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三星18nm召回影響 DRAM合約價飆

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DRAM產(chǎn)業(yè)屢創(chuàng)新高,擴產(chǎn)計劃指日可待

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三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

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三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道,三星悄悄啟動了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128

三星、海力士18nm良率出問題 市場價格出現(xiàn)變數(shù)

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三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴大整體10nmDRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強三星市場競爭力。
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三星10nm級DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
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三星成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM,主要應用于移動設備

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三星推遲擴產(chǎn)DRAM,多方受益

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2018-08-21 09:16:003449

三星的七納米是全球首個導入極紫外光微影光刻技術(shù)的晶圓代工廠

三星高管表示2018年晚些時候會推出7nm FinFET EUV工藝,而8nm LPU工藝也會開始風險試產(chǎn),2019年則會推出5/4nm FinFET EUV工藝,同時開始18nm FD-SOI工藝的風險試產(chǎn),后者主要面向RF射頻、eMRAM等芯片產(chǎn)品。
2018-09-08 10:03:173810

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

預計2019年第一季DRAM合約跌幅將持續(xù)擴大

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新報告,今年第四季DRAM價格正式反轉(zhuǎn)向下,11月合約甚至出現(xiàn)二次下修的狀況,以目前成交方式來看,已有部分比重的合約改以月(monthly
2018-12-07 16:35:46842

三星采用第二代10nm工藝級別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196

三星GalaxyWatchActive智能手表開啟預約 到手1549元

三星Galaxy Watch Active 智能手表現(xiàn)已在京東上線,3月18日開啟預約,到手1549元。
2019-03-18 11:26:572768

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840

三星突破DRAM的擴展極限 成功研發(fā)10nm級DDR4內(nèi)存

據(jù)消息,作為先進存儲器技術(shù)的全球領(lǐng)導者,三星電子今(21)日宣布第代10納米級(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory
2019-03-21 17:30:542123

三星電子將開發(fā)首款基于第代10nm級工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320

三星電子提供給美國亞馬遜的產(chǎn)品出現(xiàn)瑕疵 亞馬遜已緊急更換供應商

18nm)納米制程產(chǎn)品出現(xiàn)瑕疵,讓亞馬遜緊急更換由另一家韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)來供應,并且對三星進行索賠的情況,嚴重沖擊了三星DRAM的市場商譽。
2019-04-13 11:36:393460

三星發(fā)布3nm節(jié)點工藝!GAAFET!

三星的3nm工藝節(jié)點采用的GAAFET晶體管是什么?
2019-05-17 15:38:5412185

三星首次開發(fā)出第代10nmDRAM高級存儲器

三星電子有限公司(Samsung Electronics)在其官網(wǎng)上發(fā)布消息,該公司正式宣布,首次開發(fā)了第代 10nm 制程工藝(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機存取存儲器)。
2019-09-27 17:23:291500

三星跳電事件影響 1Q20 DRAM合約將上漲

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查,隨著近一個月來 DRAM 現(xiàn)貨價格持續(xù)走揚,加上 2019 年 12 月 31 號三星華城廠區(qū)發(fā)生跳電,雖然整體內(nèi)存的供給并沒有因此
2020-01-09 11:23:28530

三星EUV技術(shù)成功應用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報道,三星宣布,已成功將EUV技術(shù)應用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360

出貨100萬 三星業(yè)界首款EUV DRAM推出

三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務器等等應用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848

三星S21系列起步為什么直接下調(diào)了2000元?

18 日,三星在中國線上發(fā)布了最新的旗艦手機 S21 系列,令數(shù)碼人驚訝的是其定價,起步竟然只要4999元,某些平臺售賣還附贈 500?元 E 卡,還貼了個 1 年無理由換屏服務,這政策、這實惠,還是三星嗎? 記得 S20 系列的起步都要6999元,S21是因為什么原因直接下
2021-01-26 17:15:213325

三星將中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

近日,據(jù)韓媒報道稱,三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令,要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244

三星2nm量產(chǎn)時間 三星2nm有自己的光刻機嗎

隨著臺積電曝光2nm制程的進展后,三星緊追其后也宣布了關(guān)于2nm制程的最新消息,三星2nm的量產(chǎn)時間也定在了2025年,跟臺積電的差不多。這次2nm制程是三星這些年來首次追上了臺積電,比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085174

iPhone成為三星與臺積電的轉(zhuǎn)折 3nm成為三星趕超最大希望

三星確實也在緊追臺積電的步伐,去年也量產(chǎn)了4nm芯片,高通驍龍8 Gen1就是基于三星4nm生產(chǎn)。
2022-09-21 11:54:421196

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

nm)級工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。? “ ?三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Jooyoung?Lee表示: 三星12nm
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

款采用12納米(nm)級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人
2022-12-21 21:19:541342

季漲約3~8%,DRAM合約大幅回升!

據(jù)TrendForce的研究顯示,第4季DRAM與NAND Flash均價將開始全面上漲。特別是DRAM,預計第4季的合約將季漲幅約在3%到8%之間。然而,這波上漲是否能持續(xù),取決于供應商是否堅守減產(chǎn)策略以及實際需求的回升程度,尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務器。
2023-10-16 09:17:181112

三星與SK海力士DRAM繼續(xù)漲價

合約較第季上漲13%~18%,NAND Flash 合約跟著上漲,eMMC 和UFS 將漲價10%~15%。
2023-11-03 17:23:091749

DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收達134.8億美元,合約還將上漲

三星dram的營業(yè)利潤在第季度約增加15.9%,達到52.5億美元,市場占有率為38.9%,占據(jù)首位。三星對ai高用量產(chǎn)品的需求不斷增加,1alpha nm ddr5的批量生產(chǎn)也呈現(xiàn)良好勢頭。
2023-12-05 17:07:081270

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關(guān)設備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

DRAM合約一季度漲幅預計13~18%,移動設備DRAM引領(lǐng)市場

據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預期DDR4價格將進一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對于DDR4采購量增幅不定。預計PC DRAM季度合約變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:261071

全球DRAM產(chǎn)業(yè)量雙升,大原廠獲益

三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者,在本季度DRAM營收達到79.5億美元,環(huán)比增長近50%,主要受益于1αnm DDR5的出貨提速,服務器DRAM出貨量躍增逾60%。
2024-03-05 15:40:571207

AI浪潮拉動DRAM與NAND閃存合約飆升

首先來看DRAM內(nèi)存,TrendForce原本預測2024年第二季度的合約會上漲3~8%,現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存,原預測漲幅為13~18%,現(xiàn)已調(diào)整至15~20%,其中eMMC/UFS的漲幅相對較小,為10%。
2024-05-07 15:56:17922

三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

三星電子12nmDRAM內(nèi)存良率不足五成

近日,據(jù)韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標的80%~90%,僅達到五成左右。為了應對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408

三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

據(jù)韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預計該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201

三星電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)今年上半年,三星在FD-SOI工藝上面再進一步。3月份,意法半導體(STMicroelectronics)宣布與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI工藝。該工藝支持嵌入式
2024-10-23 11:53:05990

三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nmDRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達到結(jié)束開發(fā)工作、順利進入量產(chǎn)階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

三星否認重新設計1b DRAM

據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nmDRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nmDRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認1b DRAM重新設計報道

據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關(guān)其將重新設計第五代10nmDRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報道指出,三星電子為應對其12nm
2025-01-23 15:05:11923

三星宣布大規(guī)模汽車召回計劃

近日,三星宣布了一項大規(guī)模的汽車召回計劃,此次召回涉及福特、奧迪以及Stellantis旗下的共計180,196輛汽車。這些車輛因搭載了存在故障風險的三星高壓電池組,有可能導致火災事故的發(fā)生,因此被
2025-02-10 09:32:131352

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