據報道，2019年內存制造商試圖通過減緩產能擴張的手段，來避免價格競爭并保持盈利能力。2019年，DRAM市場產量的總資本支出預計約為180億美元，同比減少10%。

美光宣布將資本支出削減至30億美元，產能增幅從20%下修到15%左右；SK海力士2019年的資本支出將減少至55億美元；三星宣布終止其平澤工廠的產能擴張，三星半導體年產量增長率降至20％左右，創歷史新低。

這兩年，DRAM芯片和內存條價格經歷了一波瘋漲，如今已經慢慢回歸理智，而在另一方面，NAND閃存產能一直很充裕，SSD固態硬盤的價格也是持續走低，性價比越來越高。

但是這對于內存、閃存芯片廠商來說，并不是好消息，三星電子、SK海力士、美光三大巨頭就不約而同地要開始刻意控制產能了。

美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度財務電話會議上表示，當前DRAM內存芯片市場查能過剩、庫存持續增加，導致價格下跌、拖累產業。

美光預計明年內存芯片產能增幅為15％，低于此前預期的20％，NAND閃存芯片也只會增長35％，低于此前預計的35-40％。

為了解決供過于求的問題，美光計劃將明年全年的資本支出下調12.5億美元降至95億美元，以減少DRAM內存、NAND閃存芯片產能。

不過產能調整需要時間，美光預計可能要明年下半年才會恢復供需平衡。

同時，三星、SK海力士也有類似的減產計劃，三星更是會增加晶圓代工市場份額，以彌補芯片降價帶來的損失。

市調機構IC Insights預計，明年半導體行業的整體資本支出可能會比今年減少12％，其中三星、Intel、SK海力士、臺積電、美光三巨頭合計減少14％，其他減少約7％。