SiC市場領導者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET技術，擴大了終端系統的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds（on），大大減小了熱管理系統的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉換設計者提供了更多的創新空間，方便實現尺寸更小、速度更快、溫度更低、效率更高的電源設計方案。這也是新一代電力轉換系統與硅成本平價的解決方案。

　　圖 基于900V SiC MOSFET平臺的C3M0065090J

　　世強代理的C3M0065090J，是該平臺的主導產品，其額定工作電壓/電流分別為900V/32A；在25°C條件下，可以實現最低至65 mΩ的額定導通電阻，在更高溫度（Tj=150°C）工作時，導通電阻Rds（ON）也只有90mΩ，減少了系統的冷卻需求。另外，該產品不僅擁有業界標準的TO247-3/TO220-3封裝，還能夠提供低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝，采用了開爾文（Kelvin）連接以幫助減小柵極振蕩。C3M0065090J適合用于包括可再生能源逆變器、電動汽車充電系統、三相工業電源、高電壓直流/直流轉換器、關模式電源在內的高頻電力電子應用。

　　目前，世強已全面代理了Cree SiC相關產品，并且保證具有競爭力的價格，歡迎致電咨詢訂購。

　　C3M0065090J的功能與特點：

　　? 采用卓越的C3M SiC Mosfet平面技術，n溝道增強型場效應晶體管技術；

　　? 高阻斷電壓、高開關頻率、高功率密度；

　　? 應用快速體二極管，反向恢復時間短；

　　? 額定電壓/電流值為900V/32A，額定導通電阻最低至65mΩ（25°C）、90mΩ（Tj=150°C）；

　　? 標準TO247-3/TO220-3封裝和低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝；

　　? 無鹵素、通過無鉛認證；

　　相關產品詳情

　　碳化硅MOSFET

　　C3M0065090J

　　關于世強

　　世強先進成立于1993年，是包括安華高、瑞薩電子、Silicon Labs、Rogers、Melexis、英飛凌、acam、Alliance、Micrel、Littelfuse、NEMICON、EMC & RF Labs、EPSON、Cpyress、Vincotech、SMI、理光微電子、是德等在內的全球知名半導體企業及測試測量儀器公司在大中國區的重要分銷商，同時也是眾多電子制造和研發企業的重要供應商，產品業務除了覆蓋傳統的工業、通信、消費和汽車電子領域，更為新興的物聯網、車聯網、可穿戴設備、智能移動終端等市場帶來更多前沿技術和創新產品。

　　作為技術驅動型分銷企業 ，世強還擁有成熟的技術支持團隊和系統的服務流程，根據需求向客戶提供新產品推介、快速樣品、應用咨詢、方案及軟件設計、開發環境、售后及物流等方面的專業服務。2014年，世強年銷售額2.32億美金，在全國設有17個分公司和辦事處，擁有員工近500人。