據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道, 3月25日，三星電子宣布新一代內(nèi)存芯片計(jì)劃，訪問(wèn)速度將在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上提高一倍，并提供迄今為止最大的容量，從而加速數(shù)據(jù)中心和超級(jí)計(jì)算機(jī)的轉(zhuǎn)型。三星稱，DDR5 速度高達(dá)
2021-03-25 14:17:15
12001 ，隨著近期DRAM內(nèi)存的價(jià)格普遍開(kāi)始下降，跟隨這一趨勢(shì)的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何一開(kāi)始那么貴呢，難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來(lái)的高附加值？ ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從
2022-07-12 08:27:0012762 三星電子宣布，將從本月開(kāi)始在全球率先量產(chǎn)30納米級(jí)4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:552760 據(jù)IHS公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告，隨著 DRAM 價(jià)格降到了極低水平，如果廠商不轉(zhuǎn)向效率更高的3x/2x納米制程，可能面臨重大虧損，三星電子等領(lǐng)先的內(nèi)存供應(yīng)商已經(jīng)采用了上述制程。 三星第三季
2011-08-25 09:05:571422 
代。SPICE 瞬態(tài)模擬器不再是最新 DDR5 和 LPDDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的正確方法。 新標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)存控制器和DRAM上增加了均衡（EQ），而傳統(tǒng)的仿真工具無(wú)法在這種復(fù)雜性下進(jìn)行建模。 圖1.DDR5 標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)存控制器和 DRAM 上增加了均衡 （EQ）。 輸入/輸出緩沖器信息規(guī)范
2022-12-07 14:34:274209 
隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展，推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)DDR5芯片，可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能
2020-02-16 07:34:001980 高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲(chǔ)類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬。
2020-09-09 11:48:391300 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌的領(lǐng)袖，擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布，正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù)，2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。目前，嘉合勁威正在
2020-12-03 09:53:443549 ）。 ? ? 嘉合勁威2020年12月宣布率先全面布局DDR5內(nèi)存模組生產(chǎn)；2021年2月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款DDR5內(nèi)存條；3月鎂光DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒現(xiàn)貨到廠，嘉合勁威積極備貨準(zhǔn)備
2021-04-27 09:00:0015368 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）最近，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)即將推出。在標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布之前，SK海力士、三星、美光等廠商已經(jīng)著手DDR5
2024-07-31 18:26:546965 
最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006846 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年末，存儲(chǔ)行業(yè)超級(jí)周期熱潮下，一則技術(shù)動(dòng)態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導(dǎo)體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:004804 Error Correction Code)
隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5
2023-06-28 09:09:11
了，對(duì)于PCB工程師來(lái)說(shuō)絕對(duì)是福音。綜合以上的一些重大改善，廠家們還給出了更為直觀的“宣傳廣告”，用數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)明DDR5對(duì)整個(gè)內(nèi)存總帶寬的巨大提升作用！ 說(shuō)到引腳數(shù)，我們也可以看看DDR5顆粒的引腳情況哈
2021-08-12 15:42:06
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開(kāi)發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測(cè)試驗(yàn)證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達(dá)17.4Gbps.
DDR5內(nèi)存測(cè)試系統(tǒng)
2024-08-06 12:03:07
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2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
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2021-04-28 18:52:33
個(gè)單元的堆疊，如此堆疊的LRDIMM有效內(nèi)存容量可以達(dá)到2TB。據(jù)DIGITIMES報(bào)道，三星電子、SK海力士和美光科技均已擴(kuò)大其DDR5芯片產(chǎn)量，旨在加速行業(yè)從DDR4向DDR5的過(guò)渡。消息人士稱
2022-10-26 16:37:40
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲(chǔ)類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
年收購(gòu)電子芯片，收購(gòu)電子IC，收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片，收購(gòu)內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
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2021-07-06 19:32:41
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2021-09-23 19:20:15
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:261010 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國(guó)殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203633 的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本，會(huì)在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達(dá)32Gb，并預(yù)計(jì)會(huì)在2020年開(kāi)始商用。 很多人會(huì)把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術(shù)混淆，實(shí)際上兩者應(yīng)用場(chǎng)合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術(shù)（DDR、GDDR、LPDDR）的速度對(duì)比和應(yīng)用場(chǎng)合。
2017-11-15 16:36:0348251 
三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 全球內(nèi)存和閃存芯片價(jià)格上漲，三星這一輪市場(chǎng)火爆的最大受益者。2018年三星還將大規(guī)模擴(kuò)張芯片業(yè)務(wù)，據(jù)悉三星電子正在考慮建設(shè)第二座芯片廠，但是尚未作出最終決定。
2018-02-07 15:34:061157 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495462 3月21日，三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開(kāi)始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:245503 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開(kāi)始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:383418 
根據(jù)消息報(bào)道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:134795 美光于前日宣布已經(jīng)開(kāi)始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:044221 
隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展，推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)DDR5芯片，可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能，支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長(zhǎng)的需求。
2020-02-22 09:40:471128 目前，DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5，將搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)之上。
2020-03-01 18:56:433479 驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力應(yīng)該是來(lái)自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長(zhǎng)，服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:0010655 EUV光刻和現(xiàn)在常用的DUV光刻不同，它使用波長(zhǎng)短得多的極紫外光，這就讓更精細(xì)的光刻成為可能，允許制作更小的晶體管，提升工藝水平，并提升生產(chǎn)效率；三星預(yù)計(jì)，使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存，其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會(huì)比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍，讓產(chǎn)能不再是問(wèn)題。
2020-03-26 14:54:224726 據(jù)外媒報(bào)道稱，由于種種原因所致，Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)了。
2020-03-28 10:41:294593 
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632 應(yīng)該都不支持DDR5，現(xiàn)階段更是沒(méi)有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過(guò)根據(jù)最新消息顯示，今年預(yù)計(jì)會(huì)有不少?gòu)S商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上，但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒(méi)有公布有關(guān)DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:123275 DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1718333 ，2021 年將在深圳坪山率先實(shí)現(xiàn) DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)。 參數(shù)方面，新一代的內(nèi)存 DDR5，一個(gè) DIMM，兩個(gè)通道，將具備更快的速度，有望達(dá)到 4.8Gbps 的速度，比 DDR4 的 3.2Gbps
2020-12-02 16:04:362487 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來(lái)了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)
2020-12-08 17:14:253346 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來(lái)了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:553059 DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了，2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，但是新一代平臺(tái)值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:513254 投票后，這款內(nèi)存的中文名稱最終定為“古德白”。 七彩虹表示，借由顯卡方面與三星的密切合作，其可以直接找三星采購(gòu)精選顆粒。這款 iGame 內(nèi)存采用了三星 B-die 顆粒，且在每一個(gè)原件與 PCB
2020-12-25 10:31:313302 了，未來(lái)幾年被取代是水到渠成的，不過(guò)DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺(tái)灣的
2021-02-02 11:27:394194 Intel副總裁Carolyn Duran確認(rèn)，三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（Sapphire Rapids藍(lán)寶石激流）兼容。根據(jù)路線圖，Sapphire Rapids應(yīng)該是第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，年底前登陸，除了DDR5，還會(huì)首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:092885 ，JEDEC發(fā)布了DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著整個(gè)行業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式內(nèi)存模塊（DIMM）過(guò)渡。DDR5內(nèi)存帶來(lái)了一系列重要改進(jìn)，有望幫助下一代服務(wù)器實(shí)現(xiàn)更好的性能和更低的功耗。以下是DDR5內(nèi)存的五大亮點(diǎn)。
2021-05-01 09:31:002974 三星發(fā)布3款DDR5內(nèi)存用電源管理芯片 外媒 TheElec 報(bào)道稱，在 5 月 19 日的時(shí)候，三星電子正式發(fā)布了 3 款 DDR5 內(nèi)存用電源管理芯片，可以做到高效直流降壓。 三星稱，最新的電源
2021-05-21 18:11:343849 近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來(lái)。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142890 主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表免費(fèi)下載。
2022-05-16 14:16:25
37 通過(guò)對(duì)硅層進(jìn)行研磨，三星已經(jīng)能夠使組成裸片的厚度減少40%，并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實(shí)際上更薄，分別為1.0毫米和 1.2 毫米。
2022-06-28 15:10:251493 
合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺(tái)的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:573042 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過(guò)于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:506180 當(dāng)下，DDR5內(nèi)存還遠(yuǎn)未到要主流普及的程度。不過(guò)，DRAM內(nèi)存芯片的頭部廠商們已經(jīng)著手DDR6研制了。
2022-07-25 11:25:524410 “32Gb
DDR5 IC目前正在一個(gè)新的under-14nm
工藝節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)，并計(jì)劃在明年初推出，”
三星 DRAM 規(guī)劃部門的員工工程師 Aaron Choi 在 AMD 和
三星網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上表示（見(jiàn)
三星在下圖中的演示）?！盎?32Gb 的 UDIMM 將于明年年底或 2024 年初上市?！?/div>
2022-08-22 10:21:192938 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:488531 （nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。? “ ?三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm級(jí)
2022-12-21 11:08:291205 款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:541342 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）隨著服務(wù)器CPU更多的開(kāi)始支持DDR5，服務(wù)器的內(nèi)存也正向DDR5滲透，Rumbus公司預(yù)計(jì)服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。事實(shí)上，作為唯數(shù)不多的內(nèi)存接口芯片
2023-03-02 10:27:136269 
業(yè)界對(duì)DDR5 DRAM的市場(chǎng)預(yù)期不太樂(lè)觀。
2023-06-05 10:36:31671 
隨著制程工藝的進(jìn)步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機(jī)，但是設(shè)備實(shí)在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:071871 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535589 日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:461175 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:423033 
SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開(kāi)發(fā)出10nm級(jí)第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國(guó)投資證券分析師預(yù)計(jì)，由于DDR5需求高漲，拉動(dòng)產(chǎn)品平均銷售單價(jià)，SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績(jī)也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16899 據(jù)gartner稱，人工智能芯片市場(chǎng)規(guī)模有望從今年的534億美元增長(zhǎng)到2027年的1194億美元。但在hbm和ddr5 dram等先進(jìn)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，三星落后于競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)。
2023-11-30 09:42:18875 隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:311297 
在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測(cè)，這款內(nèi)存采用了編號(hào)為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:011882 
數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開(kāi)始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu)；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:0513400 瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動(dòng)態(tài)。據(jù)瀾起科技預(yù)測(cè)，DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過(guò)第一子代RCD芯片。更進(jìn)一步，DDR5第三子代RCD芯片
2024-02-02 10:27:351769 值得注意的是，此前市場(chǎng)上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示，新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級(jí)制程工藝，相較前代產(chǎn)品性能提升超過(guò)25%，容量增加30%。
2024-04-17 16:29:161383 近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563 據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計(jì)劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量，預(yù)計(jì)明年產(chǎn)量將會(huì)進(jìn)一步增加。
2024-05-30 15:41:092438 DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒(méi)有明確的控制阻抗建議,DDR4時(shí)代基本內(nèi)存條上時(shí)鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對(duì)而言比較細(xì)。不知道你開(kāi)始使用DDR5沒(méi)有，你有關(guān)注過(guò)DDR5內(nèi)存條上的時(shí)鐘走線嗎？
2024-07-16 17:47:136103 
近日，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)傳來(lái)重大消息，SK海力士正式通知市場(chǎng)，其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價(jià)15%至20%，這一舉動(dòng)無(wú)疑給市場(chǎng)投下了一枚震撼彈。此次漲價(jià)的根源在于，SK海力士、美光、三星等存儲(chǔ)芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:212762 近日，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）市場(chǎng)傳來(lái)重磅消息，由于服務(wù)器需求持續(xù)強(qiáng)勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著，多家大廠決定在第三季度對(duì)DDR5內(nèi)存價(jià)格進(jìn)行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知，宣布DDR5內(nèi)存的單季價(jià)格將實(shí)現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:011224 實(shí)現(xiàn)性能提升。 2.1 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率比DDR4更高。DDR4的最高速度為3200MT/s，而
2024-11-22 15:38:037932 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:405418 隨著國(guó)產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)即將迎來(lái)新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達(dá)到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292425 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361 DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn)，已決定在2024年底對(duì)現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn)，并從頭開(kāi)始設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。然而，三星電子現(xiàn)在對(duì)此表示否認(rèn)，強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)計(jì)1b DRAM的計(jì)劃。 盡管三星電子否認(rèn)了重新設(shè)計(jì)的傳聞，但不可否認(rèn)的是，其12nm級(jí)DRAM產(chǎn)品確實(shí)面
2025-01-23 15:05:11923 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開(kāi)始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開(kāi)始漲價(jià)，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111207 已全部加載完成
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