“雙碳時代”已緩緩拉開帷幕，各行各業都將面臨減排挑戰。在電動車領域中，如何開發出小型化、更低功耗、更高性能的電控系統已成為產業鏈上下共同探索的方向。羅姆半導體集團順應時代發展潮流，開發出新型碳化硅功率元器件——第4代SiC MOSFET。

羅姆于2020年完成開發的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現業內超低導通電阻的產品，目前不僅可供應裸芯片，還可供應分立封裝的產品。該產品有助于實現車載逆變器和各種開關電源等各種應用的小型化和低功耗。

與Si（硅）半導體相比，SiC（碳化硅）半導體的禁帶寬度更大，因此，其擊穿場強是Si半導體的10倍以上。相對于Si MOSFET支持在1,000V以內工作，SiC MOSFET則可在高達3,000V的高電壓條件下工作。該手冊將圍繞以下內容詮釋“改變世界的碳化硅功率元器件”。百

第4代SiC MOSFET擁有諸多優勢，是第3代SiC MOSFET的溝槽柵結構的進一步演進，將導通電阻降低約40%，開關損失降低約50%。如果推進高電壓化（400V和800V）和大容量化（50kW-350kW），能實現續航距離的延長和快速充電的時間縮短，減少能源損失。對轉換器的開關頻率高頻化、負載變化率大，輕負載運轉較多的EV有降低損耗的效果，使得續航距離延長，運行成本降低。

SiC功率半導體是在提高便利性的同時，EV、數據中心、基站、智能電網等高電壓和大容量的應用中，是提高功率轉換效率的關鍵功率設備。活用這些高速開關性能，對低導通電阻對功率轉換效率的提高有很大的貢獻。本應用筆記使用第4代SiC MOSFET，進行了基本的降壓型DC-DC轉換器的實機驗證、EV的牽引逆變器模擬行駛試驗，以及確Totem-pole PFC 的實機有用性。

審核編輯：何安