核心提示:據悉,日前,三星電子在第三季度財報電話會議上宣布,將擴大尖端存儲器的供應,包括10nm第四代(1a)和第五代(1b)DRAM內存以及
據悉,日前,三星電子在第三季度財報電話會議上宣布,將擴大尖端存儲器的供應,包括10nm第四代(1a)和第五代(1b)DRAM內存以及第七代和第八代V-NAND閃存等,而不會進行任何下調。
三星電子副總裁Kim Jae-jun表示:“對于生成式人工智能(AI)等高性能產品運行至關重要的尖端存儲的需求正在迅速增長。另一方面,由于去年以來存儲行業的資本投資削減,我們先進節點工藝的擴展受到限制。”
Kim Jae-jun補充道:“三星電子將通過維持投資來進一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位,以確保其中長期競爭力。”三星電子負責半導體業務的DS部門計劃每年投資47.5萬億韓元的資本支出。
然而,Kim Jae-jun解釋說,對于一些傳統產品,該公司正在繼續調整產量以使庫存正常化,“將進行選擇性的生產調整,以在短時間內使庫存正常化。NAND閃存的供應削減幅度將大于DRAM。”
同日,三星電子公布第三季度財報業績,合并銷售額67.4047萬億韓元,營業利潤為2.4336萬億韓元。三星電子銷售額較去年第三季度下降12.21%,但較今年第二季度增長12.3%;營業利潤較去年同期下降77.57%。不過,這一數字明顯高于市場預測的1.8358萬億韓元。
特別是三星DS部門的經營業績有所改善,營業利潤達到2萬億韓元以上。該公司公布的營業虧損為3.75萬億韓元,與第一季度的4.58萬億韓元和第二季度的4.36萬億韓元相比,虧損大幅縮小。
三星電子涵蓋家電和移動業務的DX部門銷售額達44.2萬億韓元,營業利潤達3.73萬億韓元;以智能手機為主的移動體驗和網絡部門創造了3.3萬億韓元的營業利潤;消費電子和視覺顯示部門創造了3800億韓元的營業利潤;三星顯示實現營業利潤1.94萬億韓元;汽車電子子公司哈曼實現營業利潤4500億韓元。
-
DRAM
+關注
關注
41文章
2394瀏覽量
189159 -
NAND
+關注
關注
16文章
1756瀏覽量
141060 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15894瀏覽量
183122
原文標題:三星電子將擴大尖端DRAM/NAND產量
文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
三星NAND漲價100%,存儲芯片迎來超級周期
三星電容的溫度系數如何選擇?
三星電子在CES 2026發布AI生活伴侶愿景
爆!三星退出SATA SSD業務!
三星電子正式發布Galaxy Z TriFold
暴漲30%!三星引爆存儲芯片地震:AI狂飆撕碎供需平衡
三星最新消息:三星將在美國工廠為蘋果生產芯片 三星和海力士不會被征收100%關稅
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發權 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
Cadence擴大與三星晶圓代工廠的合作
看點:三星電子Q2利潤預計重挫39% 星動紀元宣布完成近5億元A輪融資
三星電子Q1營業利潤小幅增長 但人工智能芯片同比下降達到42%
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
三星辟謠晶圓廠暫停中國業務
三星貼片電容封裝與體積大小對照詳解
三星電子將擴大尖端DRAM/NAND產量
評論