三星計劃采用12納米技術，提升內存模組容量
日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術，生產ERP開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內存模組的兩倍。
三星方面表示：在三星最新推出的 12納米級 32Gb內存的基礎上，三星可以研發出實現 1TB內存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數據時代對于大容量DRAM內存日益增長的需求。
通過使用最新開發的 32Gb內存顆粒，即使不使用硅通孔 (TSV)工藝也能夠生產 128GB內存模組。與使用 16Gb 內存封裝的 128GB內存模組相比，其功耗降低了約10%。這一技術突破使該產品成為數據中心等關注能效的企業的優選解決方案。
審核編輯：湯梓紅
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