三星電子昨天在“三星存儲器日”上公開了存儲器和閃存生產(chǎn)線的最新發(fā)展藍圖和日程，并公開了瞄準(zhǔn)高性能計算（hpc）市場的hbm3e存儲器半導(dǎo)體。

三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram，目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度。”另外，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計劃為一個芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。

閃存方面表示，第9代v nand的開發(fā)已經(jīng)進入軌道，將以雙堆棧結(jié)構(gòu)提供業(yè)界最高的層數(shù)。三星已經(jīng)確保了新型v-nand的功能芯片，預(yù)計將于明年年初開始批量生產(chǎn)。

三星昨天公布了名為shinebolt的新一代hbm3e dram，每引腳9.8 gbps，整體傳送速度為1.2 tbps。目前，三星hbm3的8h和12h產(chǎn)品已進入批量生產(chǎn)階段，hbm3e shinebolt樣品已發(fā)送給客戶。另外，還計劃提供將新一代hbm和先進封裝技術(shù)、委托生產(chǎn)產(chǎn)品相結(jié)合的“量身定做型一站式服務(wù)”。