意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）正與Globalfoundries公司洽談轉(zhuǎn)移完全耗盡型絕緣上覆硅（FDSOI）制程技術(shù)的相關(guān)細(xì)節(jié)，期望于2013年第四季在Globalfoundries于德國(guó)德勒斯登（Dresden）的 Fab 1 代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　ST宣稱，在相同的功耗條件下，其28nm FDSOI 制程比28nm CMOS 制程所能實(shí)現(xiàn)的性能能更高30%以上，或者在相同的性能時(shí)，其28nm可節(jié)省更高達(dá)50%的動(dòng)態(tài)功耗。這是因?yàn)镕DSOI制程可讓電壓降低到0.6V，而CMOS只能降低至0.9V，ST前段制程部門執(zhí)行副總裁Joel Hartmann解釋。

　　Hartmann說，業(yè)界多家公司採(cǎi)用了由SOI聯(lián)盟提供的 28nm FDSOI 實(shí)體設(shè)計(jì)套件。然而，他們還希望能夠確保這一制程性能提升以符合其需求，因而必須展開與Globalfoundries的進(jìn)一步合作。

　　「我們已經(jīng)與Globalfoundries之間建立一項(xiàng)合作備忘錄（MoU）了，現(xiàn)在我們正洽談合作細(xì)節(jié)，」Hartmann表示。Globalfoundries已在2012年6月與ST以及其它客戶簽署了 FDSOI 晶片代工合約。ST先前已在其于法國(guó)Crolles的晶圓廠導(dǎo)入28nm FDSOI 制程。

　　為了補(bǔ)充法國(guó)Crolles廠的產(chǎn)能，Hartmann說，Globalfoundries將在其于德國(guó)Dresden Fab 1廠導(dǎo)入這項(xiàng) FDSOI 制程，目前該廠進(jìn)行的是32/28nm CMOS 制造。「如果我們?cè)谶@個(gè)月或從二月開始的話，Globalfoundries可望在2013年第四季開始量產(chǎn) FDSOI ，」Hartmann說。

　　Hartmann坦承，SOI晶片的塬始晶片成本大約是標(biāo)準(zhǔn)硅晶的兩到叁倍。但 FDSOI制程更簡(jiǎn)單，因而更能節(jié)省成本以及提高良率，他說，「FDSOI制程成本比CMOS更便宜10-12%，這將使我們能夠在大量制造時(shí)完全彌補(bǔ)SOI基底的額外成本，」Hartmann說。

　　ST子公司ST-Ericsson推出的一款LTE modem-應(yīng)用處理器── L8580 ，採(cǎi)用28nm FDSOI 制造，預(yù)計(jì)將在今年第一季出樣。Altera公司一位資深工程師針對(duì) FDSOI 進(jìn)行評(píng)估FDSOI 表示，該技術(shù)還能為 FPGA 帶來特別的好處。「在ST內(nèi)部，我們也期望應(yīng)用該新制程于功耗格外重要的消費(fèi)電子領(lǐng)域，」Hartmann說。不過，他并未透露ST的哪些產(chǎn)品或產(chǎn)品線將會(huì)轉(zhuǎn)移至FDSOI制程制造。