美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來改善
2019-08-20 10:22:36
8529 電子設(shè)備中不可缺少的元器件——多層陶瓷電容器（以下簡稱貼片），常常會出現(xiàn)的"扭曲裂紋"現(xiàn)象。本文主要為大家講述扭曲裂紋的產(chǎn)生原理以及防止扭曲裂紋產(chǎn)生的方法。
2017-11-07 09:51:116053 
DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進(jìn)工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù)，先進(jìn)工藝下，如果用DUV，光的波長已經(jīng)無法直接刻出
2023-12-01 10:20:034826 
隨著摩爾定律逐步達(dá)到極限，大量行業(yè)巨頭暫停了 7 nm 以下工藝的研發(fā)，轉(zhuǎn)而將目光投向先進(jìn)封裝領(lǐng)域。其中再布線先行（ RDL-first ） 工藝作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分，因其具備高良率
2023-12-07 11:33:443903 
美光宣布使用新型1α制造工藝生產(chǎn)的DRAM開始批量出貨，這是目前世界上最先進(jìn)的DRAM制造技術(shù)。1α制造工藝最初會用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4內(nèi)存生產(chǎn)上，隨著時(shí)間的推移，未來將用
2021-01-27 15:37:313659 DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們在本質(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
芯片。這時(shí)得到了4個(gè) 字長為4得芯片，這四個(gè)芯片按字方向擴(kuò)展得到16K，說明一塊DRAM芯片存儲單元數(shù)位4K.而刷新是針對每塊芯片來說的，所以我們只需要研究一塊芯片的刷新機(jī)制按照存儲矩陣形式，得到共有
2022-03-02 06:18:45
隨著SMT新技術(shù)、新工藝、新材料、新器件的發(fā)展，針對這種應(yīng)用趨勢國外先進(jìn)研究機(jī)構(gòu)在開展細(xì)致分析、檢測方面做了許多工作，特別是投入巨額資金，組建了相應(yīng)的分析實(shí)驗(yàn)室，促進(jìn)了新技術(shù)在SMT領(lǐng)域
2018-08-23 06:45:03
:DQZD.0.2010-01-021【正文快照】：1引言近年來,電力電子裝置的廣泛應(yīng)用所引起的無功和諧波問題,嚴(yán)重威脅著電力電網(wǎng)的安全運(yùn)行。如何抑制電網(wǎng)諧波,改善電能質(zhì)量成為近年來研究的熱點(diǎn),有源電力濾波器能夠動態(tài)抑制諧波和補(bǔ)償無功,具有響應(yīng)速度快、動態(tài)連續(xù)實(shí)時(shí)補(bǔ)償?shù)奶攸c(diǎn),廣受關(guān)注,眾多學(xué)者提出了多種電路拓?fù)浣Y(jié)全文下載
2010-04-24 09:08:23
455kHz信號,以1kHz調(diào)制。(模式=80%)),供AGC投入。
問題 :輸出 envelop 信號的形狀不正確 。 在更強(qiáng)的調(diào)制器消失時(shí), 在更低的調(diào)制器發(fā)生扭曲 。
輸出為 - 60dBm
-50dBm 輸出時(shí)的輸出
-40dBm 輸出時(shí)的輸出
-30dBm 輸出時(shí)的輸出
2023-11-16 08:09:19
使用NI的 FPGA，開辟了一個(gè)1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個(gè)MCK一個(gè)地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個(gè)地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開始出現(xiàn)一個(gè)數(shù)據(jù)都寫不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
MC908QE4的主要功能是什么？MC9S08QE4在有源RFID中有什么應(yīng)用？
2021-05-26 06:56:38
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
挑戰(zhàn)性。在這項(xiàng)研究中，我們研究了 BCB 的化學(xué)機(jī)械平坦化 (CMP)，以便在這種平坦化的表面上制作超薄粘合層。采用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法來研究不同的漿料成分、拋光墊和工藝參數(shù)對 BCB 平面化的影響。使用這種
2021-07-08 13:14:11
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
PCB元件引腳采用與其形狀相同、阻焊開窗尺寸等大的焊盤設(shè)計(jì)則可節(jié)省更多的空間。但制造過程中受設(shè)備精度、材料特性、工藝能力等影響均會導(dǎo)致焊盤偏位、尺寸縮小、可焊性變差、測試失效。文章將依據(jù)“D”字型
2019-08-08 11:04:53
` 世界先進(jìn)的用以量子力學(xué)研究的基礎(chǔ)設(shè)施量子力學(xué)開創(chuàng)了量子計(jì)算和通訊使人們的日常生活得以改善，發(fā)生了翻天地覆的變化，蒸蒸日上！示意了用于量子力學(xué)科學(xué)探索和研究的設(shè)想的基礎(chǔ)設(shè)施。一. 愛因斯坦的過渡
2020-07-16 08:56:40
就是利用沖床及模具將鐵，鋁，銅等板材及異性材使其變形或斷裂，達(dá)到具有一定形狀和尺寸的一種工藝。
2019-10-29 09:11:19
來源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長15.5%。主要原因來自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
單片機(jī)中有源、無源晶振有什么區(qū)別？ 用哪種好？
2012-07-06 10:08:12
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負(fù)轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
的纖維放置和纏繞軌跡。
通過纖維纏繞工藝制造飛機(jī)零件
在本案例研究中，為了了解發(fā)動機(jī)排氣噴嘴形狀的可成型性，僅使用碳纖維進(jìn)行干式纏繞過程，并且需要最佳纏繞模式和角度設(shè)置以防止纖維在附近滑動。通過商業(yè)纖維
2024-04-19 09:52:30
多電平逆變器有源軟開關(guān)技術(shù)的研究
2012-08-20 16:21:42
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-1 11:04 編輯
開關(guān)電源設(shè)計(jì)中有源驅(qū)動與無源驅(qū)動矩陣的八個(gè)不同點(diǎn) 開關(guān)電源設(shè)計(jì)中有源驅(qū)動與無源驅(qū)動矩陣有很多不同點(diǎn)，下面，筆者將對其一
2017-06-01 10:59:10
開關(guān)電源設(shè)計(jì)中有源驅(qū)動與無源驅(qū)動矩陣有很多不同點(diǎn)，下面，筆者將對其一一分析，希望給大家提供一些應(yīng)有的幫助!一.結(jié)構(gòu)的不同無源驅(qū)動矩陣的像素由陰極和陽極單純基板構(gòu)成，陽極和陰極的交叉部分可以發(fā)光，驅(qū)動
2018-01-31 10:34:09
開關(guān)電源設(shè)計(jì)中有源驅(qū)動與無源驅(qū)動矩陣的八個(gè)不同點(diǎn) 開關(guān)電源設(shè)計(jì)中有源驅(qū)動與無源驅(qū)動矩陣有很多不同點(diǎn)，下面，筆者將對其一一分析，希望給大家提供一些應(yīng)有的幫助! 一.結(jié)構(gòu)的不同 無源驅(qū)動矩陣的像素
2018-10-16 10:43:20
有償求購有源濾波裝置整套圖紙和工藝參數(shù)，有意加QQ44557991
2015-02-02 14:58:49
汽車覆蓋件拉延工藝設(shè)計(jì)CAD的研究車身覆蓋件模具作為汽車車身重要的工藝裝備，其設(shè)計(jì)速度和質(zhì)量直接影響著汽車的開發(fā)周期和質(zhì)量。開發(fā)專業(yè)的汽車覆蓋件模具CAD 軟件具有十分重要的意義。有了專業(yè)化的CAD
2009-04-16 13:34:15
影響區(qū)范圍小于50mm,保證了引線螺栓焊接質(zhì)量符合設(shè)計(jì)產(chǎn)品的要求。
**純分享帖，需要者可點(diǎn)擊附件免費(fèi)獲取完整資料~~~*附件：電機(jī)引線螺栓硬釬焊工藝研究.pdf
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2025-05-14 16:34:07
美等發(fā)達(dá)國家的先進(jìn)技術(shù)和工藝銷售、安裝于一體的大規(guī)模企業(yè)之一。匯集國內(nèi)物流設(shè)備制造業(yè)眾多技術(shù)精英，所擁有的工藝裝備、技術(shù)、研發(fā)能力均居國內(nèi)領(lǐng)先水平。憑借專業(yè)的制作經(jīng)驗(yàn)、領(lǐng)先的制作技術(shù)、優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量
2009-11-11 10:39:17
美等發(fā)達(dá)國家的先進(jìn)技術(shù)和工藝銷售、安裝于一體的大規(guī)模企業(yè)之一。匯集國內(nèi)物流設(shè)備制造業(yè)眾多技術(shù)精英，所擁有的工藝裝備、技術(shù)、研發(fā)能力均居國內(nèi)領(lǐng)先水平。憑借專業(yè)的制作經(jīng)驗(yàn)、領(lǐng)先的制作技術(shù)、優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量
2009-11-12 10:23:26
美等發(fā)達(dá)國家的先進(jìn)技術(shù)和工藝銷售、安裝于一體的大規(guī)模企業(yè)之一。匯集國內(nèi)物流設(shè)備制造業(yè)眾多技術(shù)精英，所擁有的工藝裝備、技術(shù)、研發(fā)能力均居國內(nèi)領(lǐng)先水平。憑借專業(yè)的制作經(jīng)驗(yàn)、領(lǐng)先的制作技術(shù)、優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量
2009-11-13 10:20:08
電子設(shè)備中不可缺少的元器件——多層陶瓷電容器（以下簡稱貼片），常常會出現(xiàn)的"扭曲裂紋"現(xiàn)象。本文主要為大家講述扭曲裂紋的產(chǎn)生原理以及防止扭曲裂紋產(chǎn)生的方法。
2021-02-26 08:06:15
通用阻抗變換器在有源濾波器中有什么用？
2021-04-14 06:16:00
采用同步整流的有源鉗位電源研究[attach]53701
2012-04-07 16:33:08
發(fā)現(xiàn)用高頻CO2 激光寫入的長周期光纖光柵的諧振波長會隨光柵扭曲而線性變化。當(dāng)順時(shí)針扭曲時(shí),諧振波長向長波方向漂移;逆時(shí)針扭曲時(shí),諧振波長向短波方向漂移。該新型扭曲傳感
2009-07-10 16:05:55
12 基于機(jī)器視覺技術(shù)的產(chǎn)品自動檢測、分類和測量系統(tǒng)，由于非接觸性和快速、精度高等優(yōu)點(diǎn)在實(shí)際生產(chǎn)中得到廣泛關(guān)注。論文研究并建立了目標(biāo)體幾何形狀和尺寸檢測機(jī)器視覺系
2009-12-30 17:03:3324 燃?xì)廛浌?b class="flag-6" style="color: red">扭曲試驗(yàn)機(jī) 設(shè)備用途： 燃?xì)廛浌?b class="flag-6" style="color: red">扭曲試驗(yàn)機(jī)主要用于燃?xì)庥镁哕浌芗安y管等在內(nèi)部充入一定氣壓情況下的扭曲性試驗(yàn)測試。1.試件規(guī)格：DN10-DN32，可滿足
2023-12-13 14:00:43
扭曲向列型LCD的基本結(jié)構(gòu)
1．液晶顯示器概述液晶顯示器（Liquid Crystal Display，LCD）液晶材料為基本組件。晶體可以排列為扭曲的形式
2009-03-10 12:00:433118 
多電平逆變器有源軟開關(guān)技術(shù)的研究
摘要：分析
2009-07-09 10:46:061310 
現(xiàn)代逆變電源中有源功率因數(shù)校正技術(shù)的應(yīng)用
摘要：本文對現(xiàn)代逆變器系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)功能及其對功率因數(shù)校正和電流諧波抑制提出的要求作了簡要介紹。分析比較了幾種
2010-02-22 10:35:131211 
現(xiàn)代逆變電源中有源功率因數(shù)校正技術(shù)的應(yīng)用
0 引言
由于對性能要求的不斷提高，特別是當(dāng)前“綠色”電源的呼聲越來越高，現(xiàn)代逆變器系統(tǒng)對功率因數(shù)
2010-03-01 11:47:15935 
Protel中有關(guān)PCB工藝的條目簡介
不少初學(xué)者感到Protel軟件本身簡單易學(xué)，容易上手，但較難理解的反倒是軟件以外的一些概念和術(shù)語。為推廣這一
2010-03-15 10:31:291281 有源電力濾波器產(chǎn)品化的研究
摘要：作者是上海交大的在職工程碩士畢業(yè)，從事實(shí)際工作多年，工程研究方向?yàn)殡娏?b class="flag-6" style="color: red">有源濾波器。現(xiàn)
2010-03-24 17:37:29913 集成運(yùn)放電路中有源負(fù)載放大電路的分析與計(jì)算方法
恒流源電路分析，恒流源電路的恒流值和恒流源內(nèi)阻計(jì)算,多級放大電路和差分放大電路的動態(tài)指標(biāo)計(jì)算等。
2010-04-13 11:25:2411887 
017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流，這對我們設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)是一個(gè)很大的啟示：我們怎么樣適應(yīng)全球先進(jìn)工藝。
2013-12-16 09:40:212411 基于SVPWM并聯(lián)有源電力濾波的應(yīng)用研究及仿真
2016-04-18 10:13:4511 基于HDevelop的形狀匹配算法參數(shù)的優(yōu)化研究。
2016-05-13 15:51:210 集成運(yùn)放電路中有源負(fù)載放大電路的分析與計(jì)算方法
2016-06-20 16:09:3032 缺陷形狀對油田注水管強(qiáng)度影響研究_劉清友_徐濤
2017-01-12 20:08:010 三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商，自己一家就占據(jù)了47.5%的份額，遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此，三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家，去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704 電極形狀對無創(chuàng)血糖檢測精度影響的研究_鐘曉玲
2017-03-19 19:03:464 基于激光傳感器的稻種輪廓形狀測量方法研究_曹鵬
2017-03-19 19:25:562 中國至少已浮出三家晶圓廠將采用SOI工藝先進(jìn)制程。根據(jù)MarketsandMarkets 最新預(yù)估，SOI市場在2022年市場價(jià)值將達(dá)18.6億美元，2017-2022年期間平均復(fù)合成長率將達(dá)29.1%。其中，亞太區(qū)晶圓廠將是主力客戶。
2018-07-11 10:37:007955 在研究有源像素工作機(jī)理和制作工藝的基礎(chǔ)上，分析了固定模式噪聲的產(chǎn)生機(jī)制以及對輸出信號的影響，建立了噪聲產(chǎn)生模型，得出了噪聲影響的定量計(jì)算的公式 。提出了通過優(yōu)化電路和版圖設(shè)計(jì)抑制電路固定模式噪聲
2017-09-01 14:50:5620 電子設(shè)備中不可缺少的元器件——多層陶瓷電容器（以下簡稱貼片），常常會出現(xiàn)的"扭曲裂紋"現(xiàn)象。本文主要為大家講述扭曲裂紋的產(chǎn)生原理以及防止扭曲裂紋產(chǎn)生的方法。
2017-11-09 06:24:007314 
根據(jù)單幅灰度圖像恢復(fù)相應(yīng)物體的三維表面形狀是計(jì)算機(jī)視覺中的一個(gè)基本問題，也是一個(gè)重要研究領(lǐng)域，相當(dāng)于完成一個(gè)從二維空間到三維空間的映射，解決這類問題的一個(gè)重要方法是從陰影恢復(fù)形狀（Shape
2018-01-09 16:36:290 技術(shù)發(fā)展，并已快速完成了技術(shù)的轉(zhuǎn)變，2019年向96層3D NAND發(fā)展。DRAM也會面臨技術(shù)瓶頸的難題，但在美光看來，他們正在交由客戶驗(yàn)證新一代1Ynm工藝DRAM芯片，未來還有1Z、1&alpha
2018-08-20 17:41:491479 為什么會產(chǎn)生扭曲裂紋呢？這是由于貼片是焊接在電路板上的。對電路板施加過大的機(jī)械力、使得電路板彎曲或老化，從而產(chǎn)生了扭曲裂紋。
2020-08-04 10:00:383747 什么是板翹曲，拱曲，扭曲和下垂？ 電路板翹曲是印刷電路板（PCB）幾何形狀的意外變化。 電路板翹曲是用于描述更改的PCB形狀的通用術(shù)語，與形狀本身（弓形，扭曲等）無關(guān)。 處理翹曲板的主要挑戰(zhàn)之一
2021-01-25 12:00:206388 
美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品，DRAM內(nèi)存、NAND閃存
2021-01-27 17:28:332297 該DRAM案例研究表明，通過在虛擬環(huán)境中執(zhí)行大量的DOE和工藝變化研究，可以消除不相關(guān)DOE路徑的時(shí)間和成本，并快速實(shí)現(xiàn)性能和良率目標(biāo)，從而加快產(chǎn)品上市時(shí)間。
2020-12-24 17:57:361124 近期筆者在清洗業(yè)務(wù)研討會上發(fā)表了演講。我不是一名清洗工藝專家，在演講中介紹更多的是制造工藝的發(fā)展趨勢及其對清洗的影響。我將在這篇文章中分享并進(jìn)一步討論那次演講的內(nèi)容，主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品。
2020-12-26 01:23:08974 美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513895 
美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來或?qū)⒌采w美光所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442840 在新冠肺炎疫情期間，社交媒體以前所未有的速度向全世界傳播消息。然而，扭曲信息隱藏在海量社交數(shù)據(jù)中，對國家安全、社會穩(wěn)定提出了前所未有的挑戰(zhàn)。目前的干預(yù)措施大多是建立在對關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和關(guān)鍵鏈路進(jìn)行控制
2021-04-08 15:50:3913 近年來，形狀記憶合金（ shape memory alloy，SMA）由于噪聲小、回復(fù)應(yīng)變大和生物兼容性妤等優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的使用和研究。為了研究SMA在軟體機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用，首先對SMA在國內(nèi)外
2021-06-18 10:52:366 MICRON最近宣布，我們正在發(fā)貨使用全球最先進(jìn)的DRAM工藝制造的存儲芯片。這個(gè)過程被神秘地稱為“1α”（1-alpha）。這是什么意思，有多神奇？
2021-09-15 17:00:522713 本文將仔細(xì)研究用于控制和與 DRAM 交互的命令。
2022-04-28 17:15:234900 
與實(shí)際清洗溶液不兼容。初始相容性研究顯示了在高N2/(O2+N2)等離子體比的干燥步驟期間鍺的鈍化作用。對于后有源區(qū)蝕刻，在構(gòu)圖的絕緣體上多晶鍺(PolyGeOI)晶片上進(jìn)行的干剝離顯示出良好的兼容性
2022-05-25 16:43:16983 
近日，據(jù)研究機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布的報(bào)告顯示，去年全球DRAM產(chǎn)值飛速增長至了961億美元，與之前相比增長了42%，IC Insights預(yù)測今年全球DRAM的總產(chǎn)值將達(dá)到1000億美元以上
2022-05-27 14:58:344238 尤其以4D打印技術(shù)為代表的先進(jìn)制造技術(shù)使用形狀記憶合金作為原材料，擴(kuò)展了其在軟體機(jī)器人、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。
2022-09-16 11:43:314427 CMOS 集成電路的基礎(chǔ)工藝之一就是雙阱工藝，它包括兩個(gè)區(qū)域，即n-MOS和p-MOS 有源區(qū)
2022-11-14 09:34:5112107 以往，具備低漏電、高性能特性的先進(jìn)制程工藝多用于邏輯芯片，特別是PC、服務(wù)器和智能手機(jī)用CPU，如今，這些工藝開始在以DRAM為代表的存儲器中應(yīng)用，再加上EUV等先進(jìn)設(shè)備和工藝的“互通”，邏輯芯片和存儲器的制程節(jié)點(diǎn)和制造工藝越來越相近。
2022-11-17 11:10:083685 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進(jìn)的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712478 本實(shí)驗(yàn)活動的目標(biāo)是研究有源整流器電路。具體而言，有源整流器電路集成了運(yùn)算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環(huán)路，以合成一個(gè)正向壓降低于傳統(tǒng)PN結(jié)二極管的單向電流閥或整流器。
2023-05-29 14:21:332492 
應(yīng)用概述 什么是扭曲檢驗(yàn)測試系統(tǒng)? 扭曲檢驗(yàn)測試系統(tǒng)，是一種專門用來檢驗(yàn)測試材料和產(chǎn)品的耐扭曲強(qiáng)調(diào)、鋼度和應(yīng)力應(yīng)變特性的設(shè)備。通常是在一定的實(shí)用模擬環(huán)境中，通過扭力傳感器來檢驗(yàn)或測試被測對象的軸向
2023-06-14 09:48:441538 
來源?|?Materials Today Physics 01 背景介紹 扭曲雙層石墨烯(TBG)表現(xiàn)出具有較大第二晶格周期性的moire圖。當(dāng)兩層石墨烯之間的扭轉(zhuǎn)角達(dá)到1.08度時(shí)，出現(xiàn)能帶雜交
2023-06-21 09:24:541338 
內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:0910427 
在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:376531 
可以看出認(rèn)知扭曲本身雖然往往和負(fù)面情緒相關(guān)，但其更多是強(qiáng)調(diào)不合理的負(fù)面情緒，這些負(fù)面情緒的形成和加強(qiáng)都和認(rèn)知扭曲相關(guān)。認(rèn)知扭曲更是不合理的負(fù)面情緒的放大器和加重者。盡管以往的研究更多關(guān)注負(fù)面情緒，但我們的C2D2數(shù)據(jù)集旨在關(guān)注和研究這些認(rèn)知扭曲。
2023-11-03 16:53:322235 
持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測試數(shù)據(jù)不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-16 16:55:041192 
以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口
2023-11-23 09:04:421249 
技術(shù)的高可靠性先進(jìn)互連工藝。通過系列質(zhì)量評估與測試方法對比分析了不同燒結(jié)工藝對芯片雙面銀燒結(jié)層和芯片剪切強(qiáng)度的影響，分析了襯板表面材料對銅線鍵合強(qiáng)度的影響，最后對試制樣品進(jìn)行溫度沖擊測試，討論了溫度沖擊對銀燒結(jié)顯微組織及
2024-03-05 08:41:471541 
有源區(qū)工藝是指通過刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。
2024-10-31 16:55:381950 
與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會形成n型和p型阱接觸的有源區(qū)，或者n型和p型有源區(qū)電阻，以及n型和p型多晶硅電阻。
2024-11-09 10:04:001921 
Salicide 工藝是指在沒有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。
2024-11-11 09:20:343334 
在新能源時(shí)代，鋰電池作為核心動力與儲能單元，其重要性不言而喻。而在鋰電池的諸多特性中，封裝形狀這一外在表現(xiàn)形式，實(shí)則蘊(yùn)含著復(fù)雜的技術(shù)考量與工藝邏輯。方形、圓柱、軟包三種主流封裝形狀，各自對應(yīng)著獨(dú)特
2025-02-17 10:10:382226 
在芯片制造中，有源區(qū)（Active Area）是晶體管的核心工作區(qū)域，負(fù)責(zé)電流的導(dǎo)通與信號處理。它如同城市中的“主干道”，決定了電路的性能和集成度。
2025-03-04 09:49:184013 
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