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標(biāo)簽 > 變換器
變換器，是將信源發(fā)出的信息按一定的目的進(jìn)行變換。矩陣式變換器是一種新型的交－交電源變換器。和傳統(tǒng)的變換器相比，它具有如下優(yōu)點(diǎn)：不需要中間直流儲能環(huán)節(jié)；能夠四象限運(yùn)行；具有優(yōu)良的輸入電流波形和輸出電壓波形；可自由控制的功率因數(shù)。矩陣式變換器已成為電力電子技術(shù)研究的熱點(diǎn)之一，并有著廣泛的應(yīng)用前景。
變換器，是將信源發(fā)出的信息按一定的目的進(jìn)行變換。矩陣式變換器是一種新型的交－交電源變換器。和傳統(tǒng)的變換器相比，它具有如下優(yōu)點(diǎn)：不需要中間直流儲能環(huán)節(jié)；能夠四象限運(yùn)行；具有優(yōu)良的輸入電流波形和輸出電壓波形；可自由控制的功率因數(shù)。矩陣式變換器已成為電力電子技術(shù)研究的熱點(diǎn)之一，并有著廣泛的應(yīng)用前景。
變換器（Matrix Converter）作為一種新型的交—交變頻電源，其電路拓?fù)湫问奖惶岢觯钡?979年意大利學(xué)者M(jìn).Venturini和A.Alesina提出了矩陣式變換器存在理論及控制策略后，其特點(diǎn)才為人們所關(guān)注和研究。普遍使用的是半控功率器件晶閘管。采用這種器件組成矩陣式變換器，控制難度是很高的。矩陣式變換器的硬件特點(diǎn)是要求
大容量、高開關(guān)頻率、具有雙向阻斷能力和自關(guān)斷能力的功率器件，同時(shí)由于控制方案的復(fù)雜性，要求具有快速處理能力的微處理器作為控制單元，而這些是早期的半導(dǎo)體工藝和技術(shù)水平所難以達(dá)到的。所以這一期間矩陣式變換器的研究主要針對主回路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及雙向開關(guān)的實(shí)現(xiàn)，大多都處于理論研究階段，很少有面向工業(yè)實(shí)際的研究。高工作頻率、低控制功率的全控型功率器件如BJT ， IGBT等不斷涌現(xiàn)，推動(dòng)了矩陣式變換器控制策略的研究。
變換器，是將信源發(fā)出的信息按一定的目的進(jìn)行變換。矩陣式變換器是一種新型的交－交電源變換器。和傳統(tǒng)的變換器相比，它具有如下優(yōu)點(diǎn)：不需要中間直流儲能環(huán)節(jié)；能夠四象限運(yùn)行；具有優(yōu)良的輸入電流波形和輸出電壓波形；可自由控制的功率因數(shù)。矩陣式變換器已成為電力電子技術(shù)研究的熱點(diǎn)之一，并有著廣泛的應(yīng)用前景。
變換器（Matrix Converter）作為一種新型的交—交變頻電源，其電路拓?fù)湫问奖惶岢觯钡?979年意大利學(xué)者M(jìn).Venturini和A.Alesina提出了矩陣式變換器存在理論及控制策略后，其特點(diǎn)才為人們所關(guān)注和研究。普遍使用的是半控功率器件晶閘管。采用這種器件組成矩陣式變換器，控制難度是很高的。矩陣式變換器的硬件特點(diǎn)是要求
大容量、高開關(guān)頻率、具有雙向阻斷能力和自關(guān)斷能力的功率器件，同時(shí)由于控制方案的復(fù)雜性，要求具有快速處理能力的微處理器作為控制單元，而這些是早期的半導(dǎo)體工藝和技術(shù)水平所難以達(dá)到的。所以這一期間矩陣式變換器的研究主要針對主回路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及雙向開關(guān)的實(shí)現(xiàn)，大多都處于理論研究階段，很少有面向工業(yè)實(shí)際的研究。高工作頻率、低控制功率的全控型功率器件如BJT ， IGBT等不斷涌現(xiàn)，推動(dòng)了矩陣式變換器控制策略的研究。
模數(shù)變換器
模數(shù)變換器包含第一傳輸電路，它接收輸入電壓與輸出時(shí)鐘信號，該時(shí)鐘信號相移，取決于輸入電壓，第二傳輸電路接收參考電壓與輸入時(shí)鐘信號，且輸出參考時(shí)鐘信號，該時(shí)鐘信號相移，取決于參考電壓，比較輸出時(shí)鐘信號與參考時(shí)鐘信號的比較器輸出一數(shù)據(jù)卡輸出信號。
直流-直流變換器
直流-直流變換器有三個(gè)電感、兩個(gè)電容、一個(gè)主開關(guān)和一個(gè)次開關(guān)、一個(gè)主整流器和一個(gè)次整流器以及一個(gè)具有一個(gè)初級繞組和一個(gè)次級繞組的變壓器。主開關(guān)和次開關(guān)按照控制信號交替地導(dǎo)通，電流流過變壓器的初級繞組，因此，轉(zhuǎn)移能量到次級繞組，一個(gè)主整流器和一個(gè)次整流器按照從初級繞組變換來的能量而動(dòng)作，以獲得經(jīng)過第三個(gè)電感器的固定電流，輸出固定直流電壓到負(fù)載。
高功率因數(shù)半橋式變換器
Half-bridgeconverterwithhighpowerfactor（美國應(yīng)用專利20030076699，日期：2002/10/18）
提出了高功率因數(shù)半橋式變換器。半橋式變換器有一個(gè)橋二極管單元來提供電流路徑，通過功率因數(shù)提高單元傳輸能量到電壓平滑電容器。電壓平滑電容器儲存由橋二極管單元所提供的能量。開關(guān)單元有兩個(gè)開關(guān)與電壓平滑電容器的兩端間串聯(lián)。其中功率因數(shù)提高單元供給開關(guān)的公共連接點(diǎn)電壓，構(gòu)成轉(zhuǎn)換單元反饋到輸入電容器的公共連接點(diǎn)，為了依據(jù)輸入電壓值改變輸入電流。減少半橋式變換器在開關(guān)單元中的導(dǎo)通損耗提高輸入端的功率因數(shù)。
具有熱平衡功能的多相MPQ2908A交錯(cuò)式變換器參考設(shè)計(jì)
新型汽車設(shè)計(jì)均采用 48V 電源系統(tǒng)，以減輕車輛線束的重量并降低功耗。與此同時(shí)，當(dāng)系統(tǒng)需要承擔(dān)大負(fù)載時(shí)，所需功率也會增加，這意味著采用輸出功率更高的電源...
2026-01-16 標(biāo)簽：MOSFET變換器參考設(shè)計(jì) 1.2k 0
?基于ONsemi TF412 N溝道JFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi TF412 N溝道JFET專為低頻通用放大器和阻抗變換器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Onsemi TF412的最大工作電壓為30V，最大工作電流為10mA...
應(yīng)用實(shí)例——如何解決雙管反激變換器中的關(guān)斷電壓不均衡
反激變換器作為電源產(chǎn)品中幾乎不可缺少的一個(gè)拓?fù)洌瑥氖码娏﹄娮赢a(chǎn)品開發(fā)的工程師是相當(dāng)?shù)氖煜ぃ绕涫菃喂芊醇ぷ儞Q器，更是工程師從小白開始修煉的起點(diǎn)，萬丈高樓...
2025-11-20 標(biāo)簽：變換器電源產(chǎn)品反激變換器 6.8k 0
車載OBC中全橋變換器功率MOS管的應(yīng)用及注意事項(xiàng)
隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展，功率MOS管在汽車電子的應(yīng)用也日益增多，本文就車載OBC中全橋變換器功率MOS管應(yīng)用及注意事項(xiàng)做簡單記要。
電容器的額定電壓很低（不到3V），在應(yīng)用中需要大量的串聯(lián)。由于應(yīng)用中常需要大電流充、放電，因此串聯(lián)中的各個(gè)單體電容器上電壓是否一致是至關(guān)重要的。
高降壓比充電電荷泵 (Charge Pump) 能夠在保持較高輸出電流的同時(shí)，顯著降低輸入電流，減少能量在轉(zhuǎn)換過程中的損失，進(jìn)而降低功耗，提升充電效率。...
2025-10-07 標(biāo)簽：充電變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 3.5k 0
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電源管理是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，而升壓變換器(BoostConverter)則是實(shí)現(xiàn)電壓提升的重要電路之一。本文將詳細(xì)介紹升壓變換器的工...
2025-09-09 標(biāo)簽：電源管理變換器升壓轉(zhuǎn)換器 1.3k 0
摘要LLC拓?fù)鋸V泛應(yīng)用于各種功率轉(zhuǎn)換設(shè)備中，然而LLC拓?fù)湓谳p載及空載情況下，即使工作頻率范圍很寬，往往仍然出現(xiàn)輸出電壓超出規(guī)格要求的現(xiàn)象。本文從理論上...
技術(shù)資訊 I 一文了解負(fù)阻抗轉(zhuǎn)換器
核心要點(diǎn)負(fù)阻抗變換器（NIC）是一種能在輸入端模擬負(fù)阻抗的電路。負(fù)阻抗變換器應(yīng)用廣泛，涵蓋模擬信號處理和控制系統(tǒng)等領(lǐng)域，可用于穩(wěn)定或調(diào)整電路的輸入阻抗。...
2025-07-18 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器印刷電路板變換器 1.3k 0
SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢
由于第四橋臂的引入，對比三相三橋臂變換器，負(fù)載相電壓的電平數(shù)從五個(gè)(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三個(gè)(±Udc,0)，因此自然的，相同電路...
2025-07-14 標(biāo)簽：電流變換器SiC MOSFET 1.2k 0
HT78621 60V輸入，3.5A開關(guān)限流降壓變換器中文手冊立即下載
類別：IC中文資料 2025-04-01 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器變換器降壓開關(guān)
類別：電子資料 2025-02-20 標(biāo)簽：變換器車載充電器工業(yè)控制電源
三相準(zhǔn)單級變換器：面向 8kW-12kW AI 電源設(shè)計(jì)
三相準(zhǔn)單級變換器：面向 8kW-12kW AI 電源設(shè)計(jì)的拓?fù)渑c碳化硅驅(qū)動(dòng) 在過去十年中，全球計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施經(jīng)歷了從通用計(jì)算向以圖形處理器（GPU）和張量...
2026-03-06 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)變換器AI 681 0
基于有限集模型預(yù)測控制（FS-MPC）的SiC三電平NPC拓?fù)鋭?dòng)態(tài)均壓與熱失衡智能調(diào)制策略研究
在全球能源轉(zhuǎn)型、交通電氣化以及高壓直流配電網(wǎng)快速發(fā)展的宏觀背景下，電力電子變換器正向著高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率以及高可靠性的方向加速演進(jìn) 。
電池雙向DC-DC變換器：800V架構(gòu)下的DAB拓?fù)渑c碳化硅零反向恢復(fù)特性研究報(bào)告
隨著全球可再生能源并網(wǎng)比例的持續(xù)攀升以及電動(dòng)汽車（EV）超充技術(shù)的普及，儲能系統(tǒng)（ESS）和車載動(dòng)力系統(tǒng)正經(jīng)歷著一場深刻的電壓架構(gòu)變革。
利用TinySwitch-5開關(guān)IC產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)12W反激式變換器設(shè)計(jì)
TinySwitch-5開關(guān)IC產(chǎn)品系列在采用簡單的二極管整流和光耦器反饋的同時(shí)，重新定義了高性能反激式電源。我們最新的參考設(shè)計(jì)報(bào)告RDR?1090展示...
固態(tài)變壓器（Solid State Transformer, SST）的 DC/DC 隔離級目前在學(xué)術(shù)界和工業(yè)界最通用的拓?fù)涫请p有源橋變換器（Dual ...
2026-02-24 標(biāo)簽：變換器SiC固態(tài)變壓器 379 0
電力電子變換器中環(huán)流動(dòng)力學(xué)：產(chǎn)生機(jī)理、利用策略與碳化硅(SiC) MOSFET技術(shù)的范式轉(zhuǎn)變
電力電子變換器中環(huán)流動(dòng)力學(xué)：產(chǎn)生機(jī)理、利用策略與碳化硅(SiC) MOSFET技術(shù)的范式轉(zhuǎn)變 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semicond...
新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交錯(cuò)并聯(lián)LLC諧振變換器評估板
新品碳化硅SiC5.5kW三相交錯(cuò)并聯(lián)LLC諧振變換器評估板EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC5.5kW三相交錯(cuò)并聯(lián)LLC諧振變換器，能將400...
NE2281 PFC芯片，拼對拼替換 ON NCL2801 主要應(yīng)用于boost PFC變換器
NE2281 PFC芯片，拼對拼替換 ON NCL2801 主要應(yīng)用于boost PFC變換器
先楫方案 | 高達(dá)3.3KW+95%！國產(chǎn)高性能數(shù)字電源解決方案
上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司（先楫半導(dǎo)體，HPMicro）基于高性能國產(chǎn)MCUHPM5361推出全新高性能單相BoostPFC+全橋LLC數(shù)字電源解決方案...
長工微電子亮相2025英特爾技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)生態(tài)大會
從云端到邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn)，算力成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新與數(shù)智化轉(zhuǎn)型的核心引擎。服務(wù)器發(fā)展面臨著性能、密度與能效的挑戰(zhàn)，高效、穩(wěn)定的電源管理方案是保障算力輸出、實(shí)現(xiàn)更...
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