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電子發燒友網>存儲技術>三星2020年將再次掀起內存革新?比現今內存快千倍?

三星2020年將再次掀起內存革新?比現今內存快千倍?

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三星向Rambus支付9億內存專利授權費以達成和解  韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權官司達成和解協議,三星公司將在五之內逐步向Rambus公司
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內存漲價三星是最大的贏家 發改委就此問題約談三星

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三星有價格壟斷前科 內存漲價被發改委約談恐涉及壟斷

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內存價格趨勢上漲不停息 三星繼續被約談

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得益內存業務,三星海力士年終獎是個人年薪的50%

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形式所迫,三星2018年內存終要大降價

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發改委要求三星內存必須降價 并優先供給中國

2017內存大戰已經過去,縱觀2018內存市場,在三星內存廠商的推動下,內存價格還是難以下降。據悉發改委再次約談三星,要求內存必須降價。
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三星砸1750億元建新工廠DRAM內存顆粒 計劃在2019第二季度末完工

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內存廠商篤定DDR內存2021反彈,價格有望上漲30%

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2021-02-20 16:35:462591

DDR3內存或退出市場三星等大廠計劃停產DDR3內存

帶來太大的影響。 三星對客戶通知2022年年終之前仍會繼續接受且在2023年年末之前完成DDR3內存的訂單,并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內存生產。繼三星之后,SK海力士、華邦電子等制造商也表示停止DDR3內存的生產,不對客戶繼續提供DDR3內存,不過大芯片供應商中的美光
2022-04-06 12:22:566223

三星開發出首款512GB內存擴展器

今日,作為先進內存技術的廠商,三星宣布開發出三星首款512GB內存擴展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業化邁出了重要一步,CXL將在IT系統中實現更高的內存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:082306

三星計劃開發基于內存的超級計算機

"三星電子的目標是在2028前開發出一臺基于內存的超級計算機,"三星電子設備解決方案業務的首席執行官Kyung Kye-hyun周四在大田的KAIST發表演講時說。
2023-05-12 11:26:43465

三星計劃采用12納米技術,提升內存模組容量

日前有信息稱,三星采用 12納米 (nm) 級工藝技術,生產ERP開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,而這樣就可以在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內存模組的兩
2023-09-04 10:53:461175

三星內存芯片最高漲20%

9月12日,據《韓國經濟日報》報導,三星電子近期與客戶(谷歌等手機制造商)簽署了內存芯片供應協議,DRAM和NAND閃存芯片價格較現有合同價格上調10%-20%。三星電子預計,從第四季度起存儲芯片市場或供不應求。
2023-09-14 10:56:18908

深度解析三星內存處理技術(PIM)

在Hot Chips 2023上,三星展示了內存技術,內存的主要成本是數據從各種存儲和內存位置傳輸到實際的計算引擎。
2023-10-07 11:03:372453

有史以來最快的半導體“超原子”能將芯片速度提升千倍

“超原子”(superatomic)材料已成為已知最快的半導體,并且可能導致計算機芯片的速度當今任何可用的任何產品數百或數千倍
2023-11-02 09:38:131680

三星與紅帽聯合驗證CXL內存與最新操作系統的兼容性

三星透露,近期與開源軟件巨頭紅帽達成深度合作,在現實的用戶環境中首次證明了 Compute Express Link ?(CXL)內存技術的可行性,此舉預計會極大拓展三星的 CXL技術生態圈。受益于生成式人工智能、自動駕駛以及內存數據庫(IMDB)等
2023-12-27 15:25:251308

三星電子與紅帽成功驗證CXL內存操作

  三星電子與開源軟件巨頭紅帽(RedHat)聯手,完成了在實際用戶環境中的CXL(ComputeExpressLink)內存操作;此舉系業內首次,進一步擴大其 CXL 生態系統。
2023-12-27 15:56:201244

英偉達CEO贊譽三星HBM內存,計劃采購

 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406

三星2025首家進入3D DRAM內存時代

在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內存技術——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實現性能提升;
2024-04-01 15:43:081209

三星勝訴Netlist內存專利案,獲3.3億美元免賠

該訴訟源于2015Netlist指控三星背離與其達成的聯合開發許可協議;2021,Netlist再度指責三星云服務器內存中的技術侵犯其專利。
2024-04-07 09:47:41896

三星Galaxy S25 Ultra 內存升級至16GB

據報道,三星Galaxy S24 Ultra已現身市場,其存儲版本分別有256GB、512GB及1TB款,但內存皆為12GB。然而,最新傳聞稱三星將于明年推出的Galaxy S25 Ultra或內存提升至16GB。
2024-05-10 14:25:371353

三星和SK海力士下半年停產DDR3內存

近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產并供應DDR3內存,轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業的一次重要轉型。
2024-05-17 10:12:211563

三星預計2028AI相關收入增長九

近日,科技巨頭三星對其未來在人工智能領域的戰略進行了全面披露。據預測,到2028三星AI相關的客戶名單擴大五,同時收入有望實現九增長。這一預測的背后,是三星對AI芯片技術深入布局和持續創新的體現。
2024-06-13 14:15:20909

三星電子突破瓶頸,HBM3e內存芯片獲英偉達質量認證

在科技界的密切關注下,三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據韓國主流媒體NewDaily最新報道,三星電子已成功通過英偉達的HBM3e(高帶寬內存)質量測試,標志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151

三星電子計劃2025~2026推出LP Wide I/O內存

在半導體技術的持續演進中,三星電子再次展現了其行業領導者的地位,通過其2024異構集成路線圖,向全球揭示了一款革命性的新型移動內存——LP Wide I/O。這款內存的問世,預示著移動設備性能將迎來質的飛躍,尤其是在處理高帶寬需求的應用場景時,如設備端AI、高清視頻處理及復雜游戲等。
2024-07-18 18:24:572277

三星2024底量產256GB CXL 2.0內存模塊

在半導體存儲技術的創新浪潮中,三星電子再次走在行業前列,為市場帶來了令人矚目的新進展。據韓國權威媒體報道,三星電子內存部門新業務規劃團隊的核心人物——Choi Jang Seok,于近日宣布了一項
2024-07-22 15:10:191346

三星量產最薄LPDDR5X內存,技術再突破

三星電子今日正式宣告,其業界領先的超薄LPDDR5X內存封裝技術已進入量產階段,再次引領內存技術潮流。此次推出的LPDDR5X內存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實現了對上一代產品0.71mm厚度的顯著縮減,縮減幅度高達9%,展現了三星內存封裝技術上的深厚積累和創新能力。
2024-08-07 11:21:461830

三星HBM3E內存挑戰英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動

進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內存(新一代高帶寬內存產品)已順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:561635

三星電子調整HBM內存產能規劃,應對英偉達供應延遲

近日,三星電子因向英偉達供應HBM3E內存的延遲,對其HBM內存的產能規劃進行了調整。據韓媒報道,三星已將2025底的產能預估下調至每月17萬片晶圓,這一調整反映了半導體行業當前緊張的供需關系和激烈的市場競爭。
2024-10-11 17:37:121554

三星擴建半導體封裝工廠,專注HBM內存生產

方式獲得三星顯示的一座大樓,并計劃在三年內完成該建筑的半導體后端加工設備導入。 此次擴建工廠的背景是,三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應量身定制的HBM4內存。微軟和Meta分別推出了Mia100和Artemis人工智能芯片,對高性能內存有著迫切需求,而三星的定制化HBM4內
2024-11-13 11:36:161756

三星電子計劃新建封裝工廠,擴產HBM內存

三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠,以擴大HBM內存等產品的后端產能。該工廠依托現有封裝設施,進一步提升三星電子在半導體領域的生產能力。
2024-11-14 16:44:351203

英偉達加速認證三星AI內存芯片

近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星內存解決方案融入其產品中。 此次認證工作的焦點在于三星的HBM3E內存
2024-11-25 14:34:171028

三星或受內存芯片價格下跌影響

近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔憂。他預測,由于客戶庫存過剩,三星電子在2025上半年可能會面臨內存芯片價格下跌的挑戰。 Park指出,盡管下半年芯片
2024-11-27 11:22:071225

三星電子1c nm內存開發良率里程碑推遲

據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在20241c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達到結束開發工作、順利進入量產階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

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