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      SK海力士最新DDR5 EEC內(nèi)存條展示，采用1znm內(nèi)存制造工藝制造

      牽手一起夢(mèng) ? 來(lái)源：IT之家 ? 作者：孤城 ? 2020-01-09 15:17 ? 次閱讀
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      根據(jù)消息報(bào)道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。

      SK Hynix今天在站臺(tái)上展示了新一代DDR5 RDIMM內(nèi)存，為下一代企業(yè)平臺(tái)設(shè)計(jì)，頻率為DDR5-4800 MHz，提供64 GB的單條密度。

      根據(jù)之前的消息，與上一代DDR4內(nèi)存相比，新的DDR5標(biāo)準(zhǔn)提供了巨大的性能提升，DDR5支持到了6400 MT/s，帶寬達(dá)到32GB/s，比原來(lái)的DDR4的25.6 GB/s帶寬快25%。

      另一個(gè)改進(jìn)是DDR5芯片的最高密度，現(xiàn)在達(dá)到了64GB每條。此外，DDR5有望將芯片運(yùn)行所需的電壓降至1.1伏特，比DDR4低8%左右。同樣值得指出的是，DDR5芯片是使用1znm內(nèi)存制造工藝制造的。

      責(zé)任編輯：gt

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