臺(tái)積電2nm芯片最新消息
臺(tái)積電即將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，臺(tái)積電2nm芯片棄用FinFET鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，將于2025年開始量產(chǎn)。
臺(tái)積電2nm芯片與3nm芯片相比，芯片密度增加了1.1倍以上，將功耗降低25%至30%，性能提升10%至15%，2nm工藝將比其前身提供純性能提升。
據(jù)了解，臺(tái)積電計(jì)劃在臺(tái)灣再建4座工廠生產(chǎn)3nm芯片，并于2023年初上市，還將在2024年引進(jìn)ASML下一代High-NA EUV最強(qiáng)光刻機(jī)。
綜合整理自有半導(dǎo)體行業(yè)觀察、新智元
審核編輯：湯梓紅
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