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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>開關(guān)電源>Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級(jí)結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET

Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級(jí)結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET

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2014-04-17 11:24:121699

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Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù),導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A~105A,在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360

Vishay擴(kuò)充其TrenchFETGen III P溝道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:401182

Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET
2013-12-02 09:49:211312

Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB,擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFETVishay
2013-12-05 10:30:051119

Vishay發(fā)布HML新款微型軸向引線的厚膜電阻

Vishay發(fā)布HML新款微型軸向引線的厚膜電阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用結(jié)實(shí)耐用的塑料外殼,可用于助聽器和工業(yè)高頻探頭。
2014-01-21 11:39:25937

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

日前,Vishay宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFETVishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740

Vishay發(fā)布高性能非對(duì)稱雙片TrenchFET? MOSFET

Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)新款30V非對(duì)稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:511504

Vishay發(fā)布其E系列器件的首500V高壓MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新的500V家族里首款
2014-10-09 12:59:191841

Vishay新款12V芯片級(jí)MOSFET可有效降低超便攜產(chǎn)品功耗

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布有助于在智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備和高端筆記本電腦中減少功耗并延長電池使用時(shí)間的新款功率MOSFET---Si8457DB。
2014-10-21 14:18:221366

Vishay新款20V MOSFET提高便攜式電子產(chǎn)品功率密度和可靠性

PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:041121

Vishay針對(duì)工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用,推出新款高電壓厚膜片式電阻

的PCB空間。Vishay Draloric RCV e3器件采用0805和1206外形尺寸,限定芯電壓分別為400V500V
2015-05-07 16:15:121580

Vishay將卡扣式鋁電容器中的500V器件的使用壽命延長到5000小時(shí)

電容器中的500V器件的使用壽命延長到5000小時(shí)。Vishay BCcomponents的電容器適用于太陽能逆變器、工業(yè)電機(jī)控制和電源,在+105℃下的使用壽命長達(dá)5000小時(shí)。
2017-04-14 16:42:521372

基于AVR高壓編程器的STK500-II應(yīng)用與開發(fā)

文檔中介紹了基于AVR高壓編程器的STK500-II應(yīng)用與開發(fā),操作步驟及圖解。
2017-08-31 11:23:0327

理解超級(jí)結(jié)技術(shù)

基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on),同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-11-10 15:40:039

PCB設(shè)計(jì)中如何提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能

為驅(qū)動(dòng)快速開關(guān)超級(jí)結(jié)MOSFET,必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對(duì)開關(guān)性能的影響,以及為使用超級(jí)結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-600V超級(jí)結(jié)MOSFET。在這些電壓額定值中
2019-05-13 15:20:231792

電動(dòng)汽車充電樁電源模塊系統(tǒng)趨勢(shì)和超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)

AEC車規(guī)認(rèn)證的超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測(cè)、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等,支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能,加快開發(fā)周期。本文將主要介紹用于電動(dòng)汽車直流充電樁的超級(jí)結(jié)MOSFET和具成本優(yōu)勢(shì)的IGBT方案。
2020-01-01 17:02:009515

好消息 東芝650V超級(jí)結(jié)功率提高大電流設(shè)備效率的MOSFET問市

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813

現(xiàn)貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)
2021-04-21 17:50:211914

浪涌阻止器IC保護(hù)負(fù)載免受>500V電源浪涌的影響

浪涌阻止器IC保護(hù)負(fù)載免受>500V電源浪涌的影響
2021-05-12 08:21:166

新品-500V~+1500V高壓放大器,1-6通道可選

放大器的輸出電壓范圍是-500V~+1500V,對(duì)應(yīng)的外部模擬控制電壓信號(hào)范圍為-2.5V~7.5V。外部模擬輸入控制電壓
2021-12-08 16:00:491198

傳統(tǒng)功率MOSFET超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別

超級(jí)結(jié)又稱超結(jié),是制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種技術(shù),其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定,又因p型體區(qū)摻雜濃度較高,耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199

NGTB20N60L2TF1G 應(yīng)用筆記 [與超級(jí)結(jié) MOSFET 的比較]

NGTB20N60L2TF1G 應(yīng)用筆記 [與超級(jí)結(jié) MOSFET 的比較]
2022-11-15 19:25:270

維安高壓結(jié)MOSFET,輕松解決LED電源浪涌

維安高壓結(jié)MOSFET,輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221504

高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類與特征

上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)的概要。
2023-02-10 09:41:012717

淺談超級(jí)結(jié)MOSFET的效率改善和小型化

- 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對(duì)高效率、低功耗、低待機(jī)功耗、小型這4個(gè)課題的貢獻(xiàn),多次提到“因?yàn)閮?nèi)置超級(jí)結(jié)MOSFET,......”。接下來請(qǐng)您介紹一下超級(jí)結(jié)MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)。
2023-02-17 11:37:152191

SVS11N60FJD2 600V11A 超結(jié)高壓mos

SVS11N60FJD2600V11A超結(jié)高壓mos,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-30 15:59:032

【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn):超級(jí)結(jié)MOSFET(SJ-MOS)

【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn):超級(jí)結(jié)MOSFET(SJ-MOS)
2023-12-13 14:16:161894

英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:001646

中國移動(dòng)發(fā)布全球首 RISC-V 內(nèi)核超級(jí) SIM 芯片

科技有限公司總經(jīng)理肖青發(fā)布多款自研芯片,包括全球首RISC-V內(nèi)核超級(jí)SIM芯片CC2560A。全球首RISC-V內(nèi)核超級(jí)SIM芯片CC2560A據(jù)介紹,基于超級(jí)S
2024-06-30 08:36:391112

高壓MOSFET功率器件4A-500V N溝道MOSFET半導(dǎo)體提供平面條紋和DMOS技術(shù)

4A-500V N溝道功率器件MOSFET采用先進(jìn)技術(shù)N溝道模式,提供平面條紋和DMOS技術(shù)。實(shí)現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻和卓越開關(guān)性能。4N50通常應(yīng)用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正和基于半橋拓?fù)涞碾娮訜?/div>
2024-08-21 18:07:521412

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

500V高壓MOSFET集成與低功耗PWM控制

WD5208,500V高壓MOSFET集成與低功耗PWM控制
2025-02-21 15:42:24862

結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053

新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級(jí)結(jié)”單元,通過電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件,其核心設(shè)計(jì)通過優(yōu)化電場(chǎng)分布實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499

選型手冊(cè):MOT65R380D 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS
2025-10-29 10:31:10190

選型手冊(cè):MOT65R600F 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS
2025-10-31 17:28:48199

選型手冊(cè):MOT70R280D 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS
2025-10-31 17:31:08179

選型手冊(cè):MOT70R280D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

類型:N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_
2025-11-07 10:54:01164

選型手冊(cè):MOT70R380D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景;導(dǎo)通電阻(\(R_
2025-11-10 15:42:30277

?Vishay Gen 5 600V/1200V 超快恢復(fù)整流器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224

選型手冊(cè):MOT65R380F N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

類型:N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{
2025-11-18 15:32:14203

選型手冊(cè):MOT65R180HF N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

類型:N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_
2025-11-18 15:39:25204

選型手冊(cè):MOT13N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及500V耐壓,適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-19 10:24:32240

Littelfuse推出采用SMPD-X封裝的200 V、480 A超級(jí)結(jié)MOSFET

:LFUS)是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級(jí)超級(jí)結(jié)功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40377

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