臺積電董事長劉德音昨日出席創(chuàng)辦人張忠謀獲頒李國鼎科技發(fā)展基金會第一屆「李國鼎獎」，媒體問及先進制程設廠進展時，他簡短回應強調：「1.4納米會留在臺灣」。

先前外界屢傳臺積電1.4納米落腳桃園龍科三期，隨著龍?zhí)秷@區(qū)三期因私人土地征收爭議擴大，依據反龍?zhí)犊茖W園區(qū)第三期擴建案自救會連絡人張貴有說法，先前在新竹科學園區(qū)管理局、臺積電與自救會三方代表對談下，當時臺積電已明確表示：「認同在地鄉(xiāng)親愛護土地及家園的強烈情懷，決定放棄原欲在龍科的擴廠計畫。」

臺積電在10月法說會前也明確指出，經公司評估后，在現階段條件下不再考慮進駐龍?zhí)秷@區(qū)三期，未來公司仍維持過去擴廠步調，臺積電將持續(xù)與管理局合作評估臺灣適合半導體建廠的用地。

先進工藝，競爭激烈

在臺積電推進的同時，三星和英特爾也不甘落后。

首先看南韓三星電子，他們近期矢言要在2027年推出1.4納米芯片制造，超越臺積電和英特爾代工服務，也對按計劃在2025年生產2納米芯片充滿信心。知名電子媒體EDN報導，三星承諾量產1.4nm芯片大約需要4年時間，在此期間可能會發(fā)生很多事情。

三星1.4nm和2nm芯片都將采用今年發(fā)布的3nm芯片上率先采用的環(huán)繞式閘極（GAA）技術來制造。而對手臺積電和英特爾將在2納米制造從Fin場效電晶體（FinFET）過渡到GAA電晶體，分別于2025年和2024年商業(yè)量產。

在另一項重大設計改革中，三星計劃在1.4納米制造中加入額外的納米片，將納米片的數量從3個增加到4個。由于每個電晶體有更多的納米片，1.4納米芯片將增強開關能力和運行速度。此外，更多的納米片將更好地控制電流，從而產生更少的熱量并減少漏電流。GAA電晶體透過在比finFET更小的電晶體中實現更高的速度來解決FinFET的限制。

三星長期以來在芯片制造一直落后臺積電，盡管如此，這仍然表明三星正全力參與競賽，并在大型晶圓廠的競爭中與臺積電較勁。

三星是第一個實施GAA電晶體的公司，然而，在不斷向更小制程進軍的過程中，一直輸給臺積電和英特爾。現在，GAA在1.4制程上的突破提供了落后臺積電的喘息空間。在臺積電持續(xù)強化研發(fā)和擴點制造下，三星挑戰(zhàn)王者的目標仍有很大的難度。

來到英特爾方面，《日經亞洲》援引英特爾半導體集團首席執(zhí)行官周二的言論稱，英特爾最先進的芯片設計將于明年第一季度進入測試生產階段。

該新聞媒體報道稱，英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）在臺灣舉行的一次會議上表示，這款名為 18A 的設備“目前有許多測試晶圓問世”。《日經亞洲》稱，他還聲稱“18A 的發(fā)明階段已經完成”，并補充說這家美國公司正在“競相生產”。

除了自己的產品外，英特爾還宣布 18A 制造技術還將用于電信設備制造商愛立信 (BS:ERICAs) 等外部客戶的芯片中。

這家總部位于加州的公司表示，其目標是在 2025 年之前準備好 18A 制造工藝，這一時間表與競爭對手三星和臺積電類似先進芯片的生產計劃大致一致。

對英特爾來說，在先進芯片制造領域建立業(yè)務至關重要，特別是因為它希望讓投資者放心，盡管人工智能日益普及導致競爭加劇，但其關鍵的個人電腦和服務器業(yè)務仍將保持主導地位。