國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機驅動應用,包括冰箱和空調的壓縮機。
2012-09-05 11:09:19
1327 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列,藉以優化在10kHz以下操作的馬達驅動應用,包括冰箱及空調的壓縮機。
2012-09-06 09:51:00
2108 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1488 近日,德州儀器 (TI) 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:11
3206 在研究逆變電路的損耗時,所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現預期的電路工作和特性,同時還需要進行優化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關損耗和導通損耗進行分析,以此介紹選擇合適器件的方法。
2025-03-27 14:20:36
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款斷態輸出端額定電壓分別為400V和600V的光繼器---“TLP223GA”和“TLP223J”。這兩款器件都具有低輸入電流以及優化的開關特性,并采用DIP4封裝。產品于今日開始支持批量出貨。
2022-01-18 13:56:36
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? Mini家族的產品陣容。該系列智能功率模塊采用了全新的600V逆導型驅動器2(RCD2)IGBT技術,并且帶有開放式發射極。CIPOS IM523系列智能功率模塊集成多種功率和控制器件來提高
2022-10-31 18:01:08
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? —小型高邊和低邊開關(8通道)— ? 中國上海, 2023 年 2 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN
2023-02-07 14:56:11
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線。該器件采用超級結結構,耐壓600V,適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品,于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品的
2023-06-13 16:38:50
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X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻,比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:14
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-通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機電路板尺寸- ? 中國上海, 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50
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進一步實現小型化。開關損耗大幅降低,可進一步提升大功率應用的效率ROHM利用獨有的內部結構并優化散熱設計開發出新型封裝,從而開發并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產品。由此,全SiC功率模塊在工業
2018-12-04 10:20:43
各位大師 請教個問題本人有臺開關電源600V/3A。整流后經四個大容,四個場效應管組成的對管,后經變壓器,再經整流。開電沒問題。只要工作就燒開關管,大功率場效應管,兩個對管。問問是怎么回事,會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
中國上海,2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正(PFC)電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
對于常見功率器件,整流橋,電解電容,IGBT,MOS管,這些功率器件的熱損耗功率該怎么計算?
尤其是電解電容,在母線支撐電路中,受到母線電壓跌落幅值的影響功率損耗很大,所以在常規的380V變頻器電解電容選型中,以輸出電流為準,多少A的電流應該配備多大容量的電解電容?
2024-06-12 16:44:14
。由于SiC功率元器件在節能和小型化方面非常有效,因此,希望在這里能加深對元器件的了解,以幫助大家更得心應手地使用它。關鍵要點:?SiC功率元器件是能夠降低損耗,并高溫環境的工作特性優異的新一代低損耗
2018-11-29 14:39:47
的目的。這種器件的制造水平是1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz左右(參考)。(3).可控硅SCR可控硅在大電流、高耐壓場合還是必須的,但在常規工業控制的低壓、中小電流控制中,已
2018-05-08 10:08:40
的功率損耗有關,這會影響熱性能,進而影響系統重量、尺寸和成本。隨著具有更高功率水平的逆變器的開發,減少功率損耗的需求將繼續存在,特別是隨著每輛車電機數量的增加以及卡車向純電動汽車的遷移。牽引逆變器傳統上
2022-11-02 12:02:05
阻,直流電機驅動,新型,推出,器件,業界,應用設計,承載能力,傳導損耗<br/>【DOI】:CNKI:SUN:DZZZ.0.2010-04-006<br
2010-05-06 08:55:20
Neway電機方案的小型化設計Neway電機方案的小型化設計通過核心器件創新、電路優化、封裝革新及散熱強化,實現了體積縮減40%、功率密度提升至120W/in3的突破,具體設計要點如下:一、核心器件
2025-12-17 09:35:07
二極管通電導致的元件劣化問題等特點的產品。與一般的同規格IGBT模塊相比,開關損耗降低了77%,可高頻驅動,因此還非常有助于周邊元器件和冷卻系統等的小型化。其可用于電機驅動、太陽能發電、轉換器等多元化
2019-04-12 05:03:38
的可靠性600V耐壓為380V工業母線系統提供充足余量,其負壓耐受能力可抑制寄生電感引起的電壓尖峰。2.集成化與成本優化相比分立方案,單芯片集成高低邊驅動可減少光耦或隔離電源數量,降低BOM復雜度和布板
2025-11-20 08:47:23
一、概述:高性能半橋驅動SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器,具備獨立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對稱
2025-11-21 08:35:25
: SLM2184SCA-13GTR的核心價值在于其高集成度(SOP8小封裝)、高壓能力(600V)、強勁的驅動電流(950mA) 以及內置的智能保護功能(死區時間、UVLO、關斷引腳)。它為開發緊湊、可靠的高壓功率驅動系統提供了一個高效的單芯片解決方案。#SLM2184 #高壓半橋驅動 #半橋驅動 #門極驅動
2025-08-26 09:15:40
,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動,從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小(可實現小型封裝),而且體
2019-05-07 06:21:55
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化(例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-05-06 09:15:52
相比,能夠以具有更高的雜質濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V~數千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成,因此采用SiC可以得到單位面積導通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
/電子設備實現包括消減待機功耗在內的節能目標。在這種背景下,削減功率轉換時產生的能耗是當務之急。不用說,必須將超過Si極限的物質應用于功率元器件。例如,利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
逆變器、UPS不間斷電源
工業自動化設備中的功率驅動部分
總結SiLM2186CA-DG (SOP8) 是一款在性能、可靠性和兼容性方面表現均衡的高壓半橋驅動器,600V耐壓、3A灌電流能力
2025-08-23 09:36:06
在工業風機、家電壓縮機或通用電機驅動等高壓應用中,一個簡潔可靠的半橋驅動電路是系統穩定運行的基礎。SiLM2206CJ半橋門極驅動器,集成了關鍵的自舉二極管,支持高達600V的母線電壓,在幫助簡化高
2025-12-31 08:22:18
SiLM2234 600V半橋門極驅動器,支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力,專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅動設計,內部集成自舉二極管,顯著簡化外部電路設計,具備優異的抗負向
2025-09-11 08:34:41
:快速的開關特性和足夠的驅動電流,可以有效降低功率器件的開關損耗,這意味著更高的電源轉換效率和更輕的散熱設計負擔。
設計更簡單,成本更低:高邊直驅的設計顯著簡化了電路拓撲,節省了隔離電源等元件的成本
2026-01-04 08:59:29
在工業電機控制、新能源逆變器及大功率開關電源等高壓應用領域,系統設計長期面臨著高壓干擾、驅動效率低下以及高邊驅動設計復雜的核心痛點。為應對這些挑戰,600V半橋門極驅動芯片SiLM2285
2025-09-05 08:31:35
和IGBT器件的可靠驅動,助力高壓功率器件實現可靠且高效的運行。
寬電壓耐受,驅動更可靠
1. 600V母線電壓支持:適配工業開關電源、電機驅動等高壓應用場景,穩定應對高電壓波動。
2. 20V VCC寬
2025-10-21 09:09:18
在工業電機、新能源逆變器或大功率電源中,驅動電路的可靠性直接決定整體性能。面對高壓環境下的噪聲干擾、開關損耗以及高邊驅動設計復雜等實際挑戰,SiLM22868提供了一種扎實的解決方案。這款600V
2025-12-23 08:36:15
升/下降時間及170ns典型傳播延遲,顯著降低開關損耗,提升高頻應用下的轉換效率和功率密度。
高邊直驅設計: 獨特的浮動通道設計,支持直接驅動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT,無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
。 不僅如此,羅姆正在不斷提高驅動這些功率元器件的IC的耐壓性能。以往耐壓數十伏的羅姆IC,如今耐壓性能已經提高到600V,可驅動各種耐壓水平的功率元器件。 對于需要絕緣的整機產品,可使用2012年5月
2018-09-26 09:44:59
的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關損耗、2)開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
的數值,則可以降低總功率損耗。如果相電流很高,就會提高柵極驅動電壓,以便降低RDS(on)和導通損耗。IR的CHIL?數字控制技術讓我們能夠針對MOSFET、相位數量和每個相位的電流水平來優化這些參數,從而利用服務器VR解決方案實現最大效率增益。
2018-11-29 17:00:15
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
請問一下各位高手,如何去降低電機的功率!在不改動負載、電壓的條件下!可以加個元器件什么的!
2014-12-17 12:03:29
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
近年來,功率半導體廠商致力于提高器件的開關速度,這帶來了開關損耗降低和系統能效提升的益處。這些功率器件需要優化的直流電路寄生電感(L?)。為了滿足具有大電流的高功率應用的需求,推出了一種全新的芯片
2018-12-07 10:16:11
1、摘要通帶插入損耗是無源射頻器件(如濾波器,發射合路器,電纜)的重要指標。而用常見的單臺功率計輸入輸出測試法卻不能獲得準確的結果。本文解釋了產生誤差的原因,并描述了一種在工程中極為實用的雙功率計
2019-06-10 07:53:22
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路(HVIC)。這19款新型HVIC采用半橋設計,配有高端和低端驅動器,可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
電機控制
銳駿Super Trench MOSFET系列產品采用屏蔽柵深溝槽技術,全面提升了器件的開關特性和導通特性,同時降低了器件的特征導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg), 配合先進的封裝技術
2024-09-23 17:07:50
問下雙向可控硅的最大功率怎么看? 比如BT134-600 的最大電壓是600V 電流是4A,那最大功率是600*4=2400W咯?
2019-07-05 16:28:57
在工業電機、新能源逆變器等高功率應用的設計中,你是否也在高壓驅動的門檻前反復權衡?
如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作,驅動大功率MOSFET或IGBT,什么樣的門極驅動器才能在高頻開關
2025-12-03 08:25:35
超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰, Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數校正器(PFC
2009-12-31 10:03:11
1237 適用于節能家電的創新功率轉換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列(RC指逆向導
2010-01-23 08:37:07
1431 英飛凌推出適用于節能家電的創新功率轉換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列(RC指
2010-01-25 08:44:19
1090 600V MOSFET繼續擴展Super Junction FET技術
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:18
1434 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:34
2107 IR推出汽車驅動應用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,適用于汽車電機驅動、微型逆變器驅動和通用三相逆變器應用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:41
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:57
2028 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43
1012 在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上,英飛凌科技600V逆導型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現最高達96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13
950 羅姆開發了采用SiC功率元件的功率模塊,額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發的。之所以能承受1000A的大電流,是因為采用了溝
2011-10-12 09:48:46
1712 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優化
2011-10-13 09:03:46
1170 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅動應用。
2011-10-21 09:45:21
1990 美國Transphorm公司發布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN元器件研究人員為核心創建的風險企業,因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:44
2262 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗,旨在為焊接應用做出優化。
2014-08-19 16:31:53
3853 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日發布600V車用IGBT產品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅動應用而優化,包括空調壓縮機應用等。
2014-12-11 11:48:09
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基于數十年的電源管理創新經驗,德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片,從而使TI成為首家,也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。
2016-05-05 14:41:39
1153 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:11
2189 商業化正處于起步階段,FS技術更是遠遠落后于發達國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法,并通過
2019-12-19 17:59:00
25 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:35
2298 以IMD112T iMOTION? Driver, iMOTION?智能驅動器——帶功率器件驅動的電機控制器為核心的吊扇方案,功率器件:PFC采用8A 650V TRENCHSTOP?5 H5 IGBT ,逆變器采用3A 600V逆導型IGBT。
2022-06-15 10:06:16
2179 外殼的設計很重要。第三種可能是提高操作溫度。高溫路線圖要求器件在 175°C 下運行,將來甚至在 200°C 下運行。 對于第一個方面,降低損耗,我們需要轉向基于碳化硅和氮化鎵的功率器件。對于 EV 應用,我們將討論 600 至 1,200 V 范圍
2022-08-03 10:16:55
1271 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性,能有效提高中頻功率轉換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11
2026 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品,現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53
1079 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %,為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案,同時柵極電荷下降 60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數(FOM)創業界新低。
2022-10-14 16:16:12
1359 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(下稱“東芝”)宣布推出兩款智能功率器件——TPD2015FN高邊開關(8通道)和TPD2017FN低邊開關(8通道),用于控制電機、螺線管、燈具和工業設備可編程邏輯
2023-02-08 13:22:37
705 關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21
1572 
600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 優化內置...
2023-02-08 13:43:21
2074 
中國上海,2023年2月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制電機、螺線管、燈具和其他應用(如工業
2023-02-09 15:30:00
497 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制電機、螺線管、燈具和其他應用(如工業設備的可編程邏輯控制器)中使
2023-02-12 09:37:42
1691 PT5616/PT5616A是全橋驅動IC,在最大阻斷電壓為600V的三相系統中,用于控制功率器件,如MOS晶體管或IGBT。
2023-02-24 18:13:33
3035 優越的電氣參數,呈現出最佳效能 強茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs,以拓展LowVF系列和LowTrr的產品線;此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路,而
2023-03-06 11:56:27
709 有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數量,并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET *1
2023-04-19 17:50:02
1093 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10
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?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(下稱“Toshiba”)推出了兩款適用于直流無刷電動機應用領域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34
1611 表面貼裝型小型封裝有助于減小表貼面積和電機驅動電路板的尺寸
2023-08-28 09:40:39
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抑制功率衰減 [1] ,適用于使用大量繼電器且需要實現高速信號傳輸的半導體測試設備的引腳電子器件。該產品于近日開始支持批量出貨。 TLP3475W采用了東芝經過優化的封裝設計,這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信
2023-10-17 23:10:02
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產品,適用于空調、空氣凈化器和泵等
2023-10-27 11:13:00
1295 美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01
1859 Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術,標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創新產品為通信、工業及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:38
1341 英飛凌再次引領行業潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術創新和卓越性價比,在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:45
1266 電子發燒友網站提供《使用自動扭矩降低步進電機系統的功率損耗.pdf》資料免費下載
2024-09-09 09:45:06
0 電子發燒友網站提供《適用于600V GaN功率級的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費下載
2024-09-21 10:18:06
0 新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級中提供15A、20A和30A三個型號,額定功率高達
2025-04-01 17:34:23
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功率器件是管理和降低各種電子設備電能功耗以及實現碳中和社會的重要元器件。由于與比硅材料相比,碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗,因此碳化硅(SiC)被廣泛視為下一代功率器件的材料。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應用前景,包括車輛電氣化和工業設備小型化
2025-05-16 15:41:40
372 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 揚杰科技近日推出了一款TO-220AB-1 600V 小功率可控硅產品。 核心優勢: 1.低導通壓降(VTM :減少功率損耗,提高能效,降低溫升
2025-06-04 12:05:44
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日本川崎——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)研發了一項創新技術,該技術可在增強溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]的同時,顯著降低其因導通電阻[1]而產生的損耗
2025-06-20 14:18:50
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包括PSS30SF1F6(額定電流30A / 額定電壓600V)和PSS50SF1F6(額定電流50A / 額定電壓600V)。
2025-09-24 10:39:48
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終止(TrenchFSII)技術的600V、7AIGBT。該器件集低損耗、高開關頻率與良好的溫度穩定性于一身,為各類中功率變頻與能源轉換應用提供了優質解決方案。核
2025-12-25 16:57:49
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