制造商:Vishay
產品種類:平面電阻器 - 底架安裝
RoHS:
電阻:100 Ohms
功率額定值:800 W
端接類型:Solder Pad
長度:48.26 mm
寬度:26.42 mm
2026-01-05 11:37:39
采用的是超級結工藝。超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發的，用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結技術有助于降低導通電阻，并提高MOS管開關速度，基于該技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。
2026-01-05 06:12:51
功率損失增大，進而影響整個電路的效率和性能。本文MDD辰達半導體將探討MOSFET開關速度不足導致功率損失的原因，并提供解決方案，以提高系統的性能和效率。一、MO
2026-01-04 10:54:34
42 
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術：從原理到應用 在電子工程領域，功率MOSFET技術的不斷創新推動著各類電力電子設備向更高效率、更高功率密度和更高系統可靠性邁進。英飛凌作為行業的領軍者
2025-12-20 10:35:06517 在電子設計領域，MOSFET是不可或缺的關鍵元件。今天，我們來詳細探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優勢。
2025-12-08 16:38:38548 
在電子設計領域，功率MOSFET是不可或缺的關鍵元件，它廣泛應用于電源管理、電機驅動等眾多領域。今天就來詳細探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47334 
作為一名電子工程師，在為電動汽車（xEV）應用設計 DC - DC 轉換器和車載充電器時，合適的功率 MOSFET 模塊至關重要。今天就為大家詳細解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模塊 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24632 
在電子工程師的日常設計工作中，功率 MOSFET 是一種常見且關鍵的元件。今天，我們要詳細探討的是 onsemi 公司的 NTMFS5H663NL 這款 N 溝道功率 MOSFET，它具有諸多出色的特性，適用于多種應用場景。
2025-12-02 15:53:58337 
在電子設計領域，功率 MOSFET 是不可或缺的關鍵元件，廣泛應用于各類電源管理、電機驅動等電路中。今天，我們就來深入探討一下 ON Semiconductor 推出的 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-02 14:58:25273 
在電子設計領域，功率 MOSFET 是至關重要的元件，它廣泛應用于各類電源管理、電機驅動等電路中。今天，我們就來詳細剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨特之處。
2025-12-02 11:43:20466 
在電子工程師的日常設計工作中，MOSFET 作為關鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個電路的運行效率和穩定性。今天，我們就來詳細剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 這款 100V、3.9mΩ、138A 的單 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
作為電子工程師，在設計過程中，選擇合適的功率MOSFET至關重要。今天就來詳細介紹onsemi推出的NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET，探討它的特性、參數以及在實際應用中的表現。
2025-12-01 09:34:36356 
在電子設計領域，功率MOSFET的性能直接影響著整個系統的效率與穩定性。今天，我們就來深入剖析onsemi推出的NVMFWS002N10MCL這款N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨特之處能滿足工程師們的設計需求。
2025-11-28 16:12:03422 
在汽車電子領域，功率 MOSFET 模塊扮演著至關重要的角色。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊，了解其特性、應用、電氣參數等方面的內容，為電子工程師們在設計相關系統時提供參考。
2025-11-28 15:20:04237 
在電子設備的設計中，功率MOSFET是至關重要的元件，它對設備的性能和效率有著深遠的影響。今天，我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨特的特性和優勢。
2025-11-28 14:03:45181 
功率MOSFET管應用問題匯總
問題1：在功率MOSFET管應用中，主要考慮哪些參數？在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應的PCB設計，銅箔面積布設多大散熱會比
2025-11-19 06:35:56
選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高穩定性及無鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 
Vishay MCB HRHA充電電阻器（用于EV混合繞線技術）具有高能量/體積比，符合AEC-Q200標準。Vishay MCB HRHA充電電阻器設計用于工業和汽車電器中的預充電、放電和有源放電
2025-11-17 10:35:21348 Vishay/Sfernice PEP功率增強型薄膜片式電阻器具有39Ω至900kΩ寬電阻范圍，耐受溫度高達+250°C。這些電阻器設計用于大功率應用，具有低噪聲、出色的穩定性、低電阻溫度系數
2025-11-17 10:26:52402 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
Vishay/Sfernice RCH功率電阻器設計用于安裝到散熱器上，并承受較高的短時過載。這些電阻器采用金屬陶瓷厚膜技術制造，具有出色的特性。RCH功率電阻器為無電感電阻器，特別適合用于高頻
2025-11-13 15:57:49377 
SiC544采用緊湊型4.5mm x 3.5mm MLP封裝。SiC544支持高達40A的每相持續電流。內部功率MOSFET采用Vishay的先進第四代TrenchFET^?^ 技術，可最大限度地降低開關和導通損耗，實現行業領先的性能。
2025-11-13 15:00:01348 
Vishay VSMA1094750X02大功率紅外發光二極管是星形產品組合的一部分，設有波長為940nm的紅外發光二極管。Vishay VSMA1094750X02設計采用雙堆疊發射器芯片。該器件
2025-11-13 14:52:00385 Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質因數（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53430 
Vishay/Dale IFDC-5050HZ屏蔽表面貼裝器件（SMD）功率電感器采用12.3mmx12.3mmx8mm封裝。這些SMD功率電感器采用屏蔽鐵氧體結構，0A時電感范圍為3.3μH至
2025-11-13 10:19:04391 
Vishay/Dale IFSC-3232DB-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結構，采用SMD封裝，外形尺寸為8mm x 8mm x 4.2mm。 這些電感器在0A時的電感為0.9
2025-11-13 09:49:18381 Vishay/Dale IFSC-2020DE-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結構，采用6mmx6mmx4.5mm SMD封裝。這些半屏蔽電感器在0A時的電感為1μH至470μH
2025-11-12 16:50:51503 Vishay VLMB2332和VLMTG2332標準SMD MiniLED采用預成型 封裝，引線框架封裝在明亮的白色熱塑性塑料中。Vishay VLMB2332和VLMTG2332具有2.2mmx1.3mmx1.4mm的緊湊尺寸。迷你LED非常適用于設計用于苛刻環境的小型大功率產品，可靠性高。
2025-11-12 16:32:16516 Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術。該MOSFET優化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58319 Vishay/Sfernice D2TO35 SMD厚膜功率電阻器符合AEC-Q200標準，+25°C時的額定功率為35W。此系列無感電阻器采用表面貼裝TO-263 (D2^^PAK) 型封裝，寬
2025-11-12 10:38:47429 
Vishay/Dale WSLF1206功率金屬條電阻器采用專有生產工藝，產生的電阻值低至0.3mΩ 至3mΩ 。該電阻器由固態金屬錳銅和鎳鉻鋁合金制成，帶電阻元件。WSLF1206系列具有非常低
2025-11-12 10:08:01378 Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型高設計、快速開關IGBT和MOSFET驅動器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341412 Vishay/Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用表面貼裝封裝，尺寸為6mmx6mmx4.5mm。IFSC2020DE-02電感器采用繞線鐵氧體磁芯，采用嵌入式鐵氧
2025-11-11 15:54:40538 
Vishay/Dale IFSC-2020BZ-01半屏蔽SMD功率電感器采用薄型緊湊設計，尺寸為5mmx5mmx2mm。這些表面貼裝電感器效率高，采用半屏蔽鐵氧體結構。Vishay/Dale
2025-11-11 15:42:54585 
Vishay/Dale IFSC1616AH-01屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用薄型設計，采用繞線鐵氧體磁芯，采用鐵嵌入環氧樹脂封裝，用于磁屏蔽。該電感器的電感范圍為0.33μH至330μH，采用
2025-11-11 15:36:24416 
Vishay/Dale IMSC1008AZ半屏蔽SMD功率電感器采用薄型封裝，最大尺寸為2.5mmx2mmx1mm。這些表面貼裝電感器采用半屏蔽、金屬基結構，實現穩定的飽和。該系列還具有低磁芯損耗
2025-11-11 15:25:04328 
Vishay/Dale IDCS3014鐵氧體功率電感器采用屏蔽、組裝的鐵氧體結構，封裝尺寸為7.6mmx7.6mmx3.5mm。IDCS3014系列的電感范圍為3.μH至1000μH，電感容差為
2025-11-11 15:05:09391 
Vishay/Dale IFSC2020DZ-01和IFSC3232DB-02功率電感器采用表面貼裝器件（SMD）端接類型和5mmx5mmx4mm尺寸封裝。該電感器的電感范圍為0.22μH至10μH
2025-11-11 14:22:19307 
Vishay/BLUETOOTH IHLL-0806AZ-1Z功率電感器可處理高瞬態電流尖峰而不會導致 電感飽和。該款電感器采用磁保護復合材料制造而成。IHLL-0806AZ-1Z功率電感器采用
2025-11-11 14:12:40358 
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設計用于高效電源開關應用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18343 Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26335 
Vishay IHV功率電感器是大電流和徑向引線濾波電感器。這些電感器的額定電感高達200μH，最大直流電流范圍為20A至60A。IHV濾波電感器在空載條件下的工作溫度范圍為-55°C至125°C
2025-11-11 11:23:15469 
Semiconductors SiC674采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝。SiC674支持每相持續電流高達55A的穩壓器設計。其內部功率MOSFET采用Vishay先進的TrenchFET^?^ 技術，最大限度地降低了開關和傳導損耗，實現了業界領先的性能。
2025-11-11 10:25:45352 
Semiconductors SiC653A采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝，可讓穩壓器每相提供高達50A的持續電流。SiC653A采用Vishay的第四代TrenchFET MOSFET技術，最大限度地降低了開關
2025-11-11 10:16:53381 
Vishay ISOA200厚膜功率電阻器是AEC-Q200合規電阻器，工作溫度范圍為-55°C至+150°C。Vishay ISOA200厚膜功率電阻器具有沒有外部輻射的冷系統。這些無感電
2025-11-11 09:36:33388 Vishay SiC658A 50A VRPower ^?^ 集成功率級具備高效率和出色的散熱性能，非常適合大電流應用。Vishay SiC658A憑借先進的MOSFET技術，可確保最佳電源轉換并
2025-11-10 11:35:58464 
Vishay/BC Components器件由焊接連接的均質陶瓷PTC組成，封裝在UL 94V-0認證的PPS-GF外殼中。PTCES系列包括標準240J和高能340J選項，可提供大量的浪涌功率循環。
2025-11-10 10:38:57361 
選型手冊：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導通損耗
2025-11-05 15:53:52207 N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
2025-10-31 09:35:26
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護功能和100%雪崩。該MOSFET還具
2025-10-27 14:24:41381 
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級N通道MDmesh DM6半橋拓撲功率MOSFET，提供650V阻斷電壓。該功率MOSFET符合AQG
2025-10-24 09:17:32684 
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態均流功能，專為需要并聯多個匹配MOSFET的高功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅動系統，或高功率工業電機。
2025-10-10 11:22:27700 電子發燒友網站提供《FS60N03 N溝道增強型功率MOSFET數據表.pdf》資料免費下載
2025-09-23 14:59:08
0 鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發展。目前IGBT仍是鐵路牽引領域的主流功率半導體器件，但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計。
2025-09-23 09:26:332066 
Texas Instruments CSD16321Q5 N溝道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFET?功率MOSFET，設計用于最小化功率轉換損失，優化用于5V柵極驅動應用。
2025-09-22 15:43:41635 
Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電
2025-09-18 18:19:141109 電子發燒友網為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器相關產品參數、數據手冊，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
在功率電子系統中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關器件，廣泛應用于中低壓功率系統。它們各有優缺點，適用于不同的應用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應用場景，能夠有效提高系統
2025-07-07 10:23:192435 
電子發燒友網為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅動器相關產品參數、數據手冊，更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35
什么是功率 MOSFET？
我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向；我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號
2025-06-03 15:39:43
CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅動器的功率吸收路徑，
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優點？
2025-05-28 06:51:33
近日，索尼（中國）有限公司正式發布新款雙芯超旗艦頭戴降噪耳機——WH-1000XM6。
2025-05-20 09:47:351797 引言
隨著電力半導體器件的發展[1-2]，已經出現了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
和計算領域的功率轉換效率和功率密度，顯著改善了前代產品的性能。SiHK050N65E采用了先進的n-channel設計，與之前的MOSFET相比，具備48.2%的導
2025-03-27 11:49:46945 
電子發燒友網站提供《LT8623SL雙通道N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-26 16:13:440 電子發燒友網站提供《LT8844SL N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-26 15:55:520 做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外，新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
電子發燒友網站提供《LTS3002FJ-L N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-24 11:29:590 電子發燒友網站提供《LTS7446FLM N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-24 11:13:110 電子發燒友網站提供《LTS6904SQ N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-18 17:27:000 電子發燒友網站提供《LTS7304FL N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-18 17:25:440 電子發燒友網站提供《LTS7408FL N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-18 17:23:180 電子發燒友網站提供《LTS7417SR N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-18 17:17:200 電子發燒友網站提供《LTS1010SQD N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-12 17:29:160 電子發燒友網站提供《LTS1008FJ N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-12 17:00:040 電子發燒友網站提供《LTS1008FJF N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-12 16:58:360 英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產品的推出，標志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
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2025-03-07 13:56:390 電子發燒友網站提供《LT7904FJ-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:51:111 電子發燒友網站提供《LT7904FLG N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:46:310 電子發燒友網站提供《LT8810SSY共漏N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 09:35:150 )與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外，新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET
2025-03-06 15:59:14
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2025-03-05 17:42:260 電子發燒友網站提供《LT1754SIX N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-05 17:35:490 電子發燒友網站提供《LT1811FQ N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-05 17:09:010 電子發燒友網站提供《LT1913SH N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-05 17:07:250 電子發燒友網站提供《LTD1534MFJO N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 17:26:501 電子發燒友網站提供《LTD1534MFJ N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 17:24:421 電子發燒友網站提供《LTD1534MFLD N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 17:23:362 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關損耗
1 開通
2025-02-26 14:41:53
特點根據IEC 61249-2-21，無鹵素定義?TrenchFET?功率MOSFET?PWM優化?100%Rg測試?符合RoHS指令2002/95/EC
2025-02-17 11:32:12
近日，碳化硅技術領域的全球領軍企業Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術平臺。該平臺在設計之初就充分考慮了耐久性和高效性，旨在為高功率應用帶來突破性的性能表現。 作為碳化硅技術
2025-02-17 10:28:44943 蘋果公司即將迎來其智能手機產品線的新成員——新款iPhone SE。據消息透露，這款新設備最早將于下周在蘋果官方網站上發布，并計劃在本月晚些時候正式上市銷售。
2025-02-08 16:52:271503 近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:221221 
*附件：國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
的MOSFET技術，這是一種由半導體功率元件構成的無觸點開關器件。與傳統繼電器相比，它無需通過物理觸點來實現電路的接通與斷開，而是通過微弱的控制信號來驅動功率半導體器件MOSFET。這一創新設計不僅實現了無火花、無噪聲的電路切換，還從根本上避免了傳統繼電器中因
2025-01-08 14:12:551094
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