手機處理器市場除了高通和聯發科兩巨頭，三星也在奮力追趕，消息顯示Exynos 8995將采用10nm FinFET工藝，最高速度達4GHz。昨日最高人民檢察院在官方微博發布消息，對中國電信集團原董事長常小兵立案偵查。搭載VR相機的衛星明年升空，今日魅族要發布的魅藍E跑分和配置已經曝光，讓我們先睹為快。

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　　1、三星下一代Exynos 8895處理器或采用10nm工藝

　　根據國內消息來源表示，三星電子正在測試其下一代手機處理器 Exynos 8995，采用10納米FinFET工藝，最高速度可達到4GHz，其功耗和傳聞當中的高通驍龍830相同，據稱高通驍龍830處理器最高工作頻率只有 3.6GHz。換句話說，三星接下來的Exynos芯片或提供了極大的電源效率。

　　預計三星明年Galaxy S8智能手機有可能是第一個采用Exynos 8995處理器的產品。不過，目前來看，遷移到10nm制造工藝，仍然非常棘手。英特爾本來準備今年作出這樣的轉變，然而計劃已經延期，并推出了權宜產 品，顯示10nm工藝比預期更困難。同樣的事情有可能在移動芯片產業發生。所以10nm處理器絕對不可能成為明年的主打產品。

　　其次，行業才剛剛出貨和使用14nm 芯片，高通驍龍820和821處理器是首批采用這一工藝的產品，在理論上還有改進的余地，所以不大可能迅速推出采用下一代制造工藝的產品。

　　2、最高檢對中國電信集團原董事長常小兵立案偵查

　　8月9日，最高人民檢察院在官方微博發布消息：日前，最高人民檢察院經審查決定，依法對中國電信集團公司原黨組書記、董事長常小兵以涉嫌受賄罪立案偵查并采取強制措施。案件偵查工作正在進行中。

　　2015年12月，中央紀委監察部網站消息，中國聯合網絡通信集團有限公司原黨組書記、董事長，現中國電信集團公司黨組書記、董事長常小兵涉嫌嚴重違紀，目前正接受組織調查。

　　2015年12月30日，中國電信董事會宣布，常小兵已辭去公司執行董事、董事長兼CEO職務。

　　據了解，常小兵被調查僅僅距離上任中國電信才4個月之久，因此和電信相關性很小。在常小兵之前，張智江、宗新華被免職調查，熊昱也被舉報調查，中國聯通8名廳級干部也被查出存在以權謀私的問題。

　　資料顯示，常小兵 1957年3月出生，1975年3月參加工作，中共黨員，教授級高級工程師。1982年畢業于南京郵電學院電信工程系，獲得工學學士學位；2001年獲得清華大學工商管理碩士學位；2005年獲得香港理工大學工商管理博士學位。

　　歷任：南京市電信局副局長，中國郵電電信總局副局長，信息產業部電信管理局副局長、局長，中國電信集團公司副總經理、黨組副書記，中國聯合通信有限公司董事長、黨組書記。中國聯合網絡通信集團有限公司董事長、黨組書記。2015年8月任中國電信集團公司董事長、黨組書記。

　　3、三大芯片制造商打算在2016下半年增加資本支出

　　根據市場研究機構IC Insights的最新報告，盡管半導體產業景況不佳，三大芯片制造商包括英特爾（Intel）、三星（Samsung）與臺積電（TSMC）仍打算在 2016下半年增加資本支出；該機構指出，該三大芯片制造商2016下半年資本支出估計總共為200億美元，較上半年增加90%。

　　IC Insights表示，這三家公司需要在今年稍后提高支出，才能達成全年度的資本支出目標：“相對于資本支出前三大業者，其余半導體供應商下半年的資本支 出將會比上半年減少16%；整體看來，2016下半年半導體產業資本支出較上半年增加20%以上，意味著半導體設備供應商在下半年將經歷一段忙碌的周 期。”

　　而大廠提升資本支出，可能也將進一步拉大它們與其他較小型競爭對手之間的技術差距；目前三星、英特爾與臺積電，為市場上僅有的、宣布計劃在接下來幾年量產10納米節點制程，以及采用極紫外光（EUV）微影技術的半導體制造商。

　　IC Insights估計，三家大廠2016年度的資本支出金額總和，將占據整體半導體產業資本支出金額的45%；而預期今年半導體產業資本支出總金額與去年相較將成長3%，2015年半導體產業資本支出總額則是衰退了2%。

　　隨著眾多芯片廠商轉向采取“輕晶圓廠”業務模式，以及無晶圓廠IC產業持續興旺，晶圓代工業者廠成為半導體資本支出主力；在2008年，晶圓代工業者對整體 資本支出的貢獻度為12%左右，而該數字在2016年估計會達到34%。資本支出排名第二大的半導體業者則為快閃記憶體制造商，估計2016年資本支出占 據整體半導體產業支出的16% （共157億美元）。