導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過(guò)的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
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半導(dǎo)體生產(chǎn)商ROHM株式會(huì)社（總部：京都市）開發(fā)出了車載電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向等用途的長(zhǎng)邊電極類型電流檢測(cè)用超低阻值貼片電阻器“PML100系列”，6432（2512）的尺寸可以實(shí)現(xiàn)3W的額定功率。該產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規(guī)模開始量產(chǎn)（樣品價(jià)格：20日元）。生產(chǎn)地是ROHM
2011-01-28 09:11:121170 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社開發(fā)出導(dǎo)通電阻值降低到Max0.5m、同時(shí)使額定電流大幅提高的超低阻值跳線電阻器PMR跳線系列。本產(chǎn)品已經(jīng)開始提供樣品(樣品價(jià)格：20日元/個(gè)。此次
2011-11-01 09:51:531121 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083396 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 瑞薩電子開發(fā)第三代車載SJ-MOSFET，計(jì)劃1～2年內(nèi)開始量產(chǎn)。該器件降低了導(dǎo)通電阻和EMI（電磁噪聲）...
2013-05-31 09:22:201805 ? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
2012-04-13 09:19:341861 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備，開發(fā)出一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器*1）“BD83070GWL”，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了超高效率和超低消耗電流。
2019-07-11 17:35:441411 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 ROHM擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jī)的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的單位面積導(dǎo)通電阻*3。－40V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻較以往產(chǎn)品降低62%、－60V耐壓產(chǎn)的導(dǎo)
2020-12-26 10:31:422624 羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。
2022-03-09 09:33:583805 
有助于提高空調(diào)、電動(dòng)汽車充電樁等的電源效率并為減少噪聲對(duì)策做出貢獻(xiàn) ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向在空調(diào)和電動(dòng)汽車充電樁等需要大功率的工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了
2022-06-27 09:45:401637 
，Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡(jiǎn)化大功率設(shè)計(jì)中常見的開關(guān)行為和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì)，并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品）制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導(dǎo)通電阻大幅下降，開關(guān)損耗降低，安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術(shù)主要的提升在于三個(gè)部分，首
2025-02-13 00:21:001526 （on）電阻值會(huì)隨著電流增大輕微上升，因此選擇時(shí)需要留有余量。
（3）Rds（on）低的MOSFET通常成本比較高，可以通過(guò)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路，改進(jìn)散熱等方式，選用Rds（on）較大一些的的低成本器件。
2025-12-23 06:15:35
系列為例，介紹trr的高速化帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
。此外，為了進(jìn)一步提高電機(jī)的效率并減小尺寸，對(duì)于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。在這種背景下，ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發(fā)出在Nch
2021-07-14 15:17:34
降低損耗”為目標(biāo)開發(fā)而成的。一般而言，導(dǎo)通電阻和Qg存在權(quán)衡關(guān)系，但利用ROHM獨(dú)有的工藝技術(shù)和優(yōu)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了兩者的高度平衡。※PrestoMOS是ROHM的商標(biāo)。開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗更低
2018-12-04 10:23:36
MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導(dǎo)通電阻特性的系列產(chǎn)品。下面是ROHM第一代標(biāo)準(zhǔn)特性的AN系列、其他公司同等產(chǎn)品及EN系列的噪聲特性比較圖。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導(dǎo)通電阻
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強(qiáng)了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開關(guān)已經(jīng)開發(fā)了通過(guò)減少音頻爆破音的可能性來(lái)加強(qiáng)語(yǔ)音體驗(yàn)。它們包括了最近的特性,具體地說(shuō)是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時(shí)間和允許負(fù)電壓信號(hào)的能力。
2011-03-02 23:11:29
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進(jìn)獨(dú)自開發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實(shí)現(xiàn)了650V的高耐壓，還實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，開關(guān)速度也非常快。這將大大改善開關(guān)即MOSFET的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗。這
2019-04-29 01:41:22
。另外，這里提供的數(shù)據(jù)是在ROHM試驗(yàn)環(huán)境下的結(jié)果。驅(qū)動(dòng)電路等條件不同，結(jié)果也可能不同。關(guān)鍵要點(diǎn):?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導(dǎo)通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流范圍優(yōu)于IGBT。?SiC-MOSFET的開關(guān)損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻。 不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類問(wèn)題）ROHM通過(guò)開發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
紅包，以上感謝您的支持與理解▌產(chǎn)品展示一、模擬技術(shù)01 世界最少消費(fèi)電流DC/DC轉(zhuǎn)換器 “Nano Energy”ROHM面向移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備等電池驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)備，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)世界最小消耗
2018-10-17 16:16:17
器件相比，具有更低的導(dǎo)通電阻和更高的電壓耐受能力。（圖片來(lái)源：ROHM Semiconductor）標(biāo)準(zhǔn)硅 MOSFET 在高至 150°C 的溫度條件下工作時(shí)，RDS(on) 導(dǎo)通電阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開關(guān)，可通過(guò)軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過(guò)故障保護(hù)和電源良好信號(hào)提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
，二邊的P區(qū)中間夾著一個(gè)N區(qū)，由于二個(gè)P區(qū)在外面通過(guò)S極連在一起，因此，這個(gè)結(jié)構(gòu)形成了標(biāo)準(zhǔn)的JFET結(jié)構(gòu)。 4 隔離柵SGT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 功率MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個(gè)相互
2016-10-10 10:58:30
用的電路板可以更加小型化，而且線路安裝設(shè)計(jì)也有了更大的靈活性。另外，由于采用了新開發(fā)的低導(dǎo)通電阻芯片，在使封裝小型化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)有SOP8 Dual產(chǎn)品同樣低的導(dǎo)通電阻。ROHM將要逐步大量生產(chǎn)封裝
2018-08-24 16:56:26
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響”。本次也采用同樣的方法展開探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為和，同樣按兩個(gè)步驟來(lái)推導(dǎo)。開關(guān)
2018-11-30 11:48:22
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導(dǎo)電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除導(dǎo)通時(shí)低摻雜的高耐壓外延層對(duì)導(dǎo)通電阻只能起增大作用外并無(wú)其他用途。這樣，是否可以將導(dǎo)電通道以高摻雜較低電阻率實(shí)現(xiàn)，而在MOS
2018-11-01 15:01:12
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30％，實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。另外，通過(guò)獨(dú)創(chuàng)的安裝技術(shù)，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體
2019-03-18 23:16:12
空調(diào)、冰箱等白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型。此次開發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨(dú)有的壽命控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極快的反向恢復(fù)
2020-03-12 10:08:31
空調(diào)、冰箱等白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型。此次開發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨(dú)有的壽命控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極快的反向恢復(fù)
2020-03-12 10:08:47
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過(guò)采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
銳駿半導(dǎo)體本周正式發(fā)布兩款全新超低導(dǎo) 通電阻MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產(chǎn)品均采用DFN5060封裝，憑借先進(jìn)
2024-10-14 09:40:16
。當(dāng)然晶閘管是兩個(gè)雙極型晶體管的組 合，又加上因大面積帶來(lái)的大電容，所以其dv/dt能力是較為脆弱的。對(duì)di/dt來(lái)說(shuō)，它還存在一個(gè)導(dǎo)通區(qū)的擴(kuò)展問(wèn)題，所以也帶來(lái)相當(dāng)嚴(yán)格的限制。 功率MOSFET
2023-02-27 11:52:38
。本篇將以ROHM的產(chǎn)品陣容及其特征作為SJ-MOSFET的具體案例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。SJ-MOSFET的種類以ROHM為例，SJ-MOSFET是根據(jù)噪聲、導(dǎo)通電阻、高速性及獨(dú)有結(jié)構(gòu)等進(jìn)行分類的。首先來(lái)看一
2018-12-03 14:27:05
IR智能電源開關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)
2010-03-19 09:14:551514 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 半導(dǎo)體生產(chǎn)商ROHM株式會(huì)社開發(fā)出了車載電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向等用途的長(zhǎng)邊電極類型電流檢測(cè)用超低阻值貼片電阻器“PML100系列”，6432(2512)的尺寸可以實(shí)現(xiàn)3W的額定功率。該產(chǎn)品已經(jīng)
2010-09-14 09:22:261185 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)株式會(huì)社全新研發(fā)出超低阻值Jumper型電阻“PMR Jumper系列”，可將最大導(dǎo)通電阻值降低至0.5毫歐姆，同時(shí)并大幅提高額定電流
2011-11-28 09:23:131961 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng)，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。
2012-05-04 11:53:101749 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，導(dǎo)通電阻大大降低，有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:462565 一種超低比導(dǎo)通電阻的L型柵漏極LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:03
4 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻
2018-10-13 11:03:01728 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:404976 Charger：OBC）等領(lǐng)域擁有很高的市場(chǎng)份額。此次，導(dǎo)通電阻和短路耐受時(shí)間之間取得更好權(quán)衡的第4代SiC MOSFET的推出，除現(xiàn)有市場(chǎng)之外，還將加速在以主機(jī)逆變器為主的市場(chǎng)中的應(yīng)用。
2020-06-19 14:21:075094 
對(duì)于功率半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:121262 ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:122665 對(duì)于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對(duì)于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。
2021-05-01 17:26:0020570 
在當(dāng)今的電力電子市場(chǎng)上，與其他電子領(lǐng)域一樣，降低成本是保持競(jìng)爭(zhēng)力的必要條件。新一代高壓功率MOSFET提供了與上一代器件相同的芯片面積的通電電阻（RDS（on））。也正在使用這項(xiàng)技術(shù)生產(chǎn)更小的芯片MOSFET，其RDS（on）與上一代器件相同，但價(jià)格較低。
2021-04-21 09:19:2433 分立MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻，縮寫為R DS （on）。這個(gè)R DS （on）的想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單：當(dāng)FET截止時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高 - 我們假設(shè)零電流流動(dòng)。
2021-05-15 09:49:5614520 
導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測(cè)量導(dǎo)通電阻的方法有測(cè)量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬(wàn)用表測(cè)量法、接地?fù)u表測(cè)量法以及專用儀器測(cè)量法。
2022-01-29 15:49:0029359 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒(méi)有競(jìng) 爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 功率元器件——第4代SiC MOSFET。 羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品，目前不僅可供應(yīng)裸芯片，還可供應(yīng)分立封裝的產(chǎn)品。該產(chǎn)品有助于實(shí)現(xiàn)車載逆變器和各種開關(guān)電源
2022-03-19 11:12:212869 包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? 與使用當(dāng)前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%。對(duì)新型
2022-04-01 09:12:423969 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向需要對(duì)電子電路進(jìn)行電壓監(jiān)控以確保安全的各種車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用（包括車輛引擎控制單元和FA設(shè)備），開發(fā)出具有高精度和超低靜態(tài)電流的復(fù)位IC*1（電壓檢測(cè)器）“BD48HW0G-C”。
2022-07-06 12:38:142856 ROHM開發(fā)出一款設(shè)備端學(xué)習(xí)*AI芯片(配備設(shè)備端學(xué)習(xí)AI加速器的SoC)，該產(chǎn)品利用AI(人工智能)技術(shù)，能以超低功耗實(shí)時(shí)預(yù)測(cè)內(nèi)置電機(jī)和傳感器等的電子設(shè)備的故障(故障跡象檢測(cè))，非常適用于IoT領(lǐng)域的邊緣計(jì)算設(shè)備和端點(diǎn)*1。
2022-10-14 09:05:321436 
)(統(tǒng)稱“東芝”)已經(jīng)開發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:491397 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:071710 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng) 用，開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:161651 
波動(dòng)，起到開關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻也會(huì)提高，效率會(huì)變差，因此，如何同時(shí)兼顧更高耐壓和更低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。風(fēng)扇電機(jī)通常會(huì)使用多個(gè)MOSFET進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，為了節(jié)
2023-09-14 19:12:411130 
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)。0.5Ω（典型值）超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號(hào)的特性使其非常適合應(yīng)用于音頻領(lǐng)域。
2023-10-18 09:21:403518 
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:561060 和電泵用電機(jī)的性能提升，對(duì)于在這些應(yīng)用中發(fā)揮開關(guān)作用的MOSFET的更小型產(chǎn)品需求高漲。通常，對(duì)于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性理想平衡的同時(shí)，很難進(jìn)一步縮
2023-12-08 17:38:081200 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱為柵氧化物。當(dāng)柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時(shí)，柵氧化物下方的襯底表面形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)源極和漏極之間的導(dǎo)通。
2024-08-01 09:19:552997 近日，銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，為市場(chǎng)帶來(lái)了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 VishayTrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET，具有業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻RDS(on)的特性，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通損耗以及功耗。并擁有低柵極總電荷的特性。采用
2024-10-25 16:08:43948 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)現(xiàn)雙向電路保護(hù)，還可以通過(guò)改變引腳連接來(lái)作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級(jí)，高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸，為風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供高性能
2025-04-30 18:33:29877 
~兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻，被全球知名云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布，開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1
2025-06-05 13:15:05711 
仁懋電子（MOT）推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-10 16:12:40305 
仁懋電子（MOT）推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-10 16:17:38296 靠性驗(yàn)證過(guò)程中，經(jīng)常遇到因導(dǎo)通電阻選型不當(dāng)導(dǎo)致效率降低、采樣偏差或誤動(dòng)作的問(wèn)題。一、RDS(on)的基本定義與作用MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on)是指器件在完全導(dǎo)
2025-11-12 11:02:47339 
設(shè)計(jì)的優(yōu)選。然而，在實(shí)際市場(chǎng)中，是否真的存在0.42mΩ的超低導(dǎo)通電阻MOSFET？本文MDD將探討這種超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場(chǎng)應(yīng)用、優(yōu)勢(shì)及其面臨的挑戰(zhàn)。一、0
2025-12-16 11:01:13198 
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