根據韓國媒體的報導，韓國存儲器大廠三星已經確認，將會在韓國平澤市興建一座新的半導體工廠，用于擴大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產能。

之前，韓國媒體《FN News》曾經引用業界人士和平澤市官員說法報導指出，三星電子將召開管理委員會議，決定是否興建第2座芯片廠，并于農歷新年后宣布決定。報導指出，總投資額可能約為30萬億韓元（約27.6億美元）。

而根據《FN News》的進一步報導，目前三星已經在韓國平澤市有了一座大型工廠，這座工廠從2017年開始在進行64層堆疊NAND Flash快閃存儲器顆粒的生產工作。而新工廠暫時名為P2 Project，就在距離舊工廠不遠處。

目前該新工廠的投資額達30萬億韓元（約27.6億美元），不過暫時不清楚是初步投資金額還是總投資金額。至于會采用獨資或者是合資的方式來興建，三星目前也沒有透露更多的消息。

報導進一步指出，現在這座新工廠已經開始建設，而且管道鋪設工程也已經接近尾聲。

未來，新工廠完成興建之后，將會擁有同時生產DRAM、NAND Flash快閃存儲器的能力。但是目前三星并沒有對外披露具體的生產計劃。

外界預估，屆時DRAM、NAND Flash快閃存儲器的生產應該會各占產能的一半，而且三星會根據市場的需要進行動態調整，以此來決定DRAM或NAND Flash快閃存儲器的產能高低。

根據規劃，三星的這一座新工廠將會在2019年年底完工。因為，設備的采購和人員的到位也還需要一段時間。

因此，三星最遲也要在2018年年底決定生產DRAM、NAND Flash快閃存儲器的比例。

市場人士認為，目前NAND Flash快閃存儲器的缺口不是很大，原有的工廠產能也沒有達到滿載情況，但是DRAM市場目前卻處于供不應求的狀態，所以新工廠應該會以DRAM為主。

這樣的話，只要新工廠完成后投入生產，DRAM的產能就會得到進一步的提升，紓解當前DRAM不足的問題。

來源：財經新報