非易失性MRAM誕生過程

MRAM技術是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結 (MTJ)儲存單元為基礎，MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。此一磁阻效應可使MRAM不需改變內存狀態，便能快速讀取數據。在MRAM存儲器中有一個富含創造性的設計，這也是EVERSPIN的專利。
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在MRAM的誕生過程中，設計的難點和關鍵節點，在于一個小電流通過“自由層”，并使之翻轉，與固定層的極化方向相反或者相同。但是MRAM操作窗口特別小，即使很小的電流擾動也會造成錯誤。為此MARM的產品化道路一度陷入低迷。
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在2004初一個俄裔的工程師公布他提出的新的MRAM結構和寫入方法(TOGGLE MRAM)，人們才重新燃起了對MRAM的希望。SONY 和 MOTORALA 馬上拿出了第一手的實驗數據. 實驗證明TOGGLE MRAM具有相當大的操作窗口。另一個重大突破是2004年末IBM 和日本一家公司同時宣布拿到了300%的MTJ信號。2004年在業界是非常激動人心的時刻，這一系列的突破暗示著MRAM的曙光就在眼前。
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現在MRAM有很多優異的指標，但是并非完美。它的存儲密度和容量決定了它尚不能更大范圍的替代其他存儲器產品。但是根據摩爾定律，芯片尺寸會越來越小，這也是為什么很多人都認為DRAM快走到了它生命周期的盡頭。PCM存儲器的存儲密度遠遠高于MRAM和DRAM。在未來的五年里，它將是MRAM有力的競爭對手。MRAM想在未來新存儲的世界里稱王稱霸，還是需要一番突圍的。

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中圖儀器CEM3000簡單易操作超高分辨率掃描電鏡高易用性快速成像、一鍵成片，無需過多人工調節。超高分辨率優于4nm(SE)，優于8nm(BSE)@20kV，超大景深毫米級別景深，具有高空間分辨率

2025-04-10 10:11:16

昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導體的非易失性閃存ZB25VQ16CS

芯片燒錄領導者昂科技術近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設備

2025-04-09 15:22:11

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飛易通攜<飛易云>系統助力物聯網新變革！

一、什么是飛易云平臺飛易云平臺是一個基于物聯網技術的云平臺,經過軟硬件結合，用戶可以通過平臺進行設備定位管理、數據傳輸，商品廣告展示等可視化操作。它的優勢為平臺操作簡單，能夠提高效率，節約

2025-03-28 15:28:37

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嵌入式硬件基礎知識匯總（附帶與硬件密切相關的軟件介紹）

，又可再對它寫入，為可讀/寫存儲器，或隨機訪問存儲器。? 易失性 p 若存儲器在斷電之后，仍能保存其中的內容，則稱為非易失性存儲器；否則，為易失性存儲器； p 只讀存儲器（ROM）是非易失性的，隨機

2025-03-26 11:12:24

存儲技術探秘 NAND Flash vs NOR Flash：藏在芯片里的"門道之爭"

非易失存儲：斷電后數據不丟失可重復編程：支持擦寫操作（需先擦除后寫入）二進制操作：擦除后全為 1，寫操作將 1 變為 0 核心差異一、物理結構對比 NOR 特性獨立存儲單元并聯架構支持隨機

2025-03-18 12:06:50

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磁性近程傳感器保證非接觸式定位和近程檢測的靈活性和可靠性

保證非接觸式定位? 和近程檢測的靈活性和可靠性 ? 磁性近程傳感器為多種應用中的非接觸式定位和近程檢測提供了可靠而靈活的可選方案。這類傳感器能夠通過多種非磁性表面可靠地檢測磁場。磁性近程傳感器

2025-03-17 11:53:24

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磁場開關誤跳造成發電機失磁跳機事故分析

角形接線接入系統。2臺機組分別于2006年1,3月投入系統運行。投運后不久，31號機組發生了一起因施工質量和施工工藝問題引起的磁場開關誤分閘，造成發電機失磁跳機事故。純屬分享，點擊下方附件免費下載*附件：20250312_磁場開關誤跳造成發電機失磁跳機事故分析.docx

2025-03-12 17:05:42

NAND閃存的工作原理和結構特點

NAND閃存是一種非易失性存儲技術，廣泛用于固態硬盤、USB閃存盤和手機存儲中，具有高速讀寫和耐用性強的特點。

2025-03-12 10:21:14

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三一挖掘機一鍵啟動開關易壞的原因及更換注意事項

三一挖掘機一鍵啟動開關易壞的原因雖然三一挖掘機的一鍵啟動系統設計旨在提高便利性和安全性，但在實際使用中，可能會出現一些問題導致開關易壞。這些問題可能包括：頻繁使用：挖掘機在施工過程中頻繁啟動和關閉

2025-03-12 09:29:10

無感直流BLDC，大占空比情況下失步怎么解決？

無感直流BLDC，大占空比情況下失步問題

2025-03-11 08:00:38

MRAM存儲替代閃存，FPGA升級新技術

電子發燒友網綜合報道，日前，萊迪思宣布在FPGA設計上前瞻性的布局，使其能夠結合MRAM技術，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創新產品。這些FPGA器件采用

2025-03-08 00:10:00

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EPM1270T144C5N TQFP-144 0℃~+85℃ 可編程邏輯性芯片

特性低成本、低功耗的復雜可編程邏輯器件（CPLD）即時啟動，非易失性架構待機電流低至 2 毫安提供快速的傳播延遲和時鐘到輸出時間提供四個全局時鐘，每個邏輯陣列塊（LAB）有兩個時鐘可用高達 8 千

2025-03-07 15:19:03

力旺電子攜手熵碼科技推出后量子加密解決方案

全球嵌入式非易失性內存（eNVM）解決方案的領導廠商力旺電子，與旗下專注于PUF（物理不可克隆功能）安全IP的子公司熵碼科技，今日正式推出全球首款結合PUF技術的后量子加密（PQC）解決方案。此

2025-03-05 11:43:10

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易控智駕發布礦山無人駕駛應用落地成果

近日，“易路相伴智約共贏”無人駕駛礦用車規模化應用成果發布會在三亞順利召開。作為全球領先的礦山無人駕駛公司，易控智駕發布了礦山無人駕駛應用落地成果，成為行業首個突破落地1000臺無人駕駛礦卡規

2025-03-04 11:25:00

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MXD1210非易失RAM控制器技術手冊

MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。

2025-02-28 10:48:16

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DS9034PCX PowerCap，帶有晶振技術手冊

DS9034PCX PowerCap作為非易失性計時RAM的鋰電源，采用Dallas Semiconductor的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。PowerCap模塊板焊接到位并清潔

2025-02-28 10:07:12

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DS1321靈活的非易失控制器，帶有鋰電池技術手冊

帶鋰電池監控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被

2025-02-28 10:00:43

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DS1314 3V、非易失控制器，帶有鋰電池監測器技術手冊

帶電池監控器的DS1314非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現

2025-02-28 09:53:17

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DS1312非易失控制器，帶有鋰電池監測器技術手冊

帶電池監控器的DS1312非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現

2025-02-28 09:48:45

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DS1746 Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術手冊

DS1746是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1746內所有寄存器的訪問都通過字節寬接口實現，如圖1所示。RTC

2025-02-27 17:20:04

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DS1557 4M非易失、Y2K兼容時鐘RAM技術手冊

DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和512k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1557內所有

2025-02-27 17:11:32

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DS1554 256k非易失、Y2K兼容時鐘RAM技術手冊

DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和32k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1554內所有

2025-02-27 16:54:35

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DS1747 Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術手冊

DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC

2025-02-27 15:51:09

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DS1265AB 8M非易失SRAM技術手冊

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍

2025-02-27 09:19:54

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DS1249AB 2048k非易失SRAM技術手冊

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否

2025-02-27 09:09:09

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MICRON/美光 MT25QL512ABB8ESF-0SIT SOP16閃存存儲芯片

可達90 MB/s?STR和DTR支持的協議——擴展I/O協議——雙I/O協議——四I/O協議?就地執行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設置?軟

2025-02-19 16:15:14

M95320-DRMN3TP/K產品概述

M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM，采用SPI接口，具有32Kbit的存儲容量。該器件專為需要非易失性存儲的應用設計，能夠在斷電后保持數據

2025-02-18 21:57:03

如何提高錫膏在焊接過程中的爬錫性？

錫膏的爬錫性對于印刷質量和焊接效果至關重要。要提高錫膏在焊接過程中的爬錫性

2025-02-15 09:21:38

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騰訊與銷售易戰略合作升級

近日，SaaS領域傳來重要消息，銷售易宣布與騰訊的戰略合作再次升級。此次升級將圍繞產品、技術、生態等多個維度展開，旨在共同開拓SaaS賽道的新增長路徑和機遇。為了更有效地整合和發揮雙方的優勢資源

2025-02-14 14:09:04

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STT-MRAM新型非易失性磁隨機存儲器

2025-02-14 13:49:27

Meta AI推出Brain2Qwerty：非侵入性大腦信號轉文本系統

。 Brain2Qwerty系統主要依賴于非侵入性的技術手段來捕捉和解析大腦活動。具體而言，它結合了腦電圖(EEG)和腦磁圖(MEG)這兩種先進的神經科學工具，以精確記錄志愿者在思考過程中的大腦信號。在研究過程中，Meta AI的團隊招募了一批健康的志愿者參與實驗。這些志愿者被

2025-02-11 13:37:39

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M24C16-DRDW3TP/K

半導體（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存儲器，具有 16 Kbit 的存儲容量，專為需要非易失性存儲的應用設計。這款器件采

2025-02-10 07:41:41

閃速存儲器是u盤嗎，閃速存儲器一般用來做什么的

在信息技術飛速發展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數據存儲領域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在

2025-01-29 15:12:00

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ABB變頻器易發故障及解決方法

? ? ? ABB變頻器作為工業中常用的調速裝置，其穩定性和可靠性至關重要。然而，由于使用環境、操作不當或設備老化等因素，ABB變頻器在使用過程中可能會出現各種故障。以下是一些ABB變頻器易發故障

2025-01-21 17:33:41

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昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導體的非易失性閃存ZB25VQ32DS

在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業芯片燒錄設備AP8000所支持。昂科技術自主研發的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置

2025-01-17 09:30:20

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TPL0501-100上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？

有人用過數字電位器TPL0501-100么？器件比較中說它采用的是易失性存儲介質，但是datasheet中關于這點只字未提，不知道上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？

2025-01-14 08:37:07

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