三星電子昨天在“三星存儲器日”上公開了存儲器和閃存生產線的最新發展藍圖和日程，并公開了瞄準高性能計算（hpc）市場的hbm3e存儲器半導體。

三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產了12納米級dram，目前正在開發的11納米級dram將提供業界最高密度。”另外，三星正在準備10納米dram的新的3d構架，并計劃為一個芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。

閃存方面表示，第9代v nand的開發已經進入軌道，將以雙堆棧結構提供業界最高的層數。三星已經確保了新型v-nand的功能芯片，預計將于明年年初開始批量生產。

三星昨天公布了名為shinebolt的新一代hbm3e dram，每引腳9.8 gbps，整體傳送速度為1.2 tbps。目前，三星hbm3的8h和12h產品已進入批量生產階段，hbm3e shinebolt樣品已發送給客戶。另外，還計劃提供將新一代hbm和先進封裝技術、委托生產產品相結合的“量身定做型一站式服務”。