵極能穩定接受幅值6V的驅動信號，大大簡化了供電電路的設計。

寬PWM輸入幅度

CGC02201輸入PWM信號幅值最高可達到18V，可以完全兼容傳統的硅基功率器件的控制器，為電源工程師提供了極大的便捷。

獨立的SGND與PGND設計

CGC02201采用獨立的SGND和PGND設計，通過將PGND和SGND分開來實現輸出和輸入之間的信號隔離，提升系統可靠度。

獨立的柵極開啟與關斷回路設計

采用獨立的OUT+和OUT-設計，通過分開柵極開啟與關斷回路實現獨立可調的開啟和關斷速度。

靈活可調dV/dt

通過調整外接Rg的阻值大小，可以靈活調整器件的turn-on 和turn-offslew rate，給電源工程師足夠多的EMI調整空間。