日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1850 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ,
2012-10-09 11:28:30
1180 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:31
2203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:38
3286 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:30
1823 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:11
2875 基于最近的趨勢(shì),提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo),為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級(jí)結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比,超級(jí)結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。
2014-04-17 11:24:12
1699 基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on),同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-25 14:36:20
38554 
ROHM獨(dú)有的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),非常有助于降低空調(diào)和逆變器等應(yīng)用穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)的功耗,因而
2021-01-07 16:27:50
4016 
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:31
1541 Vishay推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:00
1876 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET,根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
一、簡介90V-220V輸入小體積LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片集成了500V功率MOS、高壓自供電電路以及采樣電路,無需啟動(dòng)電阻以及反饋電阻。準(zhǔn)諧振工作模式簡化了PCB的設(shè)計(jì),系統(tǒng)只需要幾個(gè)的外圍元件,大大
2020-10-29 16:05:19
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
公司產(chǎn)品打算做CE認(rèn)證,其中一項(xiàng)測(cè)試就是能抵抗500V的浪涌電壓。測(cè)試公司會(huì)用他們的設(shè)備連接我們的設(shè)備,12V的輸入,500V的浪涌電壓持續(xù)1.2ms。于是我們?cè)谄渲屑尤肓薚VS,如圖所示。D18
2019-11-12 11:10:07
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
:介于平面和超結(jié)型結(jié)構(gòu)中間的類型超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)是高壓MOSFET技術(shù)的重大發(fā)展并具有顯著優(yōu)點(diǎn),其RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時(shí)得到降低。為充分利用這些快速和高效器件,設(shè)計(jì)工程師需要非常注意
2018-10-17 16:43:26
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路(HVIC)。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì),配有高端和低端驅(qū)動(dòng)器,可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
的方向,充分并迅速地了解供應(yīng)商提供的仿真模型是否真實(shí)反映既定應(yīng)用空間內(nèi)的器件仍然是棘手的問題。
與競爭對(duì)手的模型不同,F(xiàn)airchild的超級(jí)結(jié)MOSFET和IGBTSPICE模型基于一個(gè)物理可擴(kuò)展模型
2019-07-19 07:40:05
產(chǎn)品描述 QQ289 271 5427 DP950XB系列是高度集成的恒流LED功率開關(guān), 芯片采用了準(zhǔn)諧振的工作模式,無需輔助繞組檢測(cè) 消磁。同時(shí)內(nèi)部集成有高壓500V功率MOSFET和 高壓自供
2019-09-27 15:10:01
輸入900V,輸出500V的高壓穩(wěn)壓電源——三極管串聯(lián)應(yīng)用的典范:
2018-09-13 18:18:07
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on),同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
有兩個(gè)500v 100uf的電容 串聯(lián)在1000v直流電中,想要選取分壓電阻,讓每個(gè)電容分得500v電壓,分壓電阻阻值和功率如何選擇?
補(bǔ)充內(nèi)容 (2016-8-5 09:57):
在線等
2016-08-04 17:44:36
共用 PCB 板 ?LED 電流可外部設(shè)定? 芯片應(yīng)用線路無 EMI 問題? 內(nèi)置 500V 高壓 MOS ? 芯片具有過溫調(diào)節(jié)能力(過溫點(diǎn) 135 度)? 采用 ESOP8、TO252、SOT89-3 封裝
2020-11-09 18:57:28
1.38V。最高工作結(jié)溫達(dá)+175℃,可實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)固的設(shè)計(jì)。Vishay的新款Gen2 650 V FRED Pt?超快裸片二極管具有28ns的快速恢復(fù)時(shí)間,正向壓降低至1.38V,低反向泄漏電流可減少太陽能逆變器、UPS、電動(dòng)汽車和電焊機(jī)中的開關(guān)損耗。本新聞來自大聯(lián)大云端`
2014-01-02 14:27:36
主要特點(diǎn)● 集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓啟動(dòng)電路● 多模式控制、無異音工作● 支持降壓和升降壓拓?fù)洹?默認(rèn)12V 輸出(FB 腳懸空)● 待機(jī)功耗低于50mW ● 良好的線性調(diào)整率
2020-08-14 14:32:05
采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的,用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻,并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度,基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
運(yùn)放正負(fù)12伏供電,運(yùn)放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓,mosfet的S極連接一個(gè)20歐姆電阻到地,20歐姆電阻連接運(yùn)放反饋端,我想把運(yùn)放個(gè)mosfet進(jìn)行隔離,求方案。求器件。整個(gè)原理其實(shí)就是運(yùn)放控制mosfet實(shí)現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
請(qǐng)問怎么實(shí)現(xiàn)12V直流輸入,輸出100~500V連續(xù)可調(diào)電壓?
2016-03-05 17:03:59
請(qǐng)問我想將3.3V直流升為500V直流,怎么實(shí)現(xiàn)?比如選擇什么樣的芯片,用什么電路
2015-06-08 15:50:33
的矛盾。 即便如此,高壓MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下,耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高,耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人,導(dǎo)
2023-02-27 11:52:38
加深理解,最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表。【標(biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列(600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
B88069X6940B152 擊穿電壓500V無引腳11.8*17.1B88069X4380B152 擊穿電壓800V無引腳11.8*17.1EN 61643-11 I和II
2022-11-05 09:59:55
超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對(duì)高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響:對(duì)超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例,介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:27
31 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω,柵極電荷減小為48nC,采
2010-07-16 15:05:24
17
500V觸發(fā)電路
2009-02-06 00:21:55
859 
Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器,豐富了其已
2009-07-01 09:30:55
778 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:34
2107 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的
2010-04-07 10:52:52
1102 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:57
2028 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23
1339 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝,具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:08
1830 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝,
2011-03-02 10:19:30
1776 日前,Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40
2991 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:35
1923 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13
1025 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:42
2109 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:54
1791 Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開關(guān),器件可在1.5V~5.5V電壓范圍內(nèi)工作,具有低至20m?的導(dǎo)通電阻、低靜態(tài)電流, 導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:58
2187 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù),導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A~105A,在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:24
1360 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40
1182 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:21
1312 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB,擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05
1119 Vishay發(fā)布HML新款微型軸向引線的厚膜電阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用結(jié)實(shí)耐用的塑料外殼,可用于助聽器和工業(yè)高頻探頭。
2014-01-21 11:39:25
937 日前,Vishay宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:22
1740 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對(duì)稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51
1504 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新的500V家族里首款
2014-10-09 12:59:19
1841 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布有助于在智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備和高端筆記本電腦中減少功耗并延長電池使用時(shí)間的新款功率MOSFET---Si8457DB。
2014-10-21 14:18:22
1366 
PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04
1121 的PCB空間。Vishay Draloric RCV e3器件采用0805和1206外形尺寸,限定芯電壓分別為400V和500V。
2015-05-07 16:15:12
1580 電容器中的500V器件的使用壽命延長到5000小時(shí)。Vishay BCcomponents的電容器適用于太陽能逆變器、工業(yè)電機(jī)控制和電源,在+105℃下的使用壽命長達(dá)5000小時(shí)。
2017-04-14 16:42:52
1372 文檔中介紹了基于AVR高壓編程器的STK500-II應(yīng)用與開發(fā),操作步驟及圖解。
2017-08-31 11:23:03
27 基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on),同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-11-10 15:40:03
9 為驅(qū)動(dòng)快速開關(guān)超級(jí)結(jié)MOSFET,必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對(duì)開關(guān)性能的影響,以及為使用超級(jí)結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級(jí)結(jié)MOSFET。在這些電壓額定值中
2019-05-13 15:20:23
1792 
AEC車規(guī)認(rèn)證的超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測(cè)、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等,支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能,加快開發(fā)周期。本文將主要介紹用于電動(dòng)汽車直流充電樁的超級(jí)結(jié)MOSFET和具成本優(yōu)勢(shì)的IGBT方案。
2020-01-01 17:02:00
9515 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:23
1813 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:21
1914 
浪涌阻止器IC保護(hù)負(fù)載免受>500V電源浪涌的影響
2021-05-12 08:21:16
6 放大器的輸出電壓范圍是-500V~+1500V,對(duì)應(yīng)的外部模擬控制電壓信號(hào)范圍為-2.5V~7.5V。外部模擬輸入控制電壓
2021-12-08 16:00:49
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超級(jí)結(jié)又稱超結(jié),是制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種技術(shù),其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定,又因p型體區(qū)摻雜濃度較高,耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:57
9199 NGTB20N60L2TF1G 應(yīng)用筆記 [與超級(jí)結(jié) MOSFET 的比較]
2022-11-15 19:25:27
0 維安高壓超結(jié)MOSFET,輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:22
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上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)的概要。
2023-02-10 09:41:01
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- 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對(duì)高效率、低功耗、低待機(jī)功耗、小型這4個(gè)課題的貢獻(xiàn),多次提到“因?yàn)閮?nèi)置超級(jí)結(jié)MOSFET,......”。接下來請(qǐng)您介紹一下超級(jí)結(jié)MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)。
2023-02-17 11:37:15
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SVS11N60FJD2600V11A超結(jié)高壓mos,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-30 15:59:03
2 【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn):超級(jí)結(jié)MOSFET(SJ-MOS)
2023-12-13 14:16:16
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英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00
1646 科技有限公司總經(jīng)理肖青發(fā)布多款自研芯片,包括全球首顆RISC-V內(nèi)核超級(jí)SIM芯片CC2560A。全球首顆RISC-V內(nèi)核超級(jí)SIM芯片CC2560A據(jù)介紹,基于超級(jí)S
2024-06-30 08:36:39
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