在半導體行業持續追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulat....
閂鎖效應（Latch-up）是CMOS集成電路中一種危險的寄生效應，可能導致芯片瞬間失效甚至永久燒毀....
在半導體封裝領域，堆疊技術作為推動高集成度與小型化的核心趨勢，正通過垂直堆疊芯片或封裝實現更緊湊的封....
熱載流子注入效應(Hot Carrier Inject, HCI)是半導體器件(如晶體管)工作時，高....
在功率半導體封裝領域，晶圓級芯片規模封裝技術正引領著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優熱性能方....
薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝：若將薄膜淀積視為 “加法工藝”（通過材料堆積形....
3D封裝架構主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合....
在過去的幾十年里，半導體器件緊湊型模型已經從 BJT Gummel-Poon 模型中的幾個參數發展到....
然而，隨著納米技術的出現，芯片制造過程越來越復雜，晶體管密度增加，導致導線短路或斷路的概率增大，芯片....
硅通孔（TSV）技術借助硅晶圓內部的垂直金屬通孔，達成芯片間的直接電互連。相較于傳統引線鍵合等互連方....
硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術是一種通過在硅介質層中制作垂直導通孔并填....
晶圓級封裝（WLP）與多芯片組件（MCM）作為先進封裝的“雙引擎”，前者在晶圓未切割時即完成再布線與....
半導體封裝正快速走向“堆疊+融合”：PoP把邏輯和存儲垂直整合，先測后疊保良率;光電路組裝用光纖替代....
系統級立體封裝技術作為后摩爾時代集成電路產業的核心突破方向，正以三維集成理念重構電子系統的構建邏輯。
目前車規級IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作，與硅基半導體材料相比， 以SiC為代表的第三代半導體....
SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術的核心設計，是在頂層硅與硅襯底....
隨著集成電路科學與工程的持續發展，當前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子....
隨著封裝技術向小型化、薄型化、輕量化演進，封裝缺陷對可靠性的影響愈發凸顯，為提升封裝質量需深入探究失....
柵極電阻的存在對電路性能的影響很大，會引入熱噪聲，增大電路的噪聲系數，影響器件的開關速度和最大振蕩頻....
HBM通過使用3D堆疊技術，將多個DRAM（動態隨機存取存儲器）芯片堆疊在一起，并通過硅通孔（TSV....
隨著半導體工藝進入納米尺度，傳統體硅（Bulk CMOS）技術面臨寄生電容大、閂鎖效應等瓶頸。SOI....
天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對純度....
想象一下，如果我們能夠"聽見"分子的"聲音"，那會是什么樣的？拉曼光譜技術正是這樣一種神奇的工具，它....
2025 光伏電池的研究起源可追溯至 1883 年，科學家 Charles Fritts 采用硒半導....
PMIC (Power Management Integrated Circuit)：電源管理集成電....
為什么非彈性散射值得我們關注?因為這類散射過程產生了多種信號，每種信號都能提供比彈性電子更豐富的樣品....
離子注入單晶靶材時，因靶體存在特定晶向，其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現各向同性。沿硅晶體....
彈性散射電子是TEM圖像襯度的主要來源，同時也產生衍射圖樣(DPs)的大部分強度，因此理解控制這一過....
拉曼散射通常是一種非常微弱的效應，因為激發的光子與參與散射過程的分子之間存在非諧振的相互作用。因此，....
在空間輻射環境下，高能質子與重離子的作用會誘發單粒子效應。誘發這類單粒子效應的空間輻射，主要來源于兩....
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