。 IC Insights最新資料顯示，隨著Flash市場需求增加，各存儲(chǔ)器業(yè)者為擴(kuò)大或升級(jí)3D NAND生產(chǎn)線，紛紛增加Flash資本支出，使得2017與2018年全球該項(xiàng)支出分別年增92%與16%，達(dá)276億與319億美元，均高于各當(dāng)年半導(dǎo)體業(yè)者在DRAM與晶圓代工上的資本支出。 而隨著主要存儲(chǔ)
2019-01-23 09:24:56
1391 減少資本支出。該公司計(jì)劃在服務(wù)器、NAND閃存及DRAM需求和價(jià)格下降的情況下靈活應(yīng)對市場狀況。 DRAM價(jià)格下降11%，NAND價(jià)格下降21% 隨著2018下半年內(nèi)存需求放緩，供應(yīng)短缺得到解決，內(nèi)存市場環(huán)境迅速變化。因此，SK海力士第四季度合并收入環(huán)比下降13％至9.94萬
2019-01-27 00:35:009508 三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇，并在韓國器興廠區(qū)率先進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號(hào)稱是次世代記憶體，是繼半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM和NAND Flash之后又一劃時(shí)代的創(chuàng)新存儲(chǔ)器
2019-03-06 16:43:287573 畿道華城的三星華城半導(dǎo)體工廠停電約1分鐘。 由于這次事故，三星電子停止了其位于韓國華城芯片工廠的部分DRAM和NAND閃存芯片生產(chǎn)線，該公司目前這些產(chǎn)線正在檢修中。 預(yù)計(jì)損失將小于三星平澤半導(dǎo)體工廠在2018年的損失。在平澤半導(dǎo)體工廠停電期間，三星
2020-01-02 10:45:156202 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)過去一年多低迷期后，近日芯片價(jià)格終于出現(xiàn)反彈跡象，令券商看好三星電子及SK海力士（SK Hynix）兩大韓國芯片業(yè)者今年獲利好轉(zhuǎn)。 券商分析預(yù)計(jì)，今年第一季DRAM及NAND
2020-01-05 00:15:004400 在2019年收入和利潤率大幅下降之后，SK Hynix宣布計(jì)劃削減其資本支出。盡管市場已經(jīng)顯示出復(fù)蘇的跡象，但該公司不確定對DRAM和NAND的需求，因此其投資將變得更加保守和謹(jǐn)慎。因此，SK海力士
2020-02-11 11:37:374372 合同價(jià)格將環(huán)比下跌21%，NAND的環(huán)比價(jià)格跌幅在12%。 ? 存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)芯片大廠計(jì)劃降價(jià) ， 下調(diào)業(yè)績預(yù)期 ? 三星是全球最大的存儲(chǔ)廠商 ， 根據(jù)此前的市場營收份額來看 ， 三星 2022 年
2022-07-10 10:07:515293 根據(jù)IC市場調(diào)研機(jī)構(gòu)最新報(bào)道，盡管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)萎靡不振，三大芯片巨頭英特爾(Intel)、三星(Samsung)與臺(tái)積電(TSMC)仍打算在今年下半年增加資本支出，以求進(jìn)一步拉大與競爭對手之間的差距。據(jù)悉，三大芯片商2016下半年的資本支出估算大概為200億美元，比較上半年增長90%。
2016-08-10 10:58:06843 
三星近來狀況頻傳，在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級(jí)涉及行賄被起訴后，近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心存儲(chǔ)模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回，由于三星于 PC DRAM 市占過半，這次良率出問題除了可能讓三星集團(tuán)的處境雪上加霜外，也會(huì)讓價(jià)格已上揚(yáng)的 PC DRAM 價(jià)格再度飆高。
2017-03-02 07:10:49809 
日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片價(jià)格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425627 3月9日消息 ，在晶圓代工廠產(chǎn)能吃緊的情況下，芯片價(jià)格全面調(diào)漲，中國臺(tái)灣地區(qū) NAND Flash 控制芯片廠商群聯(lián)也從去年第四季度開始調(diào)漲報(bào)價(jià)。業(yè)界認(rèn)為，三星放出奧斯汀工廠 NAND 控制芯片產(chǎn)能
2021-03-09 11:08:364130 步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時(shí)，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
預(yù)告明年的存儲(chǔ)器市況持續(xù)走低。另外，三星高層主管指出，受到需求趨緩、價(jià)格下MAX3232EUE+T滑的影響，市況并不好，三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，三星今年在半導(dǎo)體部門資本支
2012-09-21 16:53:46
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
那樣。即使這樣做，到2014年，一個(gè)DRAM電容器的容量（Cs）也只有2009年的52％。此次，三星通過將DRAM單元的配置由過去的格子狀改成蜂窩狀結(jié)構(gòu)、引進(jìn)減小Cb的“Air Spacer”技術(shù)
2015-12-14 13:45:01
對DRAM價(jià)格帶來不利的影響。三星打什么算盤頗堪玩味，而更多人擔(dān)心，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也許在未來幾年會(huì)有一個(gè)大的翻轉(zhuǎn)，已經(jīng)主導(dǎo)需求超過30年的DRAM、Flash組成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，會(huì)不會(huì)在MRAM等新技術(shù)出現(xiàn)后
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
的話，英特爾預(yù)計(jì)在2017年二季度將實(shí)現(xiàn)144億美元的銷售額，而三星電子的銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到146億美元。因此如果存儲(chǔ)芯片的市場價(jià)格在二季度及余下時(shí)間里都能持續(xù)增長，三星電子將會(huì)取代英特爾成為全球最大
2019-04-24 17:17:53
第三季度銷售額為62.05萬億韓元，同比增加29.8%。凈利潤為11.19萬億韓元。三星第三季度業(yè)績表現(xiàn)不錯(cuò)，主要體現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片價(jià)格持續(xù)高漲以及OLED面板市場供不應(yīng)求。伴隨著三星管理層的重組，加之三星半導(dǎo)體芯片以及OLED面板的擴(kuò)產(chǎn)，可以預(yù)料其第四季度營收也將極為可觀。
2017-11-01 15:56:56
客戶需求。他亦看好網(wǎng)路、伺服器等資訊基礎(chǔ)建設(shè)產(chǎn)品，為了因應(yīng)未來的發(fā)展，美光不會(huì)放棄任何購并的機(jī)會(huì)。此外，三星電子計(jì)劃大舉擴(kuò)張資本支出，業(yè)者認(rèn)為，恐引發(fā)DRAM將再度供過于求。美光并不擔(dān)心DRAM
2022-01-21 08:28:38
增加資本資出擴(kuò)產(chǎn)投資后，DRAM價(jià)格往往是衰退的。2017年的DRAM資本支出上漲81%至163億美元，2018年預(yù)計(jì)將攀升40%至229億美元。在這些水平上的資本支出，通常會(huì)導(dǎo)致大量新增產(chǎn)能，隨后
2018-10-18 17:05:17
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
10%，2009年增長約20%。主要DRAM供應(yīng)商三星(Samsung)電子和海力士(Hynix)半導(dǎo)體的價(jià)格自4月以來反彈，促使業(yè)內(nèi)高管預(yù)期市場供需在今年下半年恢復(fù)平衡。 閃存價(jià)格持平 全球
2008-06-16 14:45:42
對DRAM芯片的強(qiáng)勁需求將繼續(xù)超過供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會(huì)投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應(yīng)。供蘋果新手機(jī)使用的有機(jī)發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤率是40％，但是第一季度過后NAND價(jià)格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來每年
2021-07-13 06:38:27
，計(jì)劃將合作范圍自現(xiàn)行的液晶面板事業(yè)擴(kuò)大至事務(wù)機(jī)事業(yè)。據(jù)報(bào)導(dǎo)，夏普計(jì)劃以O(shè)EM的形式提供事務(wù)機(jī)給三星(即為三星代工生產(chǎn)掛上三星品牌的事務(wù)機(jī)產(chǎn)品)，且為加強(qiáng)彼此的合作關(guān)系，三星也可能對夏普進(jìn)行追加
2013-08-05 14:19:28
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
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2021-07-06 19:32:41
蘋果NAND Flash減單 三星、新帝策略轉(zhuǎn)向
由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應(yīng)NAND Flash數(shù)量相當(dāng)有限，12月供應(yīng)量控制亦開始
2009-11-28 15:59:33568 三星將加大內(nèi)存芯片資本支出并建新生產(chǎn)線
據(jù)韓國媒體報(bào)道，全球最大內(nèi)存芯片生產(chǎn)商三星電子今年可能加大對內(nèi)存芯片的投資，并建立一條新生產(chǎn)線。
2010-01-25 10:03:251092 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 再增加6%，預(yù)期三星、英特爾今年資本支出均年增逾兩位數(shù)，臺(tái)積電則減2%，使得臺(tái)積電今年資本支出預(yù)估100億美元，低于英特爾的120億美元、退居第三位。
2017-03-06 17:38:11754 三星、SK海力士、東芝、西數(shù)、美光和英特爾在將生產(chǎn)線從2D-NAND轉(zhuǎn)至3D-NAND之后，產(chǎn)能和價(jià)格上漲問題將獲得部分緩解。三星位于韓國京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠近日已基本完成，預(yù)計(jì)將在今年7月份開始正式運(yùn)營。
2017-04-13 15:21:544243 
在內(nèi)存市場上三星已經(jīng)占據(jù)了大半的江山，據(jù)悉，明年三星還將繼續(xù)在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍，是想進(jìn)一步壟斷DRAM和NAND閃存市場，可以說這是一場260億美元的豪賭。
2021-08-27 14:38:541349 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:001187 三星靠內(nèi)存芯片價(jià)格暴漲，DRAM芯片、Galaxy S8智能手機(jī)的強(qiáng)勁銷售取得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤，計(jì)劃將給員工發(fā)放相當(dāng)于月工資的4倍的特別獎(jiǎng)金。
2018-01-31 10:26:001071 的NAND flash廠商三星從中獲益最多，依靠NAND flash和DRAM存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)其芯片業(yè)務(wù)營收在2017年一舉超越Intel成為全球最大的半導(dǎo)體企業(yè)，此前Intel霸占全球半導(dǎo)體老大的位置長達(dá)20多年。
2018-05-31 12:10:001612 ，因而引來政府關(guān)注，將可能使今年第一季的 DRAM 價(jià)格受到抑制。而目前三星是全球最大的存儲(chǔ)器芯片廠商，有近 48％ 的全球市占率。
2018-07-02 18:31:00956 根據(jù)韓國媒體的報(bào)導(dǎo)，韓國存儲(chǔ)器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會(huì)在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。 之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 從2016年第一季度至2017年第三季度，這三家公司的全球DRAM芯片銷售額提高了一倍以上，原因是三家公司的產(chǎn)量下降，并串謀操縱芯片價(jià)格。
2018-05-02 09:54:265851 韓國業(yè)界最近指出，三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90億美元，預(yù)計(jì)將以韓國平澤、中國西安為主，擴(kuò)大高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模，期望拉大與其它競爭對手間的差距。
2018-08-05 11:53:421631 日媒報(bào)道稱三星明年的資本支出將下滑8%，其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%，三星針對DRAM產(chǎn)品不會(huì)考慮拼占有率而降價(jià)，砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價(jià)位。
2018-10-09 10:46:394310 報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，雖然針對存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少。但是，在DRAM及NAND Flash快閃存儲(chǔ)器上還是有區(qū)別的。分析師認(rèn)為，三星在2019年的半導(dǎo)體投資將減少8%，但NAND Flash快閃存
2018-10-10 15:38:114645 據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 據(jù)TrendForce旗下的DRAMeXchange發(fā)布的最新報(bào)告顯示，本應(yīng)該是購物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合約采購價(jià)均呈現(xiàn)疲軟的態(tài)勢，其中DRAM預(yù)估下滑5％或更多。所以大家所關(guān)心的內(nèi)存和SSD產(chǎn)品在接下來的一段時(shí)間內(nèi)有希望迎來一波降價(jià)浪潮。
2018-10-11 16:12:291048 據(jù)報(bào)道，三星電子表示持續(xù)兩年的內(nèi)存芯片熱潮已經(jīng)結(jié)束。由于芯片業(yè)務(wù)占三星利潤近五分之四，三星電子今年將削減27％的資本支出。三星還提到，“展望2019，由于季節(jié)性因素，2019年第一季度的盈利將會(huì)疲軟，因?yàn)槿驅(qū)﹄娮釉O(shè)備需求正在不斷下降。
2018-11-02 15:58:36683 據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，三星在DRAM芯片市場占有46%左右的市場份額，在NAND Flash市場占有近四成的市場份額；而NAND Flash存儲(chǔ)芯片從2016年大漲至去年，DRAM則從2016年漲至今
2018-11-05 16:31:564306 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出，在三星及美光等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下，預(yù)估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 據(jù)相關(guān)新聞報(bào)道，三星計(jì)劃明年削減內(nèi)存芯片的產(chǎn)量，使內(nèi)存和閃存的增長率分別低于20%和30%。三星在11月份召開的第三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上說，內(nèi)存的年增長率預(yù)計(jì)為20%左右，閃存為40%左右。
2018-12-28 15:02:233972 持續(xù)上漲兩年多的DRAM內(nèi)存價(jià)格在今年Q4季度終于由漲轉(zhuǎn)跌了，三星、SK Hynix及美光三大內(nèi)存芯片供應(yīng)商都在想方設(shè)法應(yīng)對即將到來的降價(jià)周期，這三家公司已經(jīng)確定會(huì)削減明年的資本支出，不再大幅增加內(nèi)存產(chǎn)能以減緩內(nèi)存降價(jià)趨勢。
2018-12-28 15:04:283401 先前反壟斷局針對DRAM三大業(yè)者，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展開反壟斷嫌疑調(diào)查，據(jù)悉最近調(diào)查已告一段落，調(diào)查與開罰的理由，也從原先的DRAM價(jià)格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售。
2018-12-29 09:22:514036 美光宣布將資本支出削減至30億美元，產(chǎn)能增幅從20%下修到15%左右；SK海力士2019年的資本支出將減少至55億美元；三星宣布終止其平澤工廠的產(chǎn)能擴(kuò)張，三星半導(dǎo)體年產(chǎn)量增長率降至20％左右，創(chuàng)歷史新低。
2019-01-08 14:19:395615 作為全球最大的NAND Flash和DRAM生產(chǎn)商的三星成為最大受益者，其半導(dǎo)體營收快速增長，2017年其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入一舉超越Intel成為全球最大的半導(dǎo)體企業(yè)，奪走了Intel霸占24年的半導(dǎo)體
2019-03-07 08:35:363558 三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后，NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣，決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:554026 在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 隨著NAND Flash價(jià)格的連續(xù)走低，為了防止過量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場崩潰，三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀，具體來講就是全方位
2019-10-12 10:01:221136 本月DRAM現(xiàn)貨價(jià)格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205 如果存儲(chǔ)芯片價(jià)格下滑，DRAM與NAND閃存的銷售額，還能否達(dá)到預(yù)期就存在變數(shù)。研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年全球DRAM的銷售額，將達(dá)到645.55億美元，同比增長3.2%；NAND閃存的銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到560.07億美元，同比增長27.2%。
2020-08-17 16:34:053601 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)： 對目前市場主要的Nand Flash廠商及其產(chǎn)品進(jìn)行梳理，以下是具體內(nèi)容： 三星 1、三星SSD 980 PRO 三星電子推出首款消費(fèi)類PCIe 4.0 NVMe SSD：三星SSD 980
2020-11-04 14:17:5917671 而三星正利用這一時(shí)期擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢，三星計(jì)劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴(kuò)大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248 （41%）與NAND Wafer（8%），由于供貨商數(shù)量遠(yuǎn)高于DRAM，加上供給位元成長的幅度居高不下，預(yù)計(jì)2021年價(jià)格仍將逐季下跌。展望明年第一季，在三星、長江存儲(chǔ)（YMTC）、SK海力士與英特爾
2020-12-15 09:31:301863 近日，據(jù)韓媒報(bào)道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前，三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244 去年存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，今年卻價(jià)格一路向下。據(jù)上海虹口區(qū)一家數(shù)碼電子商城顯示，容量 1TB 的 M2 接口的存儲(chǔ)器三星 980 去年價(jià)格一度上漲至 1400 元左右，目前已經(jīng)不到 700 元。
2022-09-28 14:43:111481 SK海力士透露，第三季度用于設(shè)備和服務(wù)器的DRAM芯片價(jià)格環(huán)比下降了約20%；服務(wù)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場的NAND閃存芯片價(jià)格跌超20%。
2022-10-27 13:03:511456 據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，存儲(chǔ)大廠美光近日表示，正采取進(jìn)一步的動(dòng)作來應(yīng)對存儲(chǔ)市場情況，包含減少DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量，本季將比上季減少20%左右，并計(jì)劃進(jìn)一步削減資本支出。 美光昨日發(fā)布的聲明指出，正在
2022-11-17 11:27:341465 中長期需求。因此，總而言之，今年的(資本支出)計(jì)劃預(yù)計(jì)與前幾年類似。” 不過，1月31日，有行業(yè)消息稱，因今年第一季度可能出現(xiàn)巨額運(yùn)營虧損，三星電子正考慮削減芯片投入，以生產(chǎn)更少的DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)和NAND(計(jì)算機(jī)閃存設(shè)備
2023-02-11 01:48:301226 ? ? ? 近日有消息稱，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四發(fā)布的二季度財(cái)報(bào)中預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)芯片的需求在下半年將逐漸恢復(fù)，但是即便如此，三星電子并沒有計(jì)劃增加產(chǎn)量，并且打算繼續(xù)削減DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量
2023-07-31 10:31:16816 業(yè)界認(rèn)為，三星電子的減產(chǎn)可能會(huì)帶來3d nand價(jià)格上漲的效果，從而可能會(huì)改變nor、slc nand的購買戰(zhàn)略。美國外國人認(rèn)為，slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會(huì)上調(diào)價(jià)格。
2023-09-11 11:35:042024 隨著行動(dòng)內(nèi)存芯片市場跡象顯示出復(fù)蘇跡象，并且最早在第四季度供不應(yīng)求，三星電子已宣布將提高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存芯片的價(jià)格，幅度達(dá)到10%~20%。 韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，知情人
2023-09-13 14:22:341161 據(jù)業(yè)界透露，三星電子存儲(chǔ)器部門最近決定向小米、oppo、谷歌等主要智能手機(jī)制造企業(yè)提出上調(diào)價(jià)格。主要顧客三星電子移動(dòng)保險(xiǎn)（mx）部門也計(jì)劃上調(diào)價(jià)格。一家半導(dǎo)體企業(yè)表示：“中國客戶訂購是因?yàn)橄嘈藕Ｍ怃N售額會(huì)比國內(nèi)銷售額進(jìn)一步增加。”
2023-09-14 10:16:062121 日前有消息稱，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動(dòng)DRAM芯片銷售行業(yè)。
2023-09-14 10:42:471744 9月12日，據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)導(dǎo)，三星電子近期與客戶（谷歌等手機(jī)制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20％。三星電子預(yù)計(jì)，從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場或將供不應(yīng)求。
2023-09-14 10:56:18908 三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會(huì)導(dǎo)致DDR4市場價(jià)格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:081808 據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營造有利的市場氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:501370 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540 在芯片供應(yīng)過剩、需求低迷的情況下，DRAM芯片現(xiàn)貨價(jià)格自2022年2月以來一直處于下跌狀態(tài)。三星和SK海力士自去年底開始大幅削減芯片產(chǎn)量，導(dǎo)致芯片庫存資產(chǎn)觸底反彈，芯片價(jià)格持續(xù)走低。價(jià)格依次回升。
2023-10-09 16:35:591336 三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低，計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
2023-10-10 17:15:371879 Kim Jae-jun補(bǔ)充道：“三星電子將通過維持投資來進(jìn)一步鞏固其在尖端存儲(chǔ)器市場的地位，以確保其中長期競爭力。”三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門計(jì)劃每年投資47.5萬億韓元的資本支出。
2023-11-03 16:17:571753 部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:211562 根據(jù)最新的存儲(chǔ)器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價(jià)格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲(chǔ)器制造商計(jì)劃在Q1上調(diào)DRAM價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)將達(dá)到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:161738 當(dāng)前，人工智能熱潮助推了三星存儲(chǔ)芯片銷售。盡管2023年因DRAM、NAND供應(yīng)異常充足，導(dǎo)致價(jià)格大跌，使其陷入嚴(yán)重虧損，但得益于減產(chǎn)政策的成效，近期此類芯片價(jià)格有所反彈。
2024-01-04 09:41:38968 消息透露，自2023年末起，存儲(chǔ)芯片價(jià)格逐漸上漲；盡管整個(gè)行業(yè)陷入衰退期，受服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用拉動(dòng)，先進(jìn)DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面，NAND閃存需求預(yù)計(jì)將繼續(xù)走弱。
2024-01-09 15:16:121426 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲，這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能，進(jìn)而推動(dòng)了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035 AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動(dòng)著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的飛躍，其中，海量數(shù)據(jù)的激增對存儲(chǔ)容量與性能提出了更高要求，使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益凸顯。在此背景下，全球存儲(chǔ)巨頭如三星和鎧俠，在深耕DRAM市場的同時(shí)，也持續(xù)加大對NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新。
2024-07-05 15:39:371592 近日，三星電子宣布了一項(xiàng)重大市場決策，計(jì)劃在第三季度對其DRAM和NAND閃存存儲(chǔ)芯片進(jìn)行15%-20%的價(jià)格調(diào)整。這一舉措背后，是人工智能領(lǐng)域?qū)Ω咝阅艽鎯?chǔ)芯片需求的急劇攀升，預(yù)示著存儲(chǔ)芯片市場正迎來新一輪的價(jià)格上漲周期。
2024-07-18 09:50:251233 近日，業(yè)界傳出消息，MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減，其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場傳言，三星計(jì)劃在2024年底現(xiàn)貨市場停止銷售MLC NAND，并可能在2025年6月全面
2024-11-20 16:13:301462 近日，信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達(dá)了擔(dān)憂。他預(yù)測，由于客戶庫存過剩，三星電子在2025年上半年可能會(huì)面臨內(nèi)存芯片價(jià)格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出，盡管下半年芯片價(jià)格
2024-11-27 11:22:071225 近日，三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施，以應(yīng)對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報(bào)》報(bào)道，三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過10%，預(yù)計(jì)每月
2025-01-14 10:08:09852 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867 。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉，SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲(chǔ)器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報(bào)告，SK海力士在NAND Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551096 nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P，其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解，在決定啟動(dòng)D1B-P項(xiàng)目時(shí)，三星現(xiàn)有的12nm級(jí)DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071411 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日有消息稱，三星計(jì)劃在今年第四季度將NAND Flash產(chǎn)品的價(jià)格提高10%以上，預(yù)計(jì)最快會(huì)從10月開始漲價(jià)。與此同時(shí)，為了加速去庫存以配合漲價(jià)，三星自今年以來就一直
2023-10-08 09:01:373853
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