第三代雙溝槽結構SiC-MOSFET介紹
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。
獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
然而，普通的單溝槽結構由于柵極溝槽底部電場集中而存在長期可靠性相關的課題。針對這類課題，ROHM開發的雙溝槽結構通過在源極部分也設置溝槽結構，緩和了柵極溝槽底部的電場集中問題，確保了長期可靠性，從而成功投入量產。
這款采用雙溝槽結構的SiC-MOSFET，與正在量產中的第2代平面型（DMOS結構）SiC-MOSFET相比，導通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。
實際的SiC-MOSFET產品
下面是可供應的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復特性在內，特性得到大幅提升。
一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結構SiC-MOSFET。
審核編輯黃宇
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