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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星內(nèi)存的DRAM和NAND路線圖解析

三星內(nèi)存的DRAM和NAND路線圖解析

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2019-03-06 16:43:287573

三星半導(dǎo)體工廠停電 DRAMNAND生產(chǎn)或延誤

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2020-01-02 10:45:156202

DRAM廠商在制造工藝方面追趕三星

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2011-08-25 09:05:571422

三星或緊急召回內(nèi)存模組 PC DRAM價(jià)格將再度飆高

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2017-03-02 07:10:49809

有關(guān)芯片光刻路線圖的一些知識(shí)分享

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2022-07-10 10:09:364346

質(zhì)疑對(duì)手技術(shù)進(jìn)展真實(shí)性,三星將公開10納米級(jí)制程DRAM路線

5月7日消息?由于質(zhì)疑競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)進(jìn)展,三星決定公開自家DRAM產(chǎn)品的電路線寬,以顯示三星在該領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo),三星準(zhǔn)備打破DRAM業(yè)界傳統(tǒng),將公布自家DRAM產(chǎn)品電路線
2021-05-07 10:25:352126

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2019-07-04 07:26:16

三星電子行業(yè)巨頭成長(zhǎng)史

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2020-11-02 07:47:14

專業(yè)收購三星ddr 長(zhǎng)期求購三星ddr

專業(yè)收購三星ddr帝歐電子高價(jià)回收三星ddr,長(zhǎng)期求購三星ddr,帶板的也收,大量收購!!!帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購三星(K9
2021-10-26 19:13:52

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2021-09-03 19:23:00

東莞收購三星ic 專業(yè)回收三星ic

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分析:三星芯片業(yè)務(wù)助推Q3利潤(rùn)創(chuàng)新高

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華為三星蘋果高通的差異

華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57

回收三星ic 收購三星ic

年收購電子芯片,收購電子IC,收購DDR ,收購集成電路芯片,收購內(nèi)存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列,三星,現(xiàn)代,閃迪,金士頓,鎂光,東芝,南亞,爾必達(dá),華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25

在MMC支持設(shè)備的路線圖中隱藏下列設(shè)備嗎?

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2019-01-23 06:33:48

大量回收三星高通CPU 回收三星高通CPU

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2021-04-14 19:04:16

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2021-03-10 17:45:41

嵌入式Linux_Android的學(xué)習(xí)路線圖

嵌入式Linux_Android學(xué)習(xí)路線圖
2023-09-27 06:09:05

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嵌入式學(xué)習(xí)路線圖

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:07 編輯 嵌入式學(xué)習(xí)路線圖
2012-08-20 10:21:27

嵌入式學(xué)習(xí)路線圖分享

想學(xué)嵌入式的同學(xué)可以下下來看看嵌入式學(xué)習(xí)路線圖.rar
2018-07-13 00:22:26

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2021-10-27 09:12:42

嵌入式學(xué)習(xí)路線圖怎么學(xué)?

在這個(gè)互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展的時(shí)代,科技不斷的創(chuàng)新嵌入式也開始逐漸的越來越火熱,隨著這一股風(fēng)波也有越來越多的人投入到嵌入式開發(fā)的行列中來,那么想要學(xué)習(xí)嵌入式,該從哪里入手學(xué)習(xí),嵌入式學(xué)習(xí)路線圖怎么學(xué)?想要
2021-12-24 06:21:20

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我現(xiàn)在有一點(diǎn)兒51單片機(jī)基礎(chǔ),想學(xué)習(xí)STM32,求大神指導(dǎo)一下入門到成長(zhǎng)的路線圖~先行道謝~
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2017-09-18 16:42:52

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OLED產(chǎn)品技術(shù)路線圖國(guó)際研究

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DRAM內(nèi)存今年繼續(xù)缺貨、漲價(jià):三星成主要推手

用戶,金士頓表態(tài)稱今年DRAM內(nèi)存還會(huì)面臨缺貨窘境,價(jià)格也會(huì)繼續(xù)上漲。據(jù)了解,DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。
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三星將于2020年推出16nm工藝 DRAM 芯片 15nm或成為 DRAM 終點(diǎn)

三星不僅是智能手機(jī)市場(chǎng)的老大,更重要的是三星還掌握了產(chǎn)業(yè)鏈至關(guān)重要的DRAM內(nèi)存NAND閃存及OLED屏幕,這大部件上三星遙遙領(lǐng)先其他對(duì)手,手機(jī)OLED面板上更是占據(jù)95%以上的份額。
2017-04-20 10:47:021878

三星2020年將再次掀起內(nèi)存革新?比現(xiàn)今內(nèi)存快千倍?

估計(jì)在 5 月 24 日的一場(chǎng)晶圓廠商論壇上,三星將會(huì)發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內(nèi)存,此種次世代存儲(chǔ)器兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是一種通用型存儲(chǔ)器,能夠讓手機(jī)實(shí)現(xiàn)內(nèi)存/閃存二合一。
2017-04-30 21:47:502904

三星計(jì)劃明年資本支出預(yù)算提到1.5倍,欲想獨(dú)霸DRAM和閃存市場(chǎng)

內(nèi)存市場(chǎng)上三星已經(jīng)占據(jù)了大半的江山,據(jù)悉,明年三星還將繼續(xù)在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍,是想進(jìn)一步壟斷DRAMNAND閃存市場(chǎng),可以說這是一場(chǎng)260億美元的豪賭。
2021-08-27 14:38:541349

NAND閃存和DRAM市況不同調(diào),內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)

內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析,儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探,但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下,價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:001187

三星電子速轉(zhuǎn)向3D NAND 正在向半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司靠攏

三星電子內(nèi)存解決方案的需求,隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半導(dǎo)體是拉動(dòng)三星營(yíng)收和利潤(rùn)的關(guān)鍵,三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318

三星布局OLED電視出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī) 要求重新評(píng)估

近日三星集團(tuán)表示將會(huì)對(duì)布局OLED電視的項(xiàng)目重新進(jìn)行評(píng)估,也許并沒有所謂OLED電視的計(jì)劃路線圖,按照三星說法,OLED電視因?yàn)闊梁统杀具^高。
2018-02-26 11:52:062880

三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道,三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128

MSP430的路線圖概覽介紹

MSP430 概覽和路線圖
2018-08-22 01:00:003493

三星將于2019年規(guī)模量產(chǎn)7nm,或新增8nm LPU工藝

日前,三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇(SFF)2018年會(huì),更新了技術(shù)路線圖
2018-09-10 17:33:165154

三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價(jià)位

日媒報(bào)道稱三星明年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對(duì)DRAM產(chǎn)品不會(huì)考慮拼占有率而降價(jià),砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價(jià)位。
2018-10-09 10:46:394311

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少,但是在DRAMNAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點(diǎn) 三星將于2019年試產(chǎn)QD-OLED

三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點(diǎn) 在三星Tech Day會(huì)議上,三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產(chǎn)品及新技術(shù),SSD方面也更新了路線圖,未來的重點(diǎn)就是96層堆棧
2018-10-18 17:33:006571

三星電子有意放緩內(nèi)存產(chǎn)能?想降價(jià)等著吧

預(yù)計(jì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)容量增速在不到20%,Nand閃存增速在30%。三星今年早些時(shí)候曾表示,預(yù)計(jì)DRAM今年增速在20%,而Nand則在40%。 內(nèi)存容量增速是衡量市場(chǎng)需求的試金石。預(yù)測(cè)的下降可能導(dǎo)致芯片制造商削減設(shè)備和材料訂單等投
2018-10-13 20:12:01184

在Tech Day活動(dòng)中,三星闡釋了下一步的閃存演進(jìn)路線圖

三星生產(chǎn)什么樣的閃存,也就決定了SSD市場(chǎng)未來的技術(shù)走向。在圣何塞的Tech Day活動(dòng)中,三星闡釋了下一步的閃存演進(jìn)路線圖
2018-10-19 16:11:482166

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840

三星電子將開發(fā)首款基于第代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320

三星出手,NAND Flash價(jià)格本季止穩(wěn)

三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后,NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣,決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:554026

3nm!緊逼臺(tái)積電,三星挑戰(zhàn)摩爾定律極限

三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕,目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點(diǎn),下周三星就會(huì)宣布3nm以下的工藝路線圖,緊逼臺(tái)積電,而且會(huì)一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
2019-05-12 11:50:075054

三星用 GAA工藝挑戰(zhàn)物理極限 推進(jìn)3nm工藝

三星率先發(fā)布3nm工藝路線圖,領(lǐng)先于臺(tái)積電和英特爾。
2019-05-30 15:48:435336

關(guān)于美光DRAM路線圖分析

DRAM制造商采用EUVL工具很可能與邏輯生產(chǎn)商(臺(tái)積電,三星代工(邏輯芯片的合約制造商,而不是DRAM制造商)的采用類似):最初的EUV設(shè)備將僅用于幾層,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的增加,層數(shù)逐漸增加。ASML估計(jì),對(duì)于DRAM,一個(gè)EUV層每月需要每100,000個(gè)晶圓啟動(dòng)1.5到2個(gè)EUV系統(tǒng)。
2019-08-27 10:36:134037

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內(nèi)存NAND閃存之間)、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632

三星明年全年DRAMNAND的供應(yīng)將嚴(yán)重不足

三星正利用這一時(shí)期擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),三星計(jì)劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴(kuò)大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

三星電子宣布開發(fā)了業(yè)內(nèi)首款容量達(dá)到512GB的DDR5內(nèi)存模組

Intel副總裁Carolyn Duran確認(rèn),三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器(Sapphire Rapids藍(lán)寶石激流)兼容。根據(jù)路線圖,Sapphire Rapids應(yīng)該是第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器,年底前登陸,除了DDR5,還會(huì)首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:092885

Rockchip處理器路線圖及芯片選型

Rockchip處理器路線圖及芯片選型
2021-06-02 10:21:4819

三星電子DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒實(shí)現(xiàn)HKMG工藝大規(guī)模應(yīng)用

該機(jī)構(gòu)表示,目前已經(jīng)在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:482099

三星晶圓廠最新路線圖 2025年推出首個(gè)GAA制程先進(jìn)封裝

三星電子公布了其在小于 3 納米(1 米的十億分之一)半導(dǎo)體領(lǐng)域獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的技術(shù)路線圖
2023-07-06 17:38:212853

三星內(nèi)存芯片最高漲20%

9月12日,據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo),三星電子近期與客戶(谷歌等手機(jī)制造商)簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議,DRAMNAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20%。三星電子預(yù)計(jì),從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)或?qū)⒐┎粦?yīng)求。
2023-09-14 10:56:18908

深度解析三星內(nèi)存處理技術(shù)(PIM)

在Hot Chips 2023上,三星展示了內(nèi)存技術(shù),內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲(chǔ)和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄?shí)際的計(jì)算引擎。
2023-10-07 11:03:372453

三星將削減NANDDRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

三星與美光擬提DRAM價(jià)格,以求盈利回暖

部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià),故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:211562

三星2025年后將首家進(jìn)入3D DRAM內(nèi)存時(shí)代

在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實(shí)現(xiàn)性能提升;
2024-04-01 15:43:081209

三星LPDDR5X DRAM內(nèi)存創(chuàng)10.7Gbps速率新高

值得注意的是,此前市場(chǎng)上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級(jí)制程工藝,相較前代產(chǎn)品性能提升超過25%,容量增加30%。
2024-04-17 16:29:161383

三星、SK海力士對(duì)DRAMNAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

DRAMNAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士?jī)纱缶揞^依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲,這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進(jìn)而推動(dòng)了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存良率不足五成

近日,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星在其1b nm(即12nm級(jí))DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%,僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對(duì)這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408

三星芯片制造技術(shù)路線圖出爐,意強(qiáng)化AI芯片代工市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力

在科技日新月異的當(dāng)下,三星電子公司作為全球領(lǐng)先的科技企業(yè)之一,再次展示了其在芯片制造領(lǐng)域的雄心壯志。6月13日,據(jù)彭博社等權(quán)威媒體報(bào)道,三星電子在其位于加州圣何塞的美國(guó)芯片總部舉辦的年度代工論壇上,公布了其最新的芯片制造技術(shù)路線圖,旨在通過一系列技術(shù)創(chuàng)新,鞏固并提升其在人工智能芯片代工市場(chǎng)的地位。
2024-06-13 15:05:211664

三星公布最新工藝路線圖

來源:綜合報(bào)道 近日,三星電子在加州圣何塞的設(shè)備解決方案美國(guó)總部舉辦三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum, SFF),公布了其最新代工技術(shù)路線圖和成果。 以下是主要亮點(diǎn)
2024-06-17 15:33:001066

三星電子公布2024年異構(gòu)集成路線圖,LP Wide I/O移動(dòng)內(nèi)存即將面世

7月17日,三星電子公布了其雄心勃勃的2024年異構(gòu)集成路線圖,其中一項(xiàng)關(guān)鍵研發(fā)成果引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注——一款名為L(zhǎng)P Wide I/O的創(chuàng)新型移動(dòng)內(nèi)存即將面世。這款內(nèi)存不僅預(yù)示著存儲(chǔ)技術(shù)的又一次
2024-07-17 16:44:022993

三星電子計(jì)劃2025~2026年推出LP Wide I/O內(nèi)存

在半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中,三星電子再次展現(xiàn)了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位,通過其2024年異構(gòu)集成路線圖,向全球揭示了一款革命性的新型移動(dòng)內(nèi)存——LP Wide I/O。這款內(nèi)存的問世,預(yù)示著移動(dòng)設(shè)備性能將迎來質(zhì)的飛躍,尤其是在處理高帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)景時(shí),如設(shè)備端AI、高清視頻處理及復(fù)雜游戲等。
2024-07-18 18:24:572277

三星確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預(yù)計(jì)該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運(yùn)營(yíng)。這一舉措標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201

三星電子計(jì)劃在2026年推出最后一代10nm級(jí)工藝1d nm

三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露,三星計(jì)劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存,該制程將支持高達(dá)32Gb的顆粒容量,標(biāo)志著內(nèi)存性能與密度的雙重飛躍。
2024-09-09 17:45:491153

三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

近日,據(jù)相關(guān)報(bào)道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存的生產(chǎn)路線圖,并計(jì)劃在這一生產(chǎn)過程中,將光刻膠
2024-11-27 11:00:24957

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)

近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道

據(jù)報(bào)道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出,三星電子為應(yīng)對(duì)其12nm級(jí)
2025-01-23 15:05:11923

公布最新技術(shù)路線圖!長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃再建兩座 DRAM 晶圓廠

據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技術(shù)路線圖,從其路線規(guī)劃來看,其研發(fā)的產(chǎn)品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6, 雖然未公布具體時(shí)間節(jié)點(diǎn)
2019-12-03 18:18:1323542

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