電子發燒友網報道（文/黃晶晶）最近，JEDEC固態技術協會宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技術標準即將推出。在標準正式發布之前，SK海力士、三星、美光等廠商已經著手DDR5 MRDIMM產品的研發，并發布了相關產品方案。DDR5 MRDIMM將為下一代高性能計算、AI應用提供動力。

JEDEC固態技術協會提到，DDR5多路復用雙列直插式內存模塊（Multiplexed Rank DIMM），提供創新、高效的新模塊設計，可提高數據傳輸速率和整體系統性能。多路復用允許在單個通道上組合和傳輸多個數據信號，無需額外的物理連接即可有效增加帶寬，并提供無縫帶寬升級，使應用能夠超過 DDR5 RDIMM 數據速率。另外，JEDEC預計MRDIMM的速度將從8800MT/s開始，到該技術的第三代將擴展到 17,600 MT/S。

在MRDIMM之前，AMD和英特爾都提出了相關的內存方案。AMD提出HBDIMM方案、英特爾提出MCR-DIMM，后來JEDEC與AMD合作將HBDIMM開發成MRDIMM 的標準。 早在兩年前，SK海力士與英特爾、瑞薩電子的合作成功開發出MCR DIMM。該產品的最低數據傳輸速率也高達8Gbps，較之目前DDR5產品4.8Gbps提高了80%以上。

MCR DIMM是一種模塊產品，將多個DRAM組合在一塊主板上，能夠同時運行兩個內存列。內存列(RANK)是從DRAM模塊向CPU傳輸數據的基本單位。一個內存列通常可向CPU傳送64字節(Byte)的數據。而在MCR DIMM模塊中，兩個內存列同時運行可向CPU傳輸128個字節的數據。每次傳輸到CPU的數據量的增加使得數據傳輸速度提高到8Gbps以上，是單個DRAM的兩倍。

要做到傳輸128個字節的數據，SK海力士以英特爾MCR技術為基礎，利用安裝在MCR DIMM上的數據緩沖器(data buffer)同時運行兩個內存列。緩沖器(Buffer)安裝在內存模塊上的組件，用于優化DRAM與CPU之間的信號傳輸性能。

這個模組的成功設計離不開SK海力士的DRAM模塊設計能力、英特爾的Xeon處理器，以及瑞薩電子的緩沖器技術。因此是三家廠商合作的成果。

最新消息，SK海力士將2024年下半年推出適用于服務器的32Gb DDR5 DRAM和用于高性能計算的MCRDIMM產品。

今年6月，三星宣布開發了MRDIMM，無需增加服務器主板上的內存插槽即可提供更多內存和帶寬。該模塊通過組合兩個DDR5 組件，使現有DRAM組件的帶寬翻倍，提供高達 8.8 Gb/s 的數據傳輸速度。預計 MRDIMM 將積極用于需要高性能計算 (HPC) 來處理數據并高速執行復雜計算的 AI 應用。

美光科技近日也宣布已出樣MRDIMM，將于2024 年下半年批量出貨。 與RDIMM 相比，MRDIMM有效內存帶寬提升高達39%，總線效率提升超過15%（注：這兩個數據基于英特爾 Memory Latency Checker（MLC）工具，對 128GB MRDIMM 8800MT/s 與 128GB RDIMM 6400MT/s 進行經驗數據對比測試），延遲降低高達40%（注：這個數據基于經驗得出 Stream Triad 數據，對 128GB MRDIMM 8800MT/s 與 128GB RDIMM 6400MT/s 進行對比）。美光表示，后續幾代 MRDIMM 產品將繼續提供比同代 RDIMM高45%的單通道內存帶寬。

MRDIMM支持容量從32GB 到256GB，涵蓋標準型和高型外形規格（TFF），適用于高性能的 1U和2U服務器。得益于 TFF 模塊優化的散熱設計，在同等功耗和氣流條件下，DRAM 溫度可降低高達 20 攝氏度。 在256GB TFF MRDIMM上采用 32Gb DRAM芯片，實現了與采用16Gb芯片的128GB TFF MRDIMM 相同的功耗表現。在最大數據傳輸速率下，256GB TFF MRDIMM 的性能比相同容量的 TSV RDIMM 提升 35%。與 TSV RDIMM 相比，使用 256GB TFF MRDIMM，數據中心可以獲得前所未有的總體擁有成本（TCO）優勢。

作為美光MRDIMM 系列的首代，目前僅兼容英特爾至強6處理器。英特爾副總裁兼數據中心至強6產品管理總經理 Matt Langman 表示，借助 DDR5 接口和技術，MRDIMM 實現了與現有英特爾至強6 處理器平臺的無縫兼容，為客戶帶來了更高的靈活性和更多選擇。