三星在2023年年度三星代工論壇(SFF)上公布了更新的制造技術(shù)路線圖。該公司有望分別于2025年和2027年在其2納米和1.4納米級(jí)節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)芯片。此外，該公司還計(jì)劃在未來幾年增加領(lǐng)先的5納米級(jí)射頻制造工藝并開始生產(chǎn)GaN芯片。

與SF3（第二代 3nm 級(jí)）相比（在相同晶體管數(shù)量下），三星預(yù)計(jì)其 SF2（2nm 級(jí)）制造技術(shù)可將功率效率提高 25%（在相同頻率和晶體管數(shù)量下），將性能提高 12%（在相同功率和復(fù)雜性下），并將面積減少 5%該公司。該公司將于 2025 年開始在 2nm 節(jié)點(diǎn)上制造移動(dòng) SoC，并于 2026 年跟進(jìn) HPC 增強(qiáng)型 SF2P 節(jié)點(diǎn)同時(shí)，SF1.4（1.4nm級(jí)）制造工藝預(yù)計(jì)將于2027年提供給三星客戶。

為了使其SF2節(jié)點(diǎn)更具競(jìng)爭(zhēng)力，三星打算確保其客戶很快就能獲得一系列高質(zhì)量的SF2 IP，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等接口。

除了為智能手機(jī)、客戶端PC和數(shù)據(jù)中心SoC提供領(lǐng)先技術(shù)外，三星還計(jì)劃在未來幾年提供專門的制造工藝。其中包括2027年為汽車應(yīng)用量身定制的SF2A，以及2025年的5nm射頻(RF)節(jié)點(diǎn)。與當(dāng)前一代14nm RF工藝相比，即將推出的5nm RF預(yù)計(jì)將功率效率提高40%，并將晶體管密度提高約50%。

三星還計(jì)劃于2025年開始生產(chǎn)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體。這些芯片將面向各種應(yīng)用，從消費(fèi)電子產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心和汽車行業(yè)。

三星代工廠不僅專注于擴(kuò)大其技術(shù)組合，還致力于增強(qiáng)其在美國(guó)和韓國(guó)的制造能力。該公司計(jì)劃于 2023 年下半年在平澤 3 號(hào)生產(chǎn)線(P3)開始大批量生產(chǎn)芯片。至于位于德克薩斯州泰勒的工廠，預(yù)計(jì)將于今年年底完成建設(shè)，其預(yù)計(jì)將于 2024 年下半年開始運(yùn)營(yíng)。

作為其宏偉目標(biāo)的一部分，三星計(jì)劃到2027年將其潔凈室總產(chǎn)能提高7.3倍，與2021年擁有的產(chǎn)能相比大幅增長(zhǎng)。

審核編輯：劉清