三星電子宣布（3月25日），開發了業內首款容量達到512GB的DDR5內存模組。

據悉，存儲顆粒采用高電介質金屬柵極（HKMG）晶體管工藝制造，進一步降低漏電。

單DRAM芯片的容量是16Gb（2GB），通過TSV穿孔實現了8層堆疊，也就是16GB，湊成512GB的話總計需要32顆。

速度方面，這款DDR5內存條的速度高達7200Mbps，也就是7200MHz頻率。即便如此，三星表示功耗下降了13%。

Intel副總裁Carolyn Duran確認，三星的新款DDR5內存和下一代至強可擴展處理器（Sapphire Rapids藍寶石激流）兼容。根據路線圖，Sapphire Rapids應該是第四代至強可擴展處理器，年底前登陸，除了DDR5，還會首發PCIe 5.0。

三星表示，旗下多款DDR5內存已經進入試樣階段。

對于普通消費者來說，對DDR5的支持要等到下半年的12代酷睿（Alder Lake）和AMD Zen4了。

那么，最近有買內存的小伙伴嗎？內存條的價格是不是在悄然上漲？

據供應鏈消息，DRAM內存顆粒的現貨價格最近極速上漲，今年初到現在已經漲了60%多，是2019年3月份以來的最高價格水平。

內存價格大漲與多方面需求有關，PC、消費電子以及汽車行業的生產正在迅速恢復，導致內存芯片需求意外增長。

這一次的內存價格上漲還看不到頭，短期內無法解決，三星、SK海力士及美光三大內存巨頭過去兩年就在削減內存產能，再加上最近半年來全球半導體產能緊張，各種電子元件都在漲價，內存價格已經無法回頭。

唯一的變數就要看國產內存了，生產內存模組的廠商光威之前表態，喊出了“內存漲價不要怕，光威純國產內存2021年將大幅增產”的口號，他們采用合肥長鑫內存顆粒的純國產內存今年會大幅增產，有望抑制內存價格漲勢。

此前合肥產投集團披露，截至2020年底，合肥長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目提前達到4萬片/月產能，開始啟動6萬片/月產能建設，實現了從投產到量產再到批量銷售的關鍵跨越。

另外，存儲大廠SK海力士的CEO李錫熙（Seok-Hee Lee）近日在IEEE國際可靠性物理研討會上發表主題演講，分享了在閃存、內存未來發展方面的一些規劃和展望。

3D NAND閃存方面，如今行業的發展重點不是更先進的工藝，也不是QLC、PLC，而是堆疊層數的不斷增加，SK海力士就已經做到了176層。

SK海力士此前認為，3D閃存的堆疊層數極限是500層，不過現在更加樂觀，認為在不遠的將來就能做到600層。

當然，為了做到這一點，需要在技術方面進行諸多創新和突破，比如SK海力士提出了原子層沉積（ALD）技術，進一步強化閃存單元屬性，可以更高效地存儲、釋放電荷，并且在堆疊層數大大增加后依然保持電荷一致性。

為了解決薄膜應力（film stress）問題，SK海力士引入了新的氮氧化物材料。

為了解決堆疊層數增加后存儲單元之間的干擾、電荷丟失問題，SK海力士開發了獨立的電荷阱氮化物（CTN）結構，以增強可靠性。

另外針對DRAM內存發展，SK海力士在考慮引入EUV極紫外光刻，可將工藝制程推進到10nm以下。

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