在正在舉行的國際存儲研討會2018（IMW 2018）上，應用材料公司Sean Kang介紹了未來幾年3D-NAND的發(fā)展線路圖，到了2021年，3D-NAND的堆疊層數(shù)會超過140層，而且每一層的厚度會不斷的變薄。

身在日本的PC Watch前往了本次會議的研討會，自3D-NAND誕生以來它的堆疊層數(shù)就在不斷的增長，三星造出來的第一代3D V-NAND只有24層，下一代就變成了32層，隨后就變成48層，到了現(xiàn)在大多數(shù)廠商都是64層，而SK海力士則是72層，而下一代的3D-NAND堆疊層數(shù)將超過90層，再下一個階段會超過120層，到了2021年會超過140層。

而閃存的Die Size也隨著堆疊層數(shù)的增長而增長，在32層時代的時候是128Gbit，48層時256Gbit，64/72層是512Gbit，明年的96層閃存應該會達到768Gbit，128層應該會有1024Gbit的Die Size，達到144層時就不清楚會有多大了，肯定會大于等于1024Gbit。

在堆疊層數(shù)增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度缺在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現(xiàn)在的64/72層閃存堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，沒升級一次堆棧厚度都會變成原來的1.8倍，而層厚度會變成0.86倍。

現(xiàn)在各家廠商都在3D NAND上加大力度研發(fā)，盡可能提升自己閃存的存儲密度，此前東芝與西數(shù)就宣布計劃在今年內大規(guī)模生產96層堆疊的BiCS4芯片，并會在年底前發(fā)貨。